5G高頻系統(tǒng)關鍵技術及設計

定　價：￥89.00

作　者：	黃宇紅，劉盛綱，楊光，王大鵬，丁海煜著
出版社：	人民郵電出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787115492562	出版時間：	2018-10-01	包裝：	平裝
開本：	小16開	頁數(shù)：	199	字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　本書系統(tǒng)性地探討了5G高頻標準化、系統(tǒng)設計及產(chǎn)品實現(xiàn)中的關鍵問題，包括頻譜規(guī)劃與分配、傳播特性與建模、物理層關鍵技術和標準化設計、射頻指標定義及標準化、高頻組網(wǎng)、基站站型規(guī)劃及關鍵架構設計、關鍵器件研發(fā)及設計等多方面的內(nèi)容。本書涉及內(nèi)容系統(tǒng)、全面，對5G高頻產(chǎn)業(yè)構建中形成的許多研究成果、產(chǎn)業(yè)突破以及創(chuàng)新案例進行了詳細闡述，是業(yè)界現(xiàn)階段難得的一部既有學術水平，也有很強工程指導意義的著作。對于后續(xù)5G高頻段應用領域的研究、開發(fā)、創(chuàng)新提供了重要參考，可作為科學研究和工程應用領域重點參考的著作之一，也可作為高等院校相關專業(yè)的師生的教科書與參考書。

作者簡介

　　黃宇紅，女，中國移動通信有限公司研究院副院長、教授級高級工程師。先后負責了中國移動GSM900/1800雙頻網(wǎng)絡、GPRS、CMNet、IP專網(wǎng)、WLAN、3G、4G TD-LTE相關的技術研究、策略研究、規(guī)范制定和試驗測試等重大項目的技術工作以及LTE后續(xù)演進及5G的新技術研究和標準化工作?，F(xiàn)任國際組織NGMN董事會成員，并負責全球TD-LTE發(fā)展倡議（GTI）工作。榮獲省部級以上獎項20項，其中，2016年參與的“第四代移動通信系統(tǒng)（TD-LTE）關鍵技術與應用”項目獲得由***頒發(fā)的國家科學技術進步獎特等獎。入選2017年國家百千萬人才工程，被授予“有突出貢獻中青年專家”榮譽稱號。共申請專利136件，擁有授權專利88件。獲得2010年全國勞動模范稱號，享受***政府特殊津貼。劉盛綱，男，*****院士，電子物理學家，美國MIT電磁科學院院士。1955年畢業(yè)于南京工學院（現(xiàn)東南大學）無線電工程系并留校任教，1988年至2001年任電子科技大學校長。專著《相對論電子學》是國際上D一部系統(tǒng)論述相對論電子學理論的論著。在電磁慢波結構、電子回旋脈塞（ECRM）、自由電子激光、相對論電子學和相對論等離子體電子學等領域做了大量的原創(chuàng)性工作，為電子科學技術的發(fā)展作出了zhuo越的貢獻，并獲得陳嘉庚信息科學獎和國際K.J.Button獎。2016年9月27日，獲得國際紅外毫米波太赫茲學會的特別貢獻獎。楊光，男，博士，中國移動通信有限公司研究院產(chǎn)業(yè)與業(yè)務合作部總經(jīng)理、教授級高級工程師，國家科技重大專項三核心專家和評審專家，長期工作在移動通信領域，全程負責了第四代移動通信系統(tǒng)（TD-LTE）技術研究及產(chǎn)業(yè)構建工作，獲得國家科學技術進步獎特等獎，數(shù)次獲得省部級科學技術進步獎，先后牽頭承擔或參與國家重大專項5項，發(fā)表學術論文數(shù)十篇，學術專著2部，數(shù)十件國際發(fā)明專利授權。王大鵬，男，中國移動通信有限公司研究院主任研究員、高級工程師，主要從事2G/3G/4G/5G基站的射頻技術研究、射頻指標標準化和相關產(chǎn)品開發(fā)以及頻譜策略和系統(tǒng)兼容性研究工作，獲得中國通信標準化協(xié)會科學技術獎一等獎和三等獎各一次，獲得TD產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟優(yōu)秀論文一次，已授權發(fā)明專利19件，其中PCT專利2件。丁海煜，男，中國移動通信有限公司研究院無線與終端研究所所長、高級工程師。長期從事3G（TD-SCDMA）、4G（TD-LTE）、物聯(lián)網(wǎng)（NB-IoT）、5G等移動通信系統(tǒng)相關研究工作，主持國家寬帶無線移動通信科技重大專項“基于用戶體驗的端到端3G／LTE業(yè)務質量評測與分析系統(tǒng)研發(fā)”項目，是TD-SCDMA和TD-LTE新技術創(chuàng)新和規(guī)模試驗等重大項目的主要完成人之一，近年來獲得中國通信學會、中國通信標準化協(xié)會及中國移動通信集團公司頒發(fā)的獎項11余項。在移動通信網(wǎng)絡組網(wǎng)和規(guī)劃、移動通信新技術研究和測試等方面具有豐富的經(jīng)驗。申請專利56件，發(fā)表論文43篇。

