CMOS集成電路單粒子效應(yīng)的建模與加固

第一章 緒論
1．1 背景
1．1．1 抗輻照集成電路的應(yīng)用需求
1．1．2 輻射環(huán)境
1．1．3 電離輻射效應(yīng)
1．2 單粒子效應(yīng)的研究現(xiàn)狀
1．2．1 機(jī)理的研究
1．2．2 建模和模擬技術(shù)的研究
1．2．3 加固方法的研究
1．2．4 超深亞微米工藝下單粒子效應(yīng)的新特點(diǎn)
1．3 本章小節(jié)
第二章 基于PD SOI工藝的抗輻照SRAM設(shè)計(jì)
2．1 介紹
2．2 SOI器件的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
2．3 SOI SRAM設(shè)計(jì)
2．3．1 電路設(shè)計(jì)
2．3．2 版圖
2．3．3 模擬驗(yàn)證及特征化
2．4 抗輻照加固設(shè)計(jì)
2．4．1 SOI器件中的輻射損傷
2．4．2 抗輻照加固設(shè)計(jì)
2．5 SRAM的流片及測(cè)試
2．6 本章小結(jié)
第三章 基于商用體硅工藝的RHBD SRAM設(shè)計(jì)
3．1 典型6管SRAM單元的翻轉(zhuǎn)過(guò)程
3．2 加固存儲(chǔ)單元概述
3．2．1 加固存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)的基本原理
3．2．2 已有的加固存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)
3．3 LPRH存儲(chǔ)單元
3．3．1 電路結(jié)構(gòu)
3．3．2 正常操作
3．3．3 翻轉(zhuǎn)后的恢復(fù)
3．3．4 模擬和比較
3．4 DIcE存儲(chǔ)單元
3．4．1 電路設(shè)計(jì)
3．4．2 DICE單元的模擬
3．5 基于DIcE單元的sRAM加固設(shè)計(jì)
3．5．1 基于DICE單元SRAM中的SEU敏感環(huán)節(jié)
3．5．2 基于DIcE單元存儲(chǔ)器的再加固方法
3．5．3 加固效果的模擬分析
3．5．4 加固SRAM的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
3．6 本章小結(jié)
第四章 電荷共享及加固存儲(chǔ)單元中的多節(jié)點(diǎn)翻轉(zhuǎn)
4．1 介紹
4．2 模擬的流程和設(shè)置
4．3 電荷共享的模擬
4．4 加固單元中的MNu模擬
4．4．1 ROCK單元中的MNU
4．4．2 其他加固存儲(chǔ)單元中的MNU
4．5 電荷共享和MNU的加固方法
4．5．1 電荷共享加固方法
4．5．2 在ROCK單元中的應(yīng)用效果
4．6 本章小結(jié)
第五章 電荷共享與深阱摻雜的關(guān)系
5．1 模擬設(shè)置
5．2 模擬結(jié)果及分析
5．3 討論
5．3．1 對(duì)電荷產(chǎn)生的影響
5．3．2 對(duì)PMOS電荷共享的影響
5．3．3 對(duì)NMOS電荷共享的影響
5．4 本章小結(jié)
第六章 超深亞微米工藝下電路級(jí)SET脈沖的耦合注入
6．1 介紹
6．2 SET的基本概念
6．3 SET脈沖的建模
6．3．1 耦合的和獨(dú)立的SET脈沖建模方法
6．3．2 與電路響應(yīng)耦合的電荷收集
6．4 基于LUT的SET的耦合模型
6．4．1 瞬時(shí)電流和電壓的關(guān)系
6．4．2 IHI的建模
6．4．3 LUT的構(gòu)造
6．5 SPICE中的實(shí)現(xiàn)
6．5．1 在SPICE中加入二維LUT電流源器件
6．5．2 使用二維LUT電流源的SPICE模擬
6．6 本章小結(jié)
第七章 SET重匯聚及對(duì)SER評(píng)估的影響
7．1 sET軟錯(cuò)誤率分析的數(shù)學(xué)模型
7．1．1 基本定義和假設(shè)
7．1．2 輸入向量
7．1．3 原始錯(cuò)誤生成
7．1．4 邏輯屏蔽計(jì)算
7．1．5 電氣屏蔽計(jì)算
7．1．6 基于概率的鎖存窗口屏蔽計(jì)算
7．2 重匯聚發(fā)生概率統(tǒng)計(jì)
7．3 重匯聚與SER評(píng)估
7．3．1 對(duì)脈沖形狀的影響
7．3．2 SER的模擬評(píng)估方法
7．3．3 重匯聚帶來(lái)的SER計(jì)算誤差
7．4 本章小結(jié)
第八章 MMAT：基于混合隨機(jī)模擬的重匯聚分析方法
8．1 引 言
8．2 基于Verilog門級(jí)網(wǎng)表的邏輯級(jí)模擬方法
8．3 基于分段線性的單SET脈沖傳播的模擬方法
8．3．1 基本算法描述
8．3．2 模擬算法與HsPIcE的模擬結(jié)果比較
8．4 基于全精度SPICE模擬的重匯聚分析技術(shù)
8．5 MMAT軟錯(cuò)誤率分析工具實(shí)現(xiàn)
8．6 MMAT計(jì)算結(jié)果及分析
8．6．1 MMAT計(jì)算結(jié)果與全SPICE模擬的比較
8．6．2 MMAT計(jì)算結(jié)果與SERA比較
8．7 本章小結(jié)
第九章 SERAR：符號(hào)化的SET重匯聚分析方法
9．1 介紹
9．2 SET單脈沖傳播的符號(hào)化模型
9．3 SET重匯聚的符號(hào)化分析技術(shù)
9．3．1 2輸入邏輯門的重匯聚分析
9．3．2 N輸入邏輯門上的重匯聚分析
9．4 SERAR的實(shí)現(xiàn)
9．5 實(shí)驗(yàn)與比較
9．5．1 實(shí)驗(yàn)條件設(shè)置
9．5．2 軟錯(cuò)誤結(jié)果
9．5．3 時(shí)間空間代價(jià)及分析
9．6 本章小結(jié)
第十章 總結(jié)與展望
縮略語(yǔ)
參考文獻(xiàn)