集成電路制造工藝技術體系

第1章IC制造的技術特點與發(fā)展趨勢 1.1IC產業(yè)的發(fā)展歷史與趨勢 1.2IC制造技術的特點 1.2.1以復雜的物理—化學過程為主，技術門檻高 1.2.2生產效率高 1.2.3能夠實現異常復雜的電路功能 1.2.4應用極為廣泛 1.2.5微電子加工技術可延伸應用于相近的其他產業(yè)制造 1.3本書的線索和章節(jié)內容安排 第2章半導體器件與工藝結構 2.1總論 2，1.1器件：基于能級 2.1.2器件：基于能帶 2.2集成電路中的常規(guī)器件 2.2.1PN結 2.2.2雙極晶體管 2.2.3MOS晶體管 2.3工藝結構 2.3.1雙極工藝 2.3.2NMOS 2.3.3CMOS 2.3.4BiCMOS 2.4其他器件及工藝結構 2.4.1微機電系統(tǒng)器件 2.4.2太陽能電池 2.5新材料與新器件 2.5.1FinFET 2.5.2無結器件 2.5.3納米器件 2.5.4SiGe材料及SiGeHBT 2.5.5SiC與GaN 2.6微電子器件的表示 2.6.1結構單元 2.6.2單元鏈、截面和微結構體 2.6.3器件結構分析 2.7總結 第3章IC制造單項工藝技術 3.1半導體材料的加工處理 3.1.1外延 3.1.2摻雜擴散 3.1.3離子注入 3.2介質／絕緣材料的加工處理 3.2.1氧化 3.2.2LPCVD 3.2.3PECVD 3.3互連工藝 3.3.1Al金屬化 3.3.2Cu金屬化 3.3.3多晶硅 3.3.4接觸 3.4位置與幾何形狀定義 3.4.1光刻 3.4.2刻蝕 3.4.3剝離 3.5輔助性工藝技術 3.5.1化學清洗 3.5.2熱處理 3.5.3平坦化與CMP 3.5.4工藝質量監(jiān)控 3.6新工藝技術舉例 3.6.1ALD原子層淀積技術 3.6.2激光加工技術 3.7工藝庫 3.8總結 第4章IC制造工藝原理 4.1工藝模塊與流程 4.1.1LOCOS工藝模塊 4.1.2用于銅互連的大馬士革工藝 4.1.3CV測試短流程 4.1.4CMOS工藝 4.1.5BiCMOS工藝 4.2工藝結構加工制造排序 4.2.1單元加工的排序及規(guī)則 4.2.2CMOS結構工藝順序 4.2.3工藝流程的全展開 4.2.4工藝流程優(yōu)化 4.3工藝過程仿真 4.3.1仿真軟件簡介 4.3.2流程仿真實例 4.4正交實驗設計 4.5總結 第5章IC制造工藝設備 5.1IC制造設備總論 5.2IC制造設備 5.2.1熱處理 5.2.2LPCVD 5.2.3離子注入機 5.2.4等離子體加工設備 5.2.5光刻及輔助工藝裝備 5.2.6電學測試 5.3總結 第6章IC制造的實施與優(yōu)化 6.1IC制造的生產規(guī)劃和作業(yè)調度 6.1.1IC設備的產能匹配 6.1.2IC制造單流程作業(yè)調度 6.1.3IC制造多流程作業(yè)調度 6.1.4生產過程的狀態(tài)跟蹤 6.2成品率控制技術 6.2.1統(tǒng)計控制 6.2.2動態(tài)工藝條件技術 6.2.3工藝診斷分析 6.3總結 參考文獻 附錄多晶發(fā)射極NPN晶體管工藝仿真代碼