軍用電子元器件領(lǐng)域科技發(fā)展報(bào)告

定　價(jià)：￥68.00

作　者：	工業(yè)和信息化部電子第一研究所
出版社：	國(guó)防工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787118118889	出版時(shí)間：	2018-09-01	包裝：
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內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　軍用電子元器件在新軍事變革與武器裝備信息化、智能化發(fā)展中發(fā)揮著極為重要的作用，發(fā)達(dá)國(guó)家已將電子元器件視為重要戰(zhàn)略資源，積極推動(dòng)電子元器件技術(shù)特別是前沿技術(shù)的發(fā)展，以維持或加大武器裝備技術(shù)的“代差”優(yōu)勢(shì)，掌握未來(lái)戰(zhàn)爭(zhēng)主動(dòng)權(quán)。為幫助廣大讀者全面、深入地了解軍用電子元器件技術(shù)發(fā)展的新動(dòng)向，我們組織中國(guó)電子科技集團(tuán)公司電子科學(xué)研究院、第十一研究所、第十二研究所、第十三研究所、第十八研究所、第四十九研究所等專業(yè)研究所、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、中國(guó)船舶工業(yè)綜合技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院等有關(guān)單位研究人員，共同編撰了《軍用電子元器件領(lǐng)域科技發(fā)展報(bào)告》。《軍用電子元器件領(lǐng)域科技發(fā)展報(bào)告》由綜合動(dòng)向分析、重要專題分析、附錄三部分構(gòu)成。綜合動(dòng)向分析部分對(duì)2018年軍用微電子、光電子、真空電子、傳感器、電能源、抗輻照等重點(diǎn)領(lǐng)域器件與技術(shù)發(fā)展情況進(jìn)行了分析和歸納；重要專題分析部分從元器件領(lǐng)域選取18個(gè)重點(diǎn)和熱點(diǎn)問(wèn)題進(jìn)行了比較深入的分析和研究；附錄部分對(duì)2018年軍用電子元器件重點(diǎn)領(lǐng)域的重大或重要事件進(jìn)行了簡(jiǎn)述。

作者簡(jiǎn)介

暫缺《軍用電子元器件領(lǐng)域科技發(fā)展報(bào)告》作者簡(jiǎn)介

圖書目錄

綜合動(dòng)向分析
2018年軍用電子元器件領(lǐng)域科技發(fā)展綜述
2018年微電子器件發(fā)展綜述
2018年光電子器件發(fā)展綜述
2018年真空電子器件與技術(shù)發(fā)展綜述
2018年傳感器技術(shù)發(fā)展綜述
2018年電能源發(fā)展綜述
2018年抗輻射加固器件發(fā)展綜述
2018年微電子器件技術(shù)發(fā)展綜述
2018年光電子器件技術(shù)發(fā)展綜述
2018年電能源技術(shù)發(fā)展綜述
2018年抗輻射加固器件技術(shù)發(fā)展綜述
重要專題分析
美國(guó)“電子復(fù)興”計(jì)劃進(jìn)入新階段
歐盟“石墨烯旗艦”計(jì)劃進(jìn)展分析
國(guó)外憶阻器技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀與應(yīng)用展望
英特爾處理器芯片安全漏洞事件分析
美軍研制出三維微型數(shù)字射頻存儲(chǔ)器
美國(guó)開發(fā)出封閉式相變存儲(chǔ)器單元
美國(guó)制備出高性能二硫化鉬場(chǎng)效應(yīng)晶體管
德國(guó)開發(fā)出世界首個(gè)準(zhǔn)固態(tài)單原子晶體管
歐洲研制出全球首個(gè)全石墨烯光通信鏈路
美國(guó)研制出寬波段、高靈敏度、超快石墨烯光電探測(cè)器
美國(guó)利用65納米平面體硅CMOS工藝實(shí)現(xiàn)光電單片集成
美國(guó)實(shí)現(xiàn)砷化鎵基銦砷銻制備
日本推出單片硅基量子點(diǎn)激光器新技術(shù)
俄印制備出世界首個(gè)氧化鎵日盲紫外探測(cè)器
毫米波／太赫茲真空電子技術(shù)發(fā)展綜述
美國(guó)研制出同位素富集六方氮化硼制備技術(shù)
美國(guó)成功研發(fā)待機(jī)功耗趨零的聲音傳感器
以色列首次制備出類閃存結(jié)構(gòu)的可調(diào)諧硅光子器件
附錄
2018年軍用電子元器件領(lǐng)域科技發(fā)展大事記