產(chǎn)業(yè)專利分析報(bào)告 新型傳感器（第46冊）

第1章概況
1.1研究背景
1.1.1技術(shù)發(fā)展概況
1.1.2產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀
1.1.3行業(yè)需求
1.2研究對象和方法
1.2.1研究對象
1.2.2研究方法
1.2.3相關(guān)事項(xiàng)和約定
第2章CMOS圖像傳感器
2.1CMOS圖像傳感器專利總體態(tài)勢
2.1.1申請趨勢
2.1.2原創(chuàng)/目標(biāo)國或地區(qū)分布
2.1.3申請人分析
2.2重要申請人——索尼
2.2.1申請趨勢
2.2.2產(chǎn)品相關(guān)核心專利布局
2.2.3堆疊式背照技術(shù)
2.2.4索尼專利申請撰寫策略
2.3背照式CMOS圖像傳感器
2.3.1申請態(tài)勢
2.3.2技術(shù)分布
2.3.3中國專利有效性
2.3.4申請人分析
2.3.5技術(shù)功效分析
2.4核心專利技術(shù)
2.4.1解決減小暗電流問題
2.4.2解決抗串?dāng)_問題
2.4.3技術(shù)發(fā)展趨勢預(yù)測
2.5本章小結(jié)
第3章柔性壓力傳感器
3.1柔性壓力傳感器專利總體態(tài)勢
3.2應(yīng)用領(lǐng)域分析
3.3電子皮膚技術(shù)
3.3.1申請態(tài)勢
3.3.2專利區(qū)域分布
3.3.3申請人分析
3.3.4技術(shù)生命周期
3.3.5電子皮膚技術(shù)發(fā)展路線
3.4電子皮膚應(yīng)用技術(shù)
3.4.1典型應(yīng)用技術(shù)解析
3.4.2技術(shù)功效分析
3.4.3主要產(chǎn)品及專利布局分析
3.5本章小結(jié)/
第4章光子型紅外傳感器
4.1光子型紅外傳感器專利總體態(tài)勢
4.1.1申請趨勢
4.1.2專利區(qū)域分布
4.1.3申請人分析
4.2多波段光子型紅外傳感器
4.2.1申請態(tài)勢
4.2.2技術(shù)發(fā)展路線
4.2.3技術(shù)功效分析
4.2.4重要專利分析
4.3重要申請人——SOFRADIR
4.3.1碲鎘汞紅外傳感器技術(shù)路線
4.3.2SOFRADIR軍民融合策略
4.3.3中國軍民融合策略
4.4本章小結(jié)
第5章陀螺儀
5.1陀螺儀技術(shù)專利總體態(tài)勢
5.2MEMS陀螺儀
5.2.1專利申請趨勢
5.2.2專利區(qū)域分布
5.2.3申請人分析
5.3正交誤差補(bǔ)償技術(shù)
5.3.1技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀
5.3.2申請趨勢
5.3.3專利區(qū)域分布
5.3.4申請人分析
5.3.5專利布局分析
5.4初創(chuàng)公司成功之道——InvenSense
5.4.1InvenSense專利概況
5.4.2重要專利技術(shù)
5.4.3研發(fā)團(tuán)隊(duì)
5.4.4申請策略
5.4.5專利布局
5.4.6技術(shù)路線
5.4.7企業(yè)并購
5.5本章小結(jié)
第6章MEMS制造工藝
6.1MEMS制造工藝專利總體態(tài)勢
6.1.1申請趨勢
6.1.2技術(shù)構(gòu)成
6.1.3專利區(qū)域分布
6.1.4申請人分析
6.2硅通孔工藝
6.2.1申請態(tài)勢
6.2.2專利區(qū)域分布
6.2.3申請人分析
6.2.4技術(shù)發(fā)展路線
6.2.5技術(shù)功效分析
6.2.6重要專利分析
6.3重要申請人——臺積電
6.3.1公司概況
6.3.2專利申請態(tài)勢
6.3.3多角度解決封裝應(yīng)力問題
6.3.4扇出晶圓級封裝核心技術(shù)
6.3.5商業(yè)秘密與專利保護(hù)
6.4MEMS工藝標(biāo)準(zhǔn)化的突破口
6.4.1CMOS-MEMS融合工藝概況
6.4.2重要專利分析
6.4.3重點(diǎn)產(chǎn)品分析
6.5本章小結(jié)
第7章主要結(jié)論
7.1技術(shù)創(chuàng)新
7.2知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)
7.3企業(yè)運(yùn)營戰(zhàn)略
圖索引
表索引