半導(dǎo)體器件原理與技術(shù)

第1篇 半導(dǎo)體物理及器件
第1章 半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)
1．1 半導(dǎo)體材料
1．2 半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)
1．3 半導(dǎo)體的缺陷
1．4 半導(dǎo)體的能帶
1．5 費(fèi)米能級(jí)
1．6 半導(dǎo)體的載流子濃度
1．7 半導(dǎo)體的載流子運(yùn)動(dòng)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第2章 二極管
2．1 二極管的基本結(jié)構(gòu)
2．2 pn結(jié)的形成及雜質(zhì)分布
2．3 平衡pn結(jié)
2．4 二極管的偏壓特性
2．5 二極管直流特性的影響因素
2．6 二極管的擊穿特性
2．7 二極管的開(kāi)關(guān)特性
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第3章 雙極型晶體管
3．1 雙極型晶體管概述
3．2 雙極型晶體管的基本結(jié)構(gòu)
3．3 雙極型晶體管的放大作用
3．4 雙極型晶體管的特性曲線
3．5 反向電流及擊穿電壓特性
3．6 基極電阻
3．7 雙極型晶體管的開(kāi)關(guān)特性
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第4章 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
4．1 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基本結(jié)構(gòu)、工作原理和分類
4．2 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓
4．3 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的直流特性
4．4 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的小信號(hào)參數(shù)和頻率特性
4．5 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的二級(jí)效應(yīng)
4．6 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開(kāi)關(guān)特性
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第5章 無(wú)源器件
5．1 概述
5．2 嵌入式無(wú)源器件
5．3 集成無(wú)源器件
5．4 集成電阻
5．5 集成式電容
5．6 集成式電感
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第6章 器件SPICE模型
6．1 SPICE器件模型概述
6．2 二極管SPICE模型
6．3 雙極型晶體管的SPICE模型
6．4 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管SPICE模型
6．5 無(wú)源器件SPICE模型
習(xí)題
參考文獻(xiàn)