信號(hào)、電源完整性仿真設(shè)計(jì)與高速產(chǎn)品應(yīng)用實(shí)例

定　價(jià)：￥88.00

作　者：	毛忠宇等著
出版社：	電子工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：	EDA精品智匯館
標(biāo)　簽：	電子通信工業(yè)技術(shù)

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ISBN：	9787121331220	出版時(shí)間：	2018-01-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	400	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　目前市面上信號(hào)與電源完整性仿真書籍的內(nèi)容普遍偏于理論知識(shí)或分散的仿真樣例，給讀者的感覺往往是“只見樹木不見森林”。針對(duì)這種情況，本書基于一個(gè)已成功開發(fā)的高速數(shù)據(jù)加速卡產(chǎn)品，從產(chǎn)品的高度介紹所有的接口及關(guān)鍵信號(hào)在開發(fā)過程中信號(hào)、電源完整性仿真的詳細(xì)過程，對(duì)涉及的信號(hào)與電源完整性仿真方面的理論將會(huì)以圖文結(jié)合的方式展現(xiàn)，方便讀者理解。為了使讀者能系統(tǒng)地了解信號(hào)與電源完整性仿真知識(shí)，書中還加入了PCB制造、電容S參數(shù)測(cè)試夾具設(shè)計(jì)等方面的內(nèi)容，并免費(fèi)贈(zèng)送作者開發(fā)的高效軟件工具。本書編寫人員都具有10年以上的PCB設(shè)計(jì)、高速仿真經(jīng)驗(yàn)，他們根據(jù)多年的工程經(jīng)驗(yàn)把產(chǎn)品開發(fā)與仿真緊密結(jié)合在一起，使本書具有更強(qiáng)的實(shí)用性。本書適合PCB設(shè)計(jì)工程師、硬件工程師、在校學(xué)生、其他想從事信號(hào)與電源完整性仿真的電子人員閱讀，是提高自身價(jià)值及競(jìng)爭(zhēng)力的不可多得的參考材料。

作者簡(jiǎn)介

　　毛忠宇，EDA365論壇特邀版主。畢業(yè)于電子科技大學(xué)微電子科學(xué)與工程系。從事過時(shí)鐘及音樂類消費(fèi)型IC的開發(fā)與測(cè)試，曾在華為技術(shù)及海思半導(dǎo)體從事高速互連及IC封裝研發(fā)，期間見證及參與了華為高速互連設(shè)計(jì)、仿真的大發(fā)展過程。著有《IC封裝基礎(chǔ)與工程設(shè)計(jì)實(shí)例》及《華為研發(fā)14載-那些一起奮斗過的互連歲月》等書。

