半導體器件物理

目 錄

第1章 半導體特性\t1
1．1 半導體的晶體結構\t2
1．1．1 晶體的結構\t2
1．1．2 晶面與晶向\t3
1．2 半導體中的電子狀態(tài)\t4
1．2．1 能級與能帶\t4
1．2．2 本征半導體的導電機制\t7
1．3 雜質與缺陷\t8
1．3．1 雜質與雜質能級\t8
1．3．2 缺陷與缺陷能級\t11
實驗1 晶體缺陷的觀測\t12
1．4 熱平衡載流子\t13
1．4．1 費米能級與載流子濃度\t14
1．4．2 本征半導體的載流子濃度\t17
1．4．3 雜質半導體的載流子濃度\t18
1．5 非平衡載流子\t19
1．5．1 非平衡載流子的注入\t19
1．5．2 非平衡載流子的復合\t20
實驗2 高頻光電導衰減法測量硅中少子壽命\t21
1．5．3 復合機制\t24
1．6 載流子的運動\t25
1．6．1 載流子的漂移運動與遷移率\t26
1．6．2 載流子的擴散運動與愛因斯坦關系\t29
知識梳理與總結\t33
思考題與習題1\t35
第2章 PN結\t36
2．1 平衡PN結\t37
2．1．1 PN結的形成與雜質分布\t37
2．1．2 PN結的能帶圖\t38
2．1．3 PN結的接觸電勢差與載流子分布\t39
2．2 PN結的直流特性\t41
2．2．1 PN結的正向特性\t41
2．2．2 PN結的反向特性\t45
實驗3 PN結伏安特性與溫度效應\t46
2．2．3 影響PN結伏安特性的因素\t47
2．3 PN結電容\t49
2．3．1 PN結電容的成因及影響\t49
2．3．2 突變結的勢壘電容\t50
實驗4 PN結勢壘電容的測量\t53
2．3．3 擴散電容\t54
2．4 PN結的擊穿特性\t55
2．4．1 擊穿機理\t55
2．4．2 雪崩擊穿電壓\t57
2．4．3 影響雪崩擊穿電壓的因素\t58
2．5 PN結的開關特性\t60
2．5．1 PN結的開關作用\t60
2．5．2 PN結的反向恢復時間\t61
知識梳理與總結\t63
思考題與習題2\t63
第3章 雙極晶體管及其特性\t65
3．1 晶體管結構與工作原理\t66
3．1．1 晶體管的基本結構與雜質分布\t66
3．1．2 晶體管的電流傳輸\t68
3．1．3 晶體管的直流電流放大系數(shù)\t70
3．2 晶體管的直流特性\t75
3．2．1 晶體管的伏安特性曲線\t75
仿真實驗1 共發(fā)射極晶體管伏安特性仿真\t76
實驗5 半導體管特性圖示儀測試晶體管的特性曲線\t80
3．2．2 晶體管的反向電流\t81
3．2．3 晶體管的擊穿電壓\t82
仿真實驗2 BVCEO仿真\t83
實驗6 晶體管直流參數(shù)測量\t85
3．2．4 晶體管的穿通電壓\t87
3．3 晶體管的頻率特性\t87
3．3．1 晶體管頻率特性和高頻等效電路\t88
3．3．2 高頻時晶體管電流放大系數(shù)下降的原因\t89
3．3．3 晶體管的電流放大系數(shù)\t92
3．3．4 晶體管的極限頻率參數(shù)\t93
3．4 晶體管的功率特性\t96
3．4．1 大電流工作時產生的三個效應\t96
3．4．2 晶體管的最大耗散功率和熱阻\t100
3．4．3 功率晶體管的安全工作區(qū)\t101
3．5 晶體管的開關特性\t103
3．5．1 晶體管的開關作用\t103
3．5．2 開關晶體管的工作狀態(tài)\t103
3．5．3 晶體管的開關過程\t105
3．5．4 提高晶體管開關速度的途徑\t108
3．6 晶體管的版圖和工藝流程\t109
3．6．1 晶體管的圖形結構\t109
3．6．2 雙極晶體管的工藝流程\t111
知識梳理與總結\t113
思考題與習題3\t114
第4章 半導體的表面特性\t116
4．1 半導體表面與Si-SiO2系統(tǒng)\t117
4．1．1 理想的半導體表面\t117
4．1．2 Si-SiO2系統(tǒng)及其特性\t118
4．1．3 半導體制造工藝中對表面的處理――清洗與鈍化\t121
4．2 表面空間電荷區(qū)與表面勢\t122
4．2．1 表面空間電荷區(qū)\t122
4．2．2 表面勢?S\t125
4．3 MOS結構的閾值電壓\t127
4．3．1 理想MOS結構的閾值電壓\t127
4．3．2 實際MOS結構的閾值電壓\t129
