光泵浦垂直外腔面發(fā)射半導體激光技術

定　價：￥60.00

作　者：	王菲，王曉華
出版社：	國防工業(yè)出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787118106909	出版時間：	2016-03-01	包裝：
開本：	16開	頁數(shù)：	186	字數(shù)：

內容簡介

　　光泵浦面發(fā)射半導體激光器是一種新型的半導體激光器，它兼有常規(guī)電泵浦邊發(fā)射和面發(fā)射半導體激光器的優(yōu)點，具有輸出功率高、光束質量好、轉換效率高、光譜調諧范圍寬、輸出波長覆蓋紫外到中紅外波段等突出優(yōu)勢，已經成為當前國際研究的熱點之一?！豆獗闷执怪蓖馇幻姘l(fā)射半導體激光技術》針對光泵浦面發(fā)射半導體激光器的設計理論、制備工藝及輸出特性展開了詳盡介紹，內容包括半導體增益介質芯片設計與外延生長、芯片封裝制備工藝、芯片的熱特性、激光器輸出特性及其調制特性等。

作者簡介

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圖書目錄

第1章引論
1．1 研究意義
1．2 光泵浦垂直外腔面發(fā)射半導體激光器的發(fā)展歷程與研究現(xiàn)狀
1．3 光泵浦垂直外腔面發(fā)射半導體激光器的基本原理、結構與材料體系
1．4 光泵浦垂直外腔面發(fā)射半導體激光器的應用
參考文獻
第2章半導體激光泵浦源技術
2．1 半導體激光器簡介
2．2 半導體激光器工作原理
2．3 半導體激光器的工作特性
2．4 半導體激光器的典型封裝結構
2．5 半導體激光束泵浦整形技術
參考文獻
第3章半導體增益介質的設計與制備
3．1 基本理論
3．2 半導體增益介質結構設計
3．3 半導體增益介質外延片的生長與測試
3．4 幾種典型的半導體增益介質結構
參考文獻
第4章半導體增益介質外延片的后工藝處理
4．1 半導體增益介質外延片襯底減薄工藝研究
4．2 半導體增益介質芯片拋光工藝研究
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