碳化硅技術(shù)基本原理：生長、表征、器件和應(yīng)用

定　價：￥150.00

作　者：	（日）木本恒暢，（美）詹姆士 A. 庫珀
出版社：	機械工業(yè)出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787111586807	出版時間：	2018-05-01	包裝：
開本：	16開	頁數(shù)：	499	字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　本書是一本有關(guān)碳化硅材料、器件工藝、器件和應(yīng)用方面的書籍，其主題包括碳化硅的物理特性、晶體和外延生長、電學(xué)和光學(xué)性能的表征、擴展缺陷和點缺陷，器件工藝、功率整流器和開關(guān)器件的設(shè)計理念，單／雙極型器件的物理和特征、擊穿現(xiàn)象、高頻和高溫器件，以及碳化硅器件的系統(tǒng)應(yīng)用，涵蓋了基本概念和新發(fā)展現(xiàn)狀，并針對每個主題做深入的闡釋，包括基本的物理特性、新的理解、尚未解決的問題和未來的挑戰(zhàn)。

作者簡介

　　本書的作者ＴｓｕｎｅｎｏｂｕＫｉｍｏｔｏ是京都大學(xué)電子科學(xué)與工程系的一名教授，長期從事碳化硅材料、表征、器件工藝以及功率器件等方面的研究，是日本碳化硅界的領(lǐng)軍人物，在碳化硅的外延生長、光學(xué)和電學(xué)特性表征、缺陷電子學(xué)、離子注入、金屬－氧化物－半導(dǎo)體（ＭＯＳ）物理和高電壓器件等方面均有建樹。而另一位作者，美國普渡大學(xué)電氣與計算機工程學(xué)院的ＪａｍｅｓＡＣｏｏｐｅｒ則是一位半導(dǎo)體界的元老級人物，他在ＭＯＳ器件、ＩＣ及包括硅和碳化硅在內(nèi)的功率器件方面都有研究和建樹，特別是碳化硅基ＵＭＯＳＦＥＴ、肖特基二極管、ＵＭＯＳＦＥＴ、橫向ＤＭＯＳＦＥＴ、ＢＪＴ和ＩＧＢＴ等的開發(fā)做出了突出貢獻。

圖書目錄

譯者序
原書前言
原書作者簡介
第１章　導(dǎo)論１
?。?１　電子學(xué)的進展１
　１.２　碳化硅的特性和簡史３　
?。?２.１　早期歷史３
　?。?２.２?。樱椋镁w生長的革新４
　　１.２.３?。樱椋霉β势骷那熬昂驼故荆?
?。?３　本書提綱６　參考文獻７
第２章　碳化硅的物理性質(zhì)１０
第３章　碳化硅晶體生長３６
第４章　碳化硅外延生長７０
第５章　碳化硅的缺陷及表征技術(shù)１１７
第６章　碳化硅器件工藝１７7
第７章　單極型和雙極型功率二極管２６２
第８章　單極型功率開關(guān)器件２８6
第９章　雙極型功率開關(guān)器件３３６
　９.１　雙極結(jié)型晶體管（ＢＪＴ）３３６
　?。?１.１　內(nèi)部電流３３７
　　９.１.２　增益參數(shù)３３８
　?。?１.３　端電流３４０
　　９.１.４　電流－電壓關(guān)系３４１
　?。?１.５　集電區(qū)中的大電流效應(yīng)：飽和和準飽和３４３
　?。?１.６　基區(qū)中的大電流效應(yīng)：Ｒｉｔｔｎｅｒ效應(yīng)３４７
　?。?１.７　集電區(qū)的大電流效應(yīng)：二次擊穿和基區(qū)擴散效應(yīng)３５１
　　９.１.８　共發(fā)射極電流增益：溫度特性３５３
　?。?１.９　共發(fā)射極電流增益：復(fù)合效應(yīng)３５３
　　９.１.１０　阻斷電壓３５５
　９.２　絕緣柵雙極型晶體管（ＩＧＢＴ）３５６
　?。?２.１　電流－電壓關(guān)系３５７
　?。?２.２　阻斷電壓３６７
　　９.２.３　開關(guān)特性３６８
　?。?２.４　器件參數(shù)的溫度特性３７３
　９.３　晶閘管３７５
　?。?３.１　正向?qū)Ｊ剑常罚?
　?。?３.２　正向阻斷模式和觸發(fā)３８１
　?。?３.３　開通過程３８６
　?。?３.４　ｄＶ／ｄｔ觸發(fā)３８８
　?。?３.５　ｄＩ／ｄｔ的限制３８９
　?。?３.６　關(guān)斷過程３９０
　?。?３.７　反向阻斷模式３９７
　參考文獻３９７
第１０章　功率器件的優(yōu)化和比較３９８
第１１章　碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用４２５
第１２章　專用碳化硅器件及應(yīng)用４６６
附錄４９０
　附錄Ａ?。矗龋樱椋弥械牟煌耆s質(zhì)電離４９０
　參考文獻４９４
　附錄Ｂ　雙曲函數(shù)的性質(zhì)４９４
　附錄Ｃ　常見ＳｉＣ多型體主要物理性質(zhì)４９７
　?。?１　性質(zhì)４９７　
?。?２　主要物理性質(zhì)的溫度和／或摻雜特性４９８
　參考文獻４９９