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內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書共分為11童，其中，第1章介紹了半導(dǎo)體晶體的能帶、結(jié)構(gòu)和載流子分布規(guī)律；第2章和第3章描述了pn結(jié)二極管、變?nèi)荻O管、隧道二極管、肖特基二極管和雪崩二極管的特性與工作機(jī)理：第4~6章詳細(xì)地論述了晶體管的工作機(jī)理及其直流特性、頻率特性、開關(guān)特性與功率特性；第7童給出了晶閘管的結(jié)構(gòu)、原理及其導(dǎo)通、阻斷、關(guān)斷特性；第8章和第9章講述了MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)、原理與特性，以及納米級(jí)MOS器件，包括SOI結(jié)構(gòu)、雙柵結(jié)構(gòu)、納米線結(jié)構(gòu)等；第10童論述了異質(zhì)結(jié)雙極晶體管、GaAs MESFET和高電子遷移率晶體管的工作原理和基本特性；第1 1套介紹了光電池、光敏晶體管和電荷耦合器件。本書可作為高等院校電子信息、電子科學(xué)與技術(shù)、光電信息科學(xué)與技術(shù)專業(yè)的本科生教材，教師可根據(jù)專業(yè)和課時(shí)要求選學(xué)部分章節(jié)。本書亦可作為相關(guān)專業(yè)科研人員和工程技術(shù)人員的參考用書。

作者簡(jiǎn)介

暫缺《微電子器件》作者簡(jiǎn)介

圖書目錄

前言
教學(xué)建議
第1章微電子器件物理基礎(chǔ)
1.1半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)與能帶
1.1.1 半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)
1.1.2 半導(dǎo)體能帶圖
1.1.3 半導(dǎo)體品格缺陷
及其能級(jí)
1.2半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布
1.2.1 狀態(tài)密度函數(shù)與統(tǒng)計(jì)
分布函數(shù)
1.2.2 本征載流子
1.2.3 非本征載流子
1.3 半導(dǎo)體中載流子的輸運(yùn)規(guī)律
1.3.1 載流子的產(chǎn)生與復(fù)合
1.3.2 載流子的漂移運(yùn)動(dòng)
1.3.3 載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)
1.3.4 載流子的輸運(yùn)方程
習(xí)題
第2章 pn結(jié)二極管
2..1 pn結(jié)雜質(zhì)濃度分布
2.2平衡pn結(jié)
2.2.1 空間電荷區(qū)
2.2.2 能帶圖
2.2.3 接觸電勢(shì)差一
2.2.4 載流子濃度一
2.3 pn結(jié)的空間電荷區(qū)電場(chǎng)
和電位分布
2.3.1 突變結(jié)
2.3.2 線性緩變結(jié)
2.3.3 耗盡層近似
2.4 pn結(jié)勢(shì)壘電容
2.4.1 突變結(jié)勢(shì)壘電容
2.4.2 線性緩變結(jié)勢(shì)壘電容
2.5 pn結(jié)直流特性
2.5.1 非平衡載流子的注入
2.5.2 反向抽取
2.5.3 準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)和載流子濃度
2.5.4直流電流電壓方程
2.5.5影響pn結(jié)直流特性的
其他因素
2.5.6溫度對(duì)pn結(jié)電流和電壓
的影響
2.6 pn結(jié)小信號(hào)交流特性與
開關(guān)特性
2.6.1 小信號(hào)交流特性
2.6.2 開關(guān)特性
2.7 pn結(jié)擊穿特性
2.7.1 基本擊穿機(jī)構(gòu)
2.7.2 雪崩擊穿電壓
2.7.3 影響雪崩擊穿電壓的
因素
習(xí)題
第3章特殊二極管
3.1變?nèi)荻O管
3.1.1 pn結(jié)電容
3.1.2 電容電壓特性
3.1.3 變?nèi)荻O管基本特性
3.1.4 特殊變?nèi)荻O管
3.2 隧道二極管
第4章晶體管直流特性
第5章晶體管頻率特性與開關(guān)特性
第6章晶體管功率特性
第7章晶閘管
第8章MOSFET
第9章納米級(jí)MOS器件
第10章半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)器件
第11章光電器件與電荷耦合器件
附錄
參考文獻(xiàn)