IGBT疲勞失效機(jī)理及其健康狀態(tài)監(jiān)測(cè)

定　價(jià)：￥59.00

作　者：	肖飛，劉賓禮，羅毅飛，黃永樂(lè) 著
出版社：	機(jī)械工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787111634072	出版時(shí)間：	2019-11-01	包裝：	平裝
開(kāi)本：	16開(kāi)	頁(yè)數(shù)：	240	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　《IGBT疲勞失效機(jī)理及其健康狀態(tài)監(jiān)測(cè)》通過(guò)詳細(xì)分析IGBT芯片與封裝疲勞失效機(jī)理，在研究失效特征量隨疲勞老化時(shí)間變化規(guī)律的基礎(chǔ)之上，通過(guò)將理論分析與解析描述相結(jié)合，建立了IGBT相關(guān)電氣特征量的健康狀態(tài)監(jiān)測(cè)方法，對(duì)處于不同壽命階段的IGBT器件健康狀態(tài)進(jìn)行有效評(píng)估?！禝GBT疲勞失效機(jī)理及其健康狀態(tài)監(jiān)測(cè)》可作為從事電力電子技術(shù)理論與工程的技術(shù)人員的參考書(shū)，也可作為電力電子與電力傳動(dòng)專業(yè)的本科生？碩士和博士研究生，以及從事電力電子器件方面研究的師生與研究人員的參考書(shū)。

作者簡(jiǎn)介

　　肖飛，專注于電力電子與電能變換領(lǐng)域基礎(chǔ)理論及應(yīng)用研究、關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)和重大裝備研制，主持和參與了國(guó)家973、國(guó)家自然科學(xué)基金、國(guó)防重大裝備研制等30余項(xiàng)重大科研項(xiàng)目，取得了一批具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的原創(chuàng)性成果。主持國(guó)家973項(xiàng)目“大功率全控型電力電子器件失效機(jī)理及盡限應(yīng)用”研究。針對(duì)綜合電力系統(tǒng)和電磁發(fā)射系統(tǒng)的需求，建立了大功率電力電子器件脈沖瞬態(tài)動(dòng)力學(xué)表征模型，揭示了器件嚴(yán)苛條件下的失效機(jī)理，開(kāi)創(chuàng)性地提出了一種基于熱平衡的電力電子器件盡限應(yīng)用設(shè)計(jì)方法，為艦船電能變換裝置的精準(zhǔn)可靠設(shè)計(jì)奠定了重要基礎(chǔ)。

圖書(shū)目錄

目錄
序
前言

第1章緒論
1.1 IGBT失效機(jī)理
1.1.1 IGBT缺陷失效
1.1.2 IGBT隨機(jī)失效
1.1.3 IGBT疲勞失效
1.2 IGBT健康狀態(tài)監(jiān)測(cè)方法
1.2.1 基于IGBT結(jié)溫的健康狀態(tài)監(jiān)測(cè)方法
1.2.2 基于IGBT導(dǎo)通電阻與熱阻的健康狀態(tài)監(jiān)測(cè)方法
1.2.3 基于IGBT壽命預(yù)測(cè)的健康狀態(tài)監(jiān)測(cè)方法
1.3 研究現(xiàn)狀小結(jié)
1.3.1 IGBT失效機(jī)理研究方面
1.3.2 IGBT健康狀態(tài)監(jiān)測(cè)方法研究方面
1.4 本書(shū)的主要內(nèi)容及章節(jié)安排
參考文獻(xiàn)

第2章 IGBT器件及其工作機(jī)理
2.1 IGBT基本結(jié)構(gòu)
2.2 IGBT制造工藝
2.3 IGBT工作機(jī)理
2.4 IGBT發(fā)展歷程
2.5 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)

