硅基鍺材料生長(zhǎng)與器件構(gòu)筑

第1章 緒論
1．1 研究背景和意義
1．2 Si基Ge外延生長(zhǎng)的研究進(jìn)展與存在的問(wèn)題
1．3 Si基Ge材料的器件應(yīng)用與存在的問(wèn)題
1．4 本書主要內(nèi)容
參考文獻(xiàn)
第2章 Si基Ge材料的外延生長(zhǎng)
2．1 材料生長(zhǎng)系統(tǒng)及表征方法
2．2 高質(zhì)量Si基Ge材料的制備
2．3 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第3章 Si基Ge材料的原位摻雜
3．1 Si基Ge原位摻雜B和P的理論模型
3．2 Si基Ge材料中B和P的原位摻雜
3．3 退火對(duì)原位P摻雜Ge材料的影響
3．4 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第4章 Ni與Si基n-Ge接觸的熱穩(wěn)定性與電學(xué)特性
4．1 Ni／n-Ge接觸的熱穩(wěn)定性
4．2 Ni／n-Ge接觸的電學(xué)特性
4．3 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第5章 Si基Ge PN結(jié)與PIN結(jié)構(gòu)
5．1 Si基Ge原位摻雜Ge PN結(jié)的制作
5．2 Si基Ge PN結(jié)的I-V特性和C-V特性
5．3 SOI基Ge PIN結(jié)構(gòu)的研制與EL譜
5．4 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
……
第6章 總結(jié)與展望