4．3．3 MOS結構的應用――電荷耦合器件\t133
4．4 MOS結構的C-V特性\t136
4．4．1 集成化電容的選擇――MOS電容\t136
4．4．2 理想MOS電容的C-V特性\t136
4．4．3 實際MOS電容的C-V特性\t139
實驗7 MOS電容的測量\t141
4．5 金屬與半導體接觸\t143
4．5．1 金屬?半導體接觸\t143
4．5．2 肖特基勢壘與整流接觸\t144
4．5．3 歐姆接觸\t146
4．5．4 金屬?半導體接觸的應用――肖特基勢壘二極管（SBD）\t147
實驗8 SBD（肖特基）二極管伏安特性的測量\t148
知識梳理與總結\t149
思考題與習題4\t150
第5章 MOS型場效應晶體管\t151
5．1 MOS型晶體管的結構與分類\t152
5．1．1 MOS型晶體管的結構與工作原理\t152
5．1．2 MOS型晶體管的分類\t155
5．1．3 MOS型晶體管的基本特征\t156
5．1．4 集成MOS型晶體管與分立器件MOS型晶體管的異同\t157
5．2 MOS型晶體管的閾值電壓\t158
5．2．1 MOS型晶體管閾值電壓的定義\t158
5．2．2 理想情況下MOS型晶體管閾值電壓的表達式\t158
5．2．3 影響MOS型晶體管閾值電壓的各種因素\t159
仿真實驗3 MOS型晶體管閾值電壓仿真\t163
實驗9 MOS型晶體管閾值電壓VT的測量\t167
5．3 MOS型晶體管的輸出伏安特性與直流參數(shù)\t169
5．3．1 MOS型晶體管的輸出伏安特性\t169
5．3．2 MOS型晶體管的輸出伏安特性方程\t172
5．3．3 影響MOS型晶體管輸出伏安特性的一些因素\t175
仿真實驗4 MOS型晶體管輸出伏安特性曲線仿真\t176
實驗10 MOS型晶體管輸出伏安特性曲線的測量\t181
5．3．4 MOS型晶體管的直流參數(shù)\t182
5．3．5 MOS型晶體管的溫度特性與柵保護\t183
5．4 MOS型晶體管頻率特性與交流小信號參數(shù)\t185
5．4．1 MOS型晶體管的交流小信號等效電路\t185
5．4．2 MOS型晶體管的交流小信號參數(shù)\t186
5．4．3 MOS型晶體管的最高工作頻率fm\t187
5．4．4 MOS型晶體管開關\t189
5．5 MOS型晶體管版圖及其結構特征\t189
5．5．1 小尺寸集成MOS型晶體管的版圖（橫向結構）\t189
5．5．2 小尺寸集成MOS型晶體管的剖面結構（縱向結構）\t192
5．5．3 按比例縮小設計規(guī)則\t193
5．6 小尺寸集成MOS型晶體管的幾個效應\t195
5．6．1 短溝道效應\t196
5．6．2 窄溝道效應\t196
5．6．3 熱電子效應\t197
知識梳理與總結\t199
思考題與習題5\t199
第6章 其他常用半導體器件\t200
6．1 達林頓晶體管\t201
6．2 功率MOS型晶體管\t202
6．2．1 功率MOS型晶體管的種類\t203
6．2．2 功率MOS型晶體管的版圖結構與制造工藝\t204
6．3 絕緣柵雙極晶體管（IGBT）\t206
6．3．1 IGBT的結構與伏安特性\t206
6．3．2 IGBT的工作原理\t207
6．4 發(fā)光二極管（LED）\t209
6．4．1 LED發(fā)光原理\t210
6．4．2 LED的結構與種類\t210
6．4．3 LED的量子效率\t212
6．5 太陽能電池\t212
6．5．1 PN結的光生伏特效應\t213
6．5．2 太陽能電池的I-V特性和效率\t213
6．5．3 PERL太陽能電池\t214
6．5．4 非晶硅太陽能電池\t214
6．6 結型場效應晶體管（JFET）\t215
6．6．1 JFET的結構\t215
6．6．2 JFET的工作原理\t216
6．6．3 JFET的輸出特性\t217
6．7 晶閘管\t218
6．7．1 晶閘管的基本結構和特性\t218
6．7．2 晶閘管的工作原理\t219
6．7．3 雙向晶閘管\t221
知識梳理與總結\t222
思考題與習題6\t222
附錄A XJ4810型半導體管特性圖示儀面板功能\t223
附錄B 擴散結電容和勢壘寬度的計算曲線\t226
附錄C 硅擴散層表面雜質濃度與擴散層平均電導率的關系曲線\t228
參考文獻\t236