第3章 IGBT失效模式及其失效機(jī)理
3.1 IGBT主要應(yīng)用對(duì)象及其工作特點(diǎn)
3.2 IGBT主要失效模式與失效機(jī)理
3.2.1 IGBT缺陷失效模式與機(jī)理分析
3.2.2 IGBT隨機(jī)失效模式與機(jī)理分析
3.2.3 IGBT疲勞失效模式與機(jī)理分析
3.3 疲勞失效實(shí)驗(yàn)方法
3.3.1 IGBT電熱應(yīng)力與功率循環(huán)疲勞老化
3.3.2 IGBT疲勞老化變異特征檢測(cè)與分析
3.3.3 IGBT疲勞老化特性綜合記錄處理
3.4 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)

第4章與芯片相關(guān)的疲勞失效機(jī)理
4.1 界面疲勞失效機(jī)理
4.1.1 柵極Al-SiO2界面
4.1.2 柵極Si-SiO2界面
4.1.3 發(fā)射極Al-Si界面
4.2 硅材料疲勞失效機(jī)理
4.3 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)

第5章與封裝相關(guān)的疲勞失效機(jī)理
5.1 Al金屬薄膜電遷移效應(yīng)分析
5.2 電化學(xué)腐蝕分析
5.3 Al金屬層表面重構(gòu)分析
5.3.1 表面重構(gòu)原因
5.3.2 表面重構(gòu)機(jī)理
5.4 芯片與襯底焊料層疲勞失效
5.4.1 焊料層疲勞失效微觀觀測(cè)分析方法
5.4.2 器件內(nèi)部各層溫度場(chǎng)實(shí)驗(yàn)測(cè)量
5.4.3 焊料層疲勞失效機(jī)理
5.5 鍵絲疲勞與翹起失效
5.5.1 鍵絲根部斷裂疲勞失效機(jī)理
5.5.2 鍵絲焊盤(pán)剝離疲勞失效
5.5.3 鍵絲與焊料層兩種主要失效模式之間的耦合關(guān)系分析
5.6 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)

第6章基于芯片疲勞失效機(jī)理的健康狀態(tài)監(jiān)測(cè)方法
6.1 基于閾值電壓的IGBT健康狀態(tài)監(jiān)測(cè)方法
6.1.1 IGBT閾值電壓疲勞變化規(guī)律建模與分析
6.1.2 IGBT閾值電壓健康狀態(tài)監(jiān)測(cè)方法
6.2 基于集電極漏電流的IGBT健康狀態(tài)監(jiān)測(cè)方法
6.2.1 IGBT集電極漏電流疲勞變化規(guī)律建模與分析
6.2.2 IGBT集電極漏電流健康狀態(tài)監(jiān)測(cè)方法
6.3 基于關(guān)斷時(shí)間的IGBT健康狀態(tài)監(jiān)測(cè)方法
6.3.1 IGBT關(guān)斷時(shí)間疲勞變化規(guī)律建模與分析
6.3.2 IGBT關(guān)斷時(shí)間健康狀態(tài)監(jiān)測(cè)方法
6.4 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)

第7章基于封裝疲勞失效機(jī)理的健康狀態(tài)監(jiān)測(cè)方法
7.1 基于熱阻的IGBT健康狀態(tài)監(jiān)測(cè)方法
7.1.1 焊料層空洞有限元建模及其對(duì)熱阻的影響
7.1.2 基于熱阻的IGBT健康狀態(tài)監(jiān)測(cè)方法
7.2 基于集射極飽和壓降的IGBT健康狀態(tài)監(jiān)測(cè)方法
7.2.1 IGBT集射極飽和壓降隨封裝疲勞的變化規(guī)律
7.2.2 基于集射極飽和壓降的IGBT健康狀態(tài)監(jiān)測(cè)方法
7.3 基于結(jié)溫的IGBT健康狀態(tài)監(jiān)測(cè)方法
7.3.1 基于IGBT關(guān)斷電壓變化率的結(jié)溫監(jiān)測(cè)方法
7.3.2 基于IGBT損耗與傳熱特征的結(jié)溫預(yù)測(cè)方法
7.3.3 基于結(jié)溫的IGBT失效判據(jù)與壽命預(yù)測(cè)方法
7.4 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)