腦機接口電路與系統(tǒng)

定　價：￥99.00

作　者：	[荷] 阿米爾·齊亞約（Amir.Zjajo）著，張旭袁芳姚兆林譯
出版社：	機械工業(yè)出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787111654445	出版時間：	2020-05-01	包裝：	精裝
開本：	16開	頁數(shù)：	160	字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　近年來由于腦科學與人工智能技術的迅猛發(fā)展，腦機接口技術得到了長足的進步和飛速的發(fā)展，已逐漸成為當前神經(jīng)工程領域中*活躍的研究方向之一，在生物醫(yī)學、神經(jīng)康復和智能機器人等領域具有重要的研究意義和巨大的應用潛力，應用領域也在逐漸擴大。本書從電路和系統(tǒng)層面，介紹了實現(xiàn)腦機接口集成電路的若干關鍵核心技術。在電路層面，作者介紹了具有電容反饋低噪聲放大器和電容衰減帶通濾波器的低功率神經(jīng)信號調(diào)節(jié)系統(tǒng)，以及幾種分別基于電壓域、電流域和時間域等方法實現(xiàn)的A/D轉(zhuǎn)換器，并從電路架構(gòu)層次評估了如何在噪聲、速度和功耗之間進行折衷。在系統(tǒng)層面，作者介紹了基于非線性能量算子尖峰探測和基于核函數(shù)的多類支持向量機分類的128通道可編程神經(jīng)尖峰信號分類器。另外，還提出了在神經(jīng)接口設計中應對工藝偏差的多變量優(yōu)化方法。

作者簡介

　　阿米爾.齊亞約（Amir.Zjajo）于2000年獲得英國倫敦帝國理工學院的碩士和DIC學位，并于2010年獲得荷蘭埃因霍溫理工大學的博士學位，專業(yè)為電子工程專業(yè)。2000年，他加入飛利浦研究實驗室，成為混合信號電路與系統(tǒng)組的研究人員。從2006年到2009年，他是恩智浦半導體公司研究部的高級研究科學家。2009年，他加入代爾夫特理工大學，擔任電路與系統(tǒng)組的教師。齊亞約博士已發(fā)表超過70多篇期刊和會議論文，擁有十項以上的授權(quán)或正在申請的美國專利。他是《低壓高分辨率A/D轉(zhuǎn)換器：設計、測試和校準》（斯普林格2011，中文翻譯2015）和《深亞微米CMOS中的隨機過程變化：電路和算法》（斯普林格2014）一書的作者。他是IEEE歐洲設計、自動化和測試會議、IEEE電路和系統(tǒng)國際研討會、IEEE VLSI國際研討會、IEEE納米電子和信息系統(tǒng)國際研討會和IEEE嵌入式計算機系統(tǒng)國際會議的技術項目委員會成員。他的研究方向包括節(jié)能的混合信號電路和系統(tǒng)、健康和移動應用及神經(jīng)形態(tài)電子電路設計、自主認知系統(tǒng)等。Zjajo博士曾獲得BIODEVICES 2015和DATE 2012會議的*佳論文獎。

圖書目錄

譯者序
作者簡介
縮略語表
物理量符號表

第1章引言
1.1腦機接口：電路與系統(tǒng)
1.2當前設計實踐的述評
1.3研究意義
1.4本書章節(jié)安排
參考文獻

第2章神經(jīng)信號調(diào)理電路
2.1概述
2.2高能效神經(jīng)信號調(diào)理電路
2.3運算放大器
2.4實驗結(jié)果
2.5結(jié)論
參考文獻

第3章神經(jīng)信號量化電路
3.1概述
3.2低功耗ADC結(jié)構(gòu)
3.3ADC構(gòu)建模塊
3.3.1 采樣保持電路
3.3.2 自舉開關電路
3.3.3 運算放大器電路
3.3.4 鎖存比較器電路
3.4電壓域SAR A/D轉(zhuǎn)換
3.5電流域SAR A/D轉(zhuǎn)換
3.6時域兩級A/D轉(zhuǎn)換
3.7實驗結(jié)果
3.8結(jié)論
參考文獻

第4章神經(jīng)信號分類電路
4.1概述
4.2神經(jīng)尖峰信號探測器
4.3神經(jīng)尖峰信號分類器
4.4實驗結(jié)果
4.5結(jié)論
參考文獻

第5章腦機接口:系統(tǒng)優(yōu)化
5.1概述
5.2電路參數(shù)的理論公式
5.2.1隨機工藝偏差
5.2.2神經(jīng)記錄接口的噪聲
5.3用于工藝偏差分析的隨機MNA
5.4用于噪聲分析的隨機MNA
5.5多通道神經(jīng)記錄界面的單位面積功耗優(yōu)化
5.5.1功耗優(yōu)化
5.5.2單位面積功耗優(yōu)化
5.6實驗結(jié)果
5.7結(jié)論
參考文獻

第6章結(jié)語
6.1 實驗結(jié)果總結(jié)
6.2 展望

附錄
A.1 功率-噪聲放大器折中
A.2 信號調(diào)理電路功率
A.3 信號量化電路功率
A.4 可編程增益SAR ADC的噪聲分析
B.1 MOS晶體管模型不確定性
B.2 電阻和電容模型不確定性
B.3 時域分析
B.4 參數(shù)提取
B.5 性能函數(shù)糾正
B.6 樣本大小的確定
B.7 頻域分析法
參考文獻