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太陽電池光吸收層銅基薄膜的制備技術研究

太陽電池光吸收層銅基薄膜的制備技術研究

定 價:¥46.00

作 者: 王延來
出版社: 江蘇大學出版社
叢編項:
標 簽: 暫缺

ISBN: 9787568411004 出版時間: 2019-04-01 包裝: 平裝
開本: 32開 頁數(shù): 193 字數(shù):  

內容簡介

  能源危機及環(huán)境污染日益嚴重,開發(fā)清潔的綠色能源現(xiàn)已成為人類面臨的重大課題。太陽能取之不盡,用之不竭,是可再生的綠色能源之一。太陽能發(fā)電是國際公認的具發(fā)展?jié)摿Φ男履茉串a(chǎn)業(yè),各國都在全力發(fā)展太陽能光伏技術,將太陽能光電開發(fā)和利用作為一項可持續(xù)發(fā)展能源的重要戰(zhàn)略。中國太陽能資源很豐富,政府對光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展高度重視,但太陽能電池仍無法實現(xiàn)大規(guī)模的民用,其根本原因是光電轉化效率低和太陽能電池成本過高。銅基薄膜太陽能電池是以銅基化合物作為光吸收層的薄膜電池,包括CuInSe2、CuInS2、Cu(ln,Ga)Se2、Cu2ZnSnS4及銅基中間帶薄膜電池等,銅基薄膜材料為直接帶隙半導體材料,光吸收系數(shù)高達10(5)cm-1,只需要1-2μm厚的薄膜就可以吸收大部分太陽光,適合作為薄膜電池的光吸收層。銅基薄膜電池性能穩(wěn)定,抗輻射能力強,光電轉化效率可達20%以上。高效率的銅基薄膜電池是采用真空技術制備的,制備成本較高,因此限制了它的廣泛應用,所以研究和開發(fā)銅基薄膜的低成本制備技術是亟待解決的重要問題?!短栯姵毓馕諏鱼~基薄膜的制備技術研究》主要介紹了銅基薄膜的低成本制備技術,包括CuInSe2薄膜的電沉積制備技術,Cu(In,Ga)Se2、CuInS2、Cu2ZnSnS4以及Ti摻雜CuGaS2中間帶薄膜材料的涂覆制備技術,還介紹了CriInS2薄膜的固態(tài)源硫化法制備技術。書中包含了國內外學者及著者個人的研究工作,對從事銅基薄膜電池器件研制、生產(chǎn)和使用的專業(yè)人員有一定的參考價值。

作者簡介

  王延來,2008年畢業(yè)于北京科技大學,獲得工學博士學位,2009年至今任職于內蒙古大學物理科學與技術學院,副教授,碩士生導師,主要講授“半導體物理”“半導體器件物理”“材料科學基礎”等本科生課程及“物理電子學”碩士研究生課程。主要從事半導體材料、半導體器件及太陽能電池材料等方面的科學研究工作。近年來主持和參與了國家自然科學基金、省部級基金等項目10余項,在MATERIALS LETTERS、MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING等國際期刊上發(fā)表學術論文20余篇,獲得國家發(fā)明專利2項。

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