半導體照明技術(shù)（第二版）

第1章光視覺顏色
11光
111光的本質(zhì)
112光的產(chǎn)生和傳播
113人眼的光譜靈敏度
114光度學及其測量
12視覺
121作為光學系統(tǒng)的人眼
122視覺的特征與功能
13顏色
131顏色的性質(zhì)
132國際照明委員會色度學系統(tǒng)
133色度學及其測量
第2章光源
21自然光源
211太陽
212月亮和行星
22人工光源
221人工光源的發(fā)明與發(fā)展
222白熾燈
223鹵鎢燈
224熒光燈
225低壓鈉燈
226高壓放電燈
227無電極放電燈
228發(fā)光二極管
229照明的經(jīng)濟核算
第3章半導體發(fā)光材料晶體導論
31晶體結(jié)構(gòu)
311空間點陣
312晶面與晶向
313閃鋅礦結(jié)構(gòu)、金剛石結(jié)構(gòu)和纖鋅礦結(jié)構(gòu)
314缺陷及其對發(fā)光的影響
32能帶結(jié)構(gòu)
33半導體晶體材料的電學性質(zhì)
331費米能級和載流子
332載流子的漂移和遷移率
333電阻率和載流子濃度
334壽命
34半導體發(fā)光材料的條件
341帶隙寬度合適
342可獲得電導率高的p型和n型晶體
343可獲得完整性好的優(yōu)質(zhì)晶體
344發(fā)光復合概率大
第4章半導體的激發(fā)與發(fā)光
41pn結(jié)及其特性
411理想的pn結(jié)
412實際的pn結(jié)
42注入載流子的復合
421復合的種類
422輻射型復合
423非輻射型復合
43輻射與非輻射復合之間的競爭
44異質(zhì)結(jié)構(gòu)和量子阱
441異質(zhì)結(jié)構(gòu)
442量子阱
第5章半導體發(fā)光材料體系
51砷化鎵
52磷化鎵
53磷砷化鎵
531GaAs060P040/GaAs
532晶體中的雜質(zhì)和缺陷對發(fā)光效率的影響
54鎵鋁砷
55鋁鎵銦磷
56銦鎵氮
第6章半導體照明光源的發(fā)展和特征參量
61發(fā)光二極管的發(fā)展
62發(fā)光二極管材料生長方法
63高亮度發(fā)光二極管芯片結(jié)構(gòu)
631單量子阱（SQW）結(jié)構(gòu)
632多量子阱（MQW）結(jié)構(gòu)
633分布布拉格反射（DBR）結(jié)構(gòu)
634透明襯底技術(shù)（Transparent Substrate，TS）
635鏡面襯底（Mirror Substrate，MS）
636透明膠質(zhì)黏結(jié)型
637表面紋理結(jié)構(gòu)
64照明用LED的特征參數(shù)和要求
641光通量
642發(fā)光效率
643顯色指數(shù)
644色溫
645壽命
646穩(wěn)定性
647熱阻
648抗靜電性能
第7章磷砷化鎵、磷化鎵、鎵鋁砷材料生長
71磷砷化鎵氫化物氣相外延生長（HVPE）
72氫化物外延體系的熱力學分析
73液相外延原理
74磷化鎵的液相外延
741磷化鎵綠色發(fā)光材料外延生長
742磷化鎵紅色發(fā)光材料外延生長
75鎵鋁砷的液相外延
第8章鋁鎵銦磷發(fā)光二極管
81AlGaInP金屬有機物化學氣相沉積通論
811源材料
812生長條件
813器件生長
82外延材料的規(guī)模生產(chǎn)問題
821反應(yīng)器問題:輸送和排空處理
822均勻性的重要性
823源的質(zhì)量問題
824顏色控制問題
825生產(chǎn)損耗問題
83電流擴展
831歐姆接觸的改進
832p型襯底上生長
833電流擴展窗層
834氧化銦錫（ITO）
84電流阻擋結(jié)構(gòu)
85光的取出
851上窗設(shè)計
852襯底吸收
853分布布拉格反射LED
854GaP晶片黏結(jié)透明襯底LED
855膠質(zhì)黏著（藍寶石晶片黏結(jié)）
856紋理表面結(jié)構(gòu)
86芯片制造技術(shù)
87器件特性
第9章銦鎵氮發(fā)光二極管
91GaN生長
911未摻雜GaN
912n型GaN
913p型GaN
914GaN pn結(jié)LED
92InGaN生長
921未摻InGaN
922摻雜InGaN
93InGaN LED
931InGaN/GaN雙異質(zhì)結(jié)LED
932InGaN/AlGaN雙異質(zhì)結(jié)LED
933InGaN單量子阱（SQW）結(jié)構(gòu)LED
934高亮度綠色和藍色LED
935InGaN多量子阱（MQW）結(jié)構(gòu)LED
936紫外LED
937AlGaN深紫外LED
938硅襯底GaN藍光LED
94提高質(zhì)量和降低成本的幾個重要技術(shù)問題
941襯底
942緩沖層
943激光剝離（LLO）
944氧化銦錫（ITO）
945表面紋理結(jié)構(gòu)
946圖形襯底技術(shù)（PSS）
947微矩陣發(fā)光二極管（MALED）
948光子晶體（Photonic Crystal，PC）LED
949金屬垂直光子LED（MVP LED）
第10章LED芯片制造技術(shù)
101光刻技術(shù)
102氮化硅生長
103擴散
104歐姆接觸電極
105ITO透明電極
106表面粗化
107光子晶體
