高頻集成電路設(shè)計

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譯者序
前言
第1章引言
1.1無線通信、光纖與成像系統(tǒng)中的高頻電路
1.2高頻集成電路簡史
1.3展望未來
1.4高頻IC設(shè)計工程師
參考文獻
第2章高頻與高數(shù)據(jù)率通信系統(tǒng)
2.1無線與光纖通信系統(tǒng)
2.2射頻收發(fā)機
2.3調(diào)制技術(shù)
2.4接收機架構(gòu)
2.5發(fā)射機架構(gòu)
2.6接收機指標(biāo)
2.7發(fā)射機指標(biāo)
2.8鏈路預(yù)算
2.9相控陣
2.10其他系統(tǒng)應(yīng)用舉例
總結(jié)
習(xí)題
參考文獻
第3章高頻線性帶噪聲網(wǎng)絡(luò)分析
3.1二端口與多端口網(wǎng)絡(luò)參數(shù)
3.2噪聲
3.3二端口與多端口網(wǎng)絡(luò)噪聲
3.4負反饋電路中的噪聲
總結(jié)
習(xí)題
參考文獻
第4章高頻器件
4.1高頻有源器件
4.2納米尺度MOS晶體管
4.3異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管
4.4高電子遷移率晶體管
4.5高頻無源元件
總結(jié)
習(xí)題
參考文獻
第5章高頻集成電路分析技術(shù)
5.1模擬與高頻電路設(shè)計對比
5.2阻抗匹配
5.3調(diào)諧電路的結(jié)構(gòu)和分析技術(shù)
5.4帶寬最大化技術(shù)
5.5高頻差分電路的挑戰(zhàn)
5.6非線性技術(shù)
總結(jié)
習(xí)題
參考文獻
第6章調(diào)諧功率放大器設(shè)計
6.1調(diào)諧PA基本原理
6.2調(diào)諧PA的分類及相關(guān)的電壓波形
6.3PA的線性調(diào)制
6.4A類PA的設(shè)計方法
6.5PA中的非理想因素
6.6CMOS和SiGe HBT毫米波PA設(shè)計實例
6.7效率提升技術(shù)
6.8功率合并技術(shù)
總結(jié)
習(xí)題
參考文獻
第7章低噪聲調(diào)諧放大器
7.1LNA性能規(guī)格和評價因子
7.2調(diào)諧LNA的設(shè)計目標(biāo)
7.3低噪聲設(shè)計理念和原理
7.4電感退化結(jié)構(gòu)的LNA
7.5功率約束的 CMOS LNA設(shè)計
7.6低電流CMOS反相器LNA
7.7低壓LNA結(jié)構(gòu)
7.8其他LNA結(jié)構(gòu)
7.9差分LNA設(shè)計方法
7.10調(diào)諧LNA的工藝波動
7.11溫度波動對調(diào)諧LNA的影響
7.12LNA中的低噪聲偏置網(wǎng)絡(luò)
7.13LNA的MOSFET版圖
總結(jié)
習(xí)題
參考文獻
第8章寬帶低噪聲放大器和跨阻放大器
8.1低噪聲寬帶高速數(shù)字接收機
8.2跨阻放大器技術(shù)指標(biāo)
8.3跨阻放大器設(shè)計
8.4其他寬帶低噪聲放大器結(jié)構(gòu)
8.5直流失調(diào)補償和VGATIA結(jié)構(gòu)
總結(jié)
習(xí)題
參考文獻
第9章混頻器、開關(guān)、調(diào)制器及其他控制電路
9.1混頻器基礎(chǔ)
9.2混頻器指標(biāo)
9.3混頻器結(jié)構(gòu)
9.4下變頻器設(shè)計方法
9.5上變頻器設(shè)計方法
9.6毫米波Gilbert單元混頻器實例
9.7鏡像抑制及單邊帶混頻器結(jié)構(gòu)
9.8混頻器的仿真
9.9開關(guān)、移相器和調(diào)制器
9.10Gilbert單元的版圖
習(xí)題
參考文獻
第10章壓控振蕩器的設(shè)計
10.1VCO基本原理
10.2低噪聲VCO結(jié)構(gòu)
10.3VCO仿真技術(shù)
10.4VCO設(shè)計方法
10.5CMOS VCO頻率按比例縮放和工藝移植
10.6VCO的版圖
10.7毫米波VCO設(shè)計實例
總結(jié)
習(xí)題
參考文獻
第11章高速數(shù)字邏輯
11.1高速邏輯系統(tǒng)
11.2高速數(shù)字邏輯系列
11.3感性峰化
11.4電感帶寬擴展
11.5實現(xiàn)最大數(shù)據(jù)率的設(shè)計方法學(xué)
11.6BiCMOS MOSHBT邏輯
11.7偽CML邏輯
11.8其他雙極型、MOSCML和BiCMOS CML以及ECL邏輯門
11.9分頻器
11.10CML/ECL邏輯門版圖技術(shù)
總結(jié)
習(xí)題
參考文獻
第12章采用波形控制的高速數(shù)字驅(qū)動器
12.1高速數(shù)字驅(qū)動的類型
12.2驅(qū)動器的指標(biāo)和FoM
12.3驅(qū)動器架構(gòu)與組成模塊
12.4輸出緩沖器
12.5前置驅(qū)動器
12.6工作在40Gb/s及以上的分布式輸出驅(qū)動器實例
12.7高速D/A轉(zhuǎn)換器
總結(jié)
習(xí)題
參考文獻
第13章SoC實例
13.1高頻SoC設(shè)計方法學(xué)
13.2應(yīng)用于毫米波射頻電路、雷達和圖像傳感器的收發(fā)機架構(gòu)、封裝和自測試
13.365GHz相控陣的SiGe BiCMOS與65nm CMOS實現(xiàn)對比
13.4SiGe 異質(zhì)結(jié)晶體管技術(shù)制造的77GHz、4通道汽車?yán)走_收發(fā)機
13.5采用SiGeHBT工藝的70~80GHz有源成像器
13.6采用SiGe BiCMOS工藝，帶片上天線的150~168GHz有源成像收發(fā)機
總結(jié)
習(xí)題
參考文獻