圖書目錄

第 1章概述\t1
1．1 5G的場景與指標需求\t3
1．2 5G的高、中、低頻協(xié)同覆蓋需求\t4
1．3 5G高頻總體發(fā)展目標及重點研發(fā)方向\t6
第 2章 5G頻譜規(guī)劃與分配\t9
2．1 高頻的定義\t9
2．2 全球5G高頻規(guī)劃進展\t10
2．2．1 TDD成為高頻主流特征\t11
2．2．2 ITU WRC-19 1．13議題研究進展和時間規(guī)劃\t11
2．2．3 全球主要經(jīng)濟體高頻規(guī)劃現(xiàn)狀\t12
2．2．4 我國高頻頻譜研究進展\t13
2．2．5 高頻規(guī)劃和分配所需研究和準備工作\t14
2．3 總結與展望\t17
參考文獻\t17
第3章 5G高頻傳播特性分析與建模\t19
3．1 高頻信道模型的挑戰(zhàn)\t20
3．2 高頻信道建模方法及最新進展\t21
3．2．1 前期研究工作及標準化進展\t21
3．2．2 高頻信道建模的分類\t22
3．2．3 統(tǒng)計信道建模\t23
3．2．4 合信道建模\t42
3．3 總結與展望\t48
參考文獻\t49
第4章 5G高頻物理層關鍵技術和標準化設計\t51
4．1 高頻在移動通信應用中的挑戰(zhàn)及關鍵應對技術\t51
4．1．1 挑戰(zhàn)一：帶寬\t52
4．1．2 挑戰(zhàn)二：天線\t53
4．1．3 挑戰(zhàn)三：信道\t54
4．1．4 挑戰(zhàn)四：器件\t54
4．2 5G高頻物理層整體系統(tǒng)設計\t55
4．2．1 系統(tǒng)參數(shù)設計\t56
4．2．2 部分帶寬設計\t58
4．2．3 波束掃描接入設計\t59
4．2．4 波束管理設計\t64
4．2．5 參考信號設計\t69
4．3 總結與展望\t81
參考文獻\t82
第5章 5G高頻射頻指標定義及標準化\t83
5．1 5G高頻射頻指標面臨的挑戰(zhàn)\t83
5．2 5G高頻OTA射頻指標3GPP標準化概述\t84
5．3 5G高頻OTA指標的標準研究進展和預期\t86
5．3．1 OTA發(fā)射指標\t87
5．3．2 OTA接收指標\t92
5．4 總結與展望\t95
參考文獻\t96
第6章 5G高頻組網(wǎng)研究及標準化\t97
6．1 高頻組網(wǎng)挑戰(zhàn)\t97
6．2 5G高頻覆蓋能力分析\t102
6．3 5G高頻與中低頻協(xié)作組網(wǎng)\t109
6．3．1 不同協(xié)作方式的組網(wǎng)方案\t110
6．3．2 非完整鏈路的工作方式\t111
6．4 超密集組網(wǎng)與干擾抑制\t111
6．5 高頻自回傳技術\t112
6．6 5G高頻移動性優(yōu)化\t114
6．6．1 小區(qū)虛擬化\t114
6．6．2 C-U分離\t114
6．6．3 雙連接\t115
6．7 高頻組網(wǎng)關鍵技術研究及標準化進展\t116
6．8 總結與展望\t117
第7章 5G高頻基站規(guī)劃及關鍵架構設計\t119
7．1 5G高頻基站產(chǎn)品規(guī)劃和設計流程\t119
7．2 5G高頻基站應用場景及設備形態(tài)\t121
7．3 5G高頻系統(tǒng)仿真及整機指標設計\t122
7．3．1 面向5G高頻系統(tǒng)的系統(tǒng)級仿真評估方法演進\t122
7．3．2 系統(tǒng)級仿真基本概念及系統(tǒng)級仿真平臺的關鍵工作流程\t123
7．3．3 仿真任務及仿真參數(shù)配置\t125
7．3．4 仿真結果及分析\t129
7．3．5 仿真結論及對整機指標的初步建議\t137
7．4 關鍵架構設計之一：數(shù)?；旌霞軜嫹桨冈O計\t138
7．4．1 高頻架構方案的選擇\t138
7．4．2 天線陣列優(yōu)化方案\t140
7．4．3 高頻濾波器實現(xiàn)方案\t142
7．4．4 天面共用實現(xiàn)方案\t145
7．4．5 PA/LNA功能模塊集成方案\t147
7．4．6 幅相控制單元實現(xiàn)方案\t155
7．4．7 數(shù)字和模擬中頻\t161
7．4．8 本振系統(tǒng)實現(xiàn)方案\t164
7．4．9 校準方案\t169
7．4．10 高頻線性化技術\t171
7．4．11 高頻設備散熱\t173
7．5 關鍵架構設計之二：透鏡架構方案設計\t175
7．5．1 透鏡的種類優(yōu)選分析\t175
7．5．2 波束管理方案\t177
7．5．3 高頻大功率PA的實現(xiàn)挑戰(zhàn)\t179
7．6 總結與展望\t180
參考文獻\t181
第8章 5G高頻基站關鍵器件研發(fā)及設計\t183
8．1 高頻器件的種類\t183
8．2 高頻器件國內(nèi)外技術及產(chǎn)業(yè)情況\t184
8．2．1 傳統(tǒng)化合物技術及產(chǎn)業(yè)情況\t184
8．2．2 Si（硅）基技術及產(chǎn)業(yè)情況\t185
8．2．3 GaN技術及產(chǎn)業(yè)情況\t186
8．2．4 器件（芯片）封裝技術及產(chǎn)業(yè)情況\t188
8．2．5 異質異構集成技術及產(chǎn)業(yè)情況\t191
8．3 關鍵器件設計\t194
8．3．1 功率放大器（PA）的設計實現(xiàn)\t194
8．3．2 低噪聲放大器（LNA）的設計實現(xiàn)\t196
8．3．3 開關（SW）的設計實現(xiàn)\t197
8．3．4 天線的設計實現(xiàn)\t197
8．4 總結與展望\t199
參考文獻\t199