圖書目錄

第1章產(chǎn)品簡(jiǎn)介\t
1．1 產(chǎn)品實(shí)物圖\t
1．2 產(chǎn)品背景\t
1．3 產(chǎn)品性能與應(yīng)用場(chǎng)景\t
1．4 產(chǎn)品主要參數(shù)\t
1．5 主要器件參數(shù)\t
1．6 產(chǎn)品功能框圖\t
1．7 電源模塊\t
1．8 時(shí)鐘部分\t
1．9 DDR3模塊\t
1．10 散熱設(shè)計(jì)\t
1．11 產(chǎn)品結(jié)構(gòu)圖\t
1．12 產(chǎn)品其他參數(shù)\t
第2章 PCB材料\t
2．1 PCB的主要部件及分類\t
2．1．1 PCB的主要部件\t
2．1．2 PCB分類\t
2．2 基材介紹\t
2．3 高速板材選擇\t
第3章 PCB設(shè)計(jì)與制造\t
3．1 PCB設(shè)計(jì)要求\t
3．2 制板工藝要求\t
3．3 常用PCB光繪格式\t
3．4 拼板設(shè)計(jì)\t
3．5 基準(zhǔn)點(diǎn)設(shè)計(jì)\t
3．6 PCB加工流程簡(jiǎn)介\t
第4章信號(hào)完整性仿真基礎(chǔ)\t
4．1 信號(hào)完整性問題\t
4．2 信號(hào)完整性問題產(chǎn)生原因\t
4．3 傳輸線\t
4．3．1 常見的微帶線與帶狀線\t
4．3．2 傳輸線的基本特性\t
4．3．3 共模與差模\t
4．4 反射\t
4．5 串?dāng)_\t
4．6 仿真的必要性\t
4．7 仿真模型\t
4．7．1 IBIS模型\t
4．7．2 HSPICE模型\t
4．7．3 IBIS-AMI模型\t
4．7．4 S參數(shù)\t
4．8 常用信號(hào)、電源完整性仿真軟件介紹\t
第5章過孔仿真與設(shè)計(jì)\t
5．1 過孔介紹\t
5．2 過孔對(duì)高速信號(hào)的影響要素及分析\t
5．3 過孔優(yōu)化：3D_Via_Wizard過孔建模工具的使用\t
5．3．1 使用3D_Via_Wizard創(chuàng)建差分過孔模型\t
5．3．2 差分過孔仿真\t
5．4 產(chǎn)品單板高速差分信號(hào)過孔優(yōu)化仿真\t
5．5 背鉆工藝簡(jiǎn)介\t
第6章 Sigrity仿真文件導(dǎo)入與通用設(shè)置\t
6．1 PCB導(dǎo)入\t
6．1．1 ODB++文件輸出\t
6．1．2 PCB文件格式轉(zhuǎn)換\t
6．1．3 SPD文件導(dǎo)入\t
6．2 SPD文件設(shè)置\t
6．3 仿真分析與結(jié)果輸出\t
6．3．1 仿真掃描頻率設(shè)置\t
6．3．2 結(jié)果輸出與保存\t
第7章 QSFP+信號(hào)仿真\t
7．1 QSFP+簡(jiǎn)介\t
7．2 QSFP+規(guī)范\t
7．3 仿真網(wǎng)絡(luò)設(shè)置\t
7．4 QSFP+光模塊鏈路在ADS中的仿真\t
7．5 仿真結(jié)果分析\t
7．5．1 添加信號(hào)判斷標(biāo)準(zhǔn)\t
7．5．2 TX0與RX0差分信號(hào)回環(huán)仿真分析\t
7．6 PCB優(yōu)化設(shè)計(jì)比較與建議\t
7．6．1 焊盤隔層參考分析比較\t
7．6．2 高速差分不背鉆過孔分析比較\t
7．6．3 QSFP+布線通用要求\t
第8章 SATA信號(hào)仿真\t
8．1 SATA信號(hào)簡(jiǎn)介\t
8．2 SATA信號(hào)規(guī)范\t
8．3 仿真網(wǎng)絡(luò)設(shè)置\t
8．4 SATA信號(hào)鏈路在SystemSI中的仿真\t
8．4．1 建立SystemSI仿真工程\t
8．4．2 創(chuàng)建仿真鏈路\t
8．4．3 添加仿真模型\t
8．4．4 設(shè)置鏈接屬性\t
8．4．5 設(shè)置仿真參數(shù)\t
8．4．6 仿真分析\t
8．5 結(jié)果分析與建議\t
第9章 DDRx仿真\t
9．1 DDRx簡(jiǎn)介\t
9．2 項(xiàng)目介紹\t
9．3 DDR3前仿真\t
9．4 DDR3后仿真\t
9．4．1 仿真模型編輯\t
9．4．2 PCB的導(dǎo)入過程\t
9．4．3 仿真軟件通用設(shè)置\t
9．4．4 DDR3寫操作\t
9．4．5 DDR3讀操作\t
9．4．6 仿真結(jié)果分析\t
9．5 DDR3同步開關(guān)噪聲仿真\t
9．6 時(shí)序計(jì)算與仿真\t
9．7 DDR4信號(hào)介紹\t
第10章 PCIe信號(hào)仿真\t
10．1 PCIe簡(jiǎn)介\t
10．2 PCIe規(guī)范\t
10．3 仿真參數(shù)設(shè)置\t
10．3．1 調(diào)用仿真文件\t
10．3．2 定義PCIe差分信號(hào)\t
10．3．3 設(shè)置PCIe網(wǎng)絡(luò)端口\t
10．3．4 仿真分析\t
10．3．5 S參數(shù)結(jié)果與輸出\t
10．4 PCIe鏈路在ADS中的仿真\t
10．4．1 建立ADS仿真工程\t
10．4．2 ADS中導(dǎo)入S參數(shù)文件\t
10．4．3 ADS頻域仿真\t
10．4．4 ADS時(shí)域仿真\t
10．4．5 通道的回環(huán)仿真\t
10．5 PCIe通用設(shè)計(jì)要求\t
第11章電源完整性仿真\t
11．1　電源完整性\t
11．2　電源完整性仿真介紹\t
11．3　產(chǎn)品單板電源設(shè)計(jì)\t
11．4　產(chǎn)品單板AC仿真分析實(shí)例\t
11．4．1　PCB的AC仿真設(shè)置與分析\t
11．4．2　仿真結(jié)果分析\t
11．5　產(chǎn)品單板DC仿真分析實(shí)例\t
11．5．1　PCB的DC仿真設(shè)置與分析\t
11．5．2　DC仿真結(jié)果分析\t
11．6　PCB電源完整性設(shè)計(jì)關(guān)鍵點(diǎn)\t
第12章電容概要\t
12．1 電容主要功能\t
12．2 電容分類\t
12．3 電容多維度比較\t
12．4 電容參數(shù)\t
12．5 電容等效模型\t
12．6 FANOUT\t
12．7 產(chǎn)品電容的擺放與FANOUT\t
12．8 SIP封裝電容\t
12．9 電容在設(shè)計(jì)中的選擇與注意事項(xiàng)\t
第13章電容建模與測(cè)試\t
13．1 電容S參數(shù)模型測(cè)試夾具設(shè)計(jì)\t
13．2 電容S參數(shù)RLC擬合
13．3 電容S參數(shù)模型測(cè)試方式\t
13．4 電容S參數(shù)模型\t
13．5 電容RLC擬合提取過程\t
13．6 電容庫調(diào)用時(shí)的連接方式設(shè)定\t
13．7 常用電容等效R、L、C值及諧振表\t
第14章 PI仿真平臺(tái)電容模型高效處理\t
14．1 背景\t
14．2 處理ODB++文件小軟件工具使用\t
14．3 Sigrity調(diào)入處理過的ODB++文件\t
14．4 BOM處理技巧\t
14．5 License免費(fèi)授權(quán)