108激光剝離（Laser Liftoff，LLO）
109倒裝芯片技術(shù)
1010垂直結(jié)構(gòu)芯片技術(shù)
1011芯片的切割
1012LED芯片結(jié)構(gòu)的發(fā)展
第11章白光發(fā)光二極管
111新世紀光源的研制目標
112人造白光的最佳化
1121發(fā)光效率和顯色性的折中
1122二基色體系
1123多基色體系
113熒光粉轉(zhuǎn)換白光LED
1131二基色熒光粉轉(zhuǎn)換白光LED
1132多基色熒光粉轉(zhuǎn)換白光LED
1133紫外LED激發(fā)多基色熒光粉
114多芯片白光LED
1141二基色多芯片白光LED
1142多基色多芯片白光LED
第12章LED封裝技術(shù)
121LED器件的設(shè)計
1211設(shè)計原則
1212電學設(shè)計
1213熱學設(shè)計
1214光學設(shè)計
1215視覺因素
122LED封裝技術(shù)
1221小功率LED封裝
1222SMD LED的封裝
1223芯片級封裝（CSP）
1224大電流LED的封裝
1225功率LED的封裝
1226功率LED組件
1227銦鎵氮類LED的防靜電措施
第13章發(fā)光二極管的測試
131發(fā)光器件的效率
1311發(fā)光效率
1312功率效率
1313量子效率
132電學參數(shù)
1321伏安特性
1322總電容
133光電特性參數(shù)——光電響應(yīng)特性
134光度學參數(shù)
1341法向光強I0的測定
1342發(fā)光強度角分布（半強度角和偏差角）
1343總光通量的測量
1344量值傳遞
135色度學參數(shù)
1351光譜分布曲線
1352光電積分法測量色度坐標
136熱學參數(shù)（結(jié)溫、熱阻）
137靜電耐受性
第14章發(fā)光二極管的可靠性
141LED可靠性概念
1411可靠性的含義
1412可靠度的定義
1413LED可靠性的相關(guān)概念
142LED的失效分析
1421芯片的退化
1422環(huán)氧系塑料的壽命分析
1423管芯的壽命分析
1424熒光粉的退化
143可靠性試驗
1431小功率LED環(huán)境試驗
1432功率LED環(huán)境試驗
144壽命試驗
1441磷化鎵發(fā)光器件的壽命試驗
1442功率LED（白光）長期工作壽命試驗
1443加速壽命試驗
145可靠性篩選
1451功率老化
1452高溫老化
1453濕度試驗
1454高低溫循環(huán)
1455其他項目的選用
146例行試驗和鑒定驗收試驗
1461例行試驗
1462鑒定驗收試驗
第15章有機發(fā)光二極管
151有機發(fā)光二極管材料
1511小分子有機物
1512高分子聚合物
1513鑭系金屬有機化合物
152有機發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)和原理
153OLED實現(xiàn)白光的途徑
1531波長轉(zhuǎn)換
1532顏色混合
154有機發(fā)光二極管的驅(qū)動
155有機發(fā)光二極管研發(fā)現(xiàn)狀
第16章半導體照明驅(qū)動和控制
161LED驅(qū)動技術(shù)
1611LED的電學性能特點
1612電源驅(qū)動方案
1613驅(qū)動電路基本方案
1614LED驅(qū)動器的特性
1615LED與驅(qū)動器的匹配
162LED驅(qū)動器
1621電容降壓式LED驅(qū)動器
1622電感式LED驅(qū)動器
1623電荷泵式LED驅(qū)動器
1624LED恒流驅(qū)動器
163LED集成驅(qū)動電路
1631電荷泵驅(qū)動LED的典型電路
1632開關(guān)式DC/DC變換器驅(qū)動LED的典型電路
1633限流開關(guān)TPS2014/TPS2015
1634六路串聯(lián)白光LED驅(qū)動電路MAX8790
1635集成肖特基二極管的恒流白光LED驅(qū)動器LT3591
1636低功耗高亮度LED驅(qū)動器LM3404
1637具有診斷功能的16通道LED驅(qū)動器AS1110
1638高壓線性恒流LED驅(qū)動電路
164控制技術(shù)
1641調(diào)光
1642調(diào)色
1643調(diào)色溫
1644智能照明
第17章半導體照明應(yīng)用
171半導體照明應(yīng)用產(chǎn)品開發(fā)原則
1711要從LED的優(yōu)點出發(fā)開發(fā)應(yīng)用產(chǎn)品
1712應(yīng)用產(chǎn)品市場啟動的判據(jù)——照明成本
1713應(yīng)用產(chǎn)品的技術(shù)關(guān)鍵是散熱
1714遵循功率由低到高、技術(shù)由易到難的原則
1715造型設(shè)計要創(chuàng)新
1716照明燈具通則
172LED顯示屏
1721總體發(fā)展規(guī)模
1722產(chǎn)品技術(shù)完善
1723新品繼續(xù)拓展
173交通信號燈
1731道路交通信號燈
1732鐵路信號燈
1733機場信號燈
1734航標燈
1735路障燈
1736航空障礙燈
174景觀照明
1741城市景觀照明的功能作用
1742光源選擇