晶體生長微觀機(jī)理及晶體生長邊界層模型

目錄
序言一
序言二
前言
第1章 晶體生長理論模型的歷史回顧 1
1.1 晶體生長的幾個(gè)界面理論模型 1
1.1.1 光滑界面理論模型 1
1.1.2 非完整光滑界面理論模型 2
1.1.3 粗糙界面理論模型 3
1.1.4 多層界面模型（擴(kuò)展界面模型）4
1.2 SE理論模型與BFDH理論模型 5
1.2.1 SE理論模型 5
1.2.2 BFDH理論模型 6
1.3 周期鍵鏈理論模型 7
1.4 負(fù)離子配位多面體生長基元模型 8
參考文獻(xiàn) 9
第2章 拉曼光譜的基本原理和應(yīng)用 11
2.1 拉曼散射的基本理論 11
2.1.1 拉曼散射現(xiàn)象和本質(zhì) 11
2.1.2 拉曼散射的電磁輻射理論 12
2.1.3 晶體的拉曼散射 14
2.2 拉曼光譜解析及應(yīng)用 18
2.2.1 晶格振動模式與拉曼光譜 18
2.2.2 拉曼光譜中的峰位指認(rèn) 18
2.2.3 拉曼光譜的應(yīng)用 20
參考文獻(xiàn) 25
第3章 熔融法晶體生長微觀機(jī)理的拉曼光譜研究 26
3.1 高溫共聚焦拉曼光譜儀 26
3.1.1 共焦顯微拉曼光譜技術(shù) 27
3.1.2 激發(fā)光源 28
3.1.3 累積時(shí)間分辨技術(shù) 28
3.1.4 增強(qiáng)型電荷耦合探測器件 29
3.2 微型晶體生長爐 30
3.3 同成分晶體生長機(jī)理的高溫激光顯微拉曼光譜研究 32
3.3.1 Bi12SiO20晶體生長機(jī)理的高溫激光顯微拉曼光譜研究 32
3.3.2 Bi4Ge3O12晶體生長機(jī)理的高溫激光顯微拉曼光譜研究 34
3.3.3 KNbO3晶體生長機(jī)理的高溫激光顯微拉曼光譜研究 38
3.3.4 KTaxNb（1-x）O3晶體生長機(jī)理的高溫激光顯微拉曼光譜研究 43
3.3.5 α-BiB3O6晶體生長邊界層的高溫激光顯微拉曼光譜研究 45
3.3.6 α-BaB2O4晶體熔體法生長機(jī)理的高溫激光顯微拉曼光譜研究 46
3.4 助溶劑晶體生長邊界層的高溫激光顯微拉曼光譜的研究 52
3.4.1 KGd（WO4）2晶體生長邊界層的高溫激光顯微拉曼光譜研究 52
3.4.2 LiB3O5晶體自助溶生長邊界層的高溫激光顯微拉曼光譜研究 57
3.4.3 LBO晶體MoO3助溶劑生長機(jī)理的高溫激光顯微拉曼光譜研究 62
3.4.4 Li2O-B2O3-MoO3冷凝體的固體核磁共振光譜 65
3.4.5 Na2O助溶劑β-BaB2O4晶體生長邊界層研究 72
參考文獻(xiàn) 73
第4章 同步輻射技術(shù)在晶體生長微觀機(jī)制研究中的應(yīng)用 79
4.1 同步輻射X射線技術(shù)特點(diǎn) 79
4.2 同步輻射X射線在晶體生長微觀機(jī)理研究中的應(yīng)用 81
4.2.1 同步輻射X表面射線衍射原位測量技術(shù) 81
4.2.2 用于同步輻射SXRD技術(shù)原位觀測的微型晶體生長爐 81
4.3 CsB3O5晶體表面熔化膜結(jié)構(gòu)的SXRD技術(shù)的原位研究 82
4.3.1 CBO晶體簡介 82
4.3.2 CBO晶體表面熔化膜同步輻射X射線掠入射實(shí)驗(yàn) 83
4.3.3 CBO晶體表面熔化膜同步輻射X射線的衍射光譜 84
4.3.4 CBO晶體（011）面表面熔化膜的衍射光譜的分析和結(jié)論 87
4.4 其他同步輻射X射線研究晶體生長邊界層微觀結(jié)構(gòu)的技術(shù) 88
4.4.1 同步輻射X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)譜技術(shù)研究晶體生長微觀結(jié)構(gòu)演化 89
4.4.2 NaBi（WO4）2晶體的同步輻射XAFS譜的研究 91
4.5 其他同步輻射微束X射線技術(shù)原位測量應(yīng)用的探討 94
4.5.1 同步輻射微束X射線透過式衍射技術(shù)應(yīng)用的探討 94
4.5.2 同步輻射微束X射線小角散射技術(shù)應(yīng)用的探討 95
參考文獻(xiàn) 95
第5章 生長界面靜電場對生長基元形成和取向的影響 98
5.1 晶體生長界面對生長基元取向性和有序度的影響的實(shí)驗(yàn)依據(jù) 98
5.1.1 點(diǎn)電荷的靜電場 98
5.1.2 界面晶面靜電場分布的計(jì)算 98
5.1.3 界面晶面靜電場分布計(jì)算的結(jié)果 103
5.1.4 界面晶面靜電場分布對邊界層內(nèi)生長基元的作用和影響 105
5.2 晶面電荷的電勢場 106
5.2.1 點(diǎn)電荷的電勢場 106
5.2.2 晶面電勢場的數(shù)值計(jì)算 107
5.2.3 晶面電勢場的數(shù)值計(jì)算的結(jié)果 109
5.3 量子力學(xué)方法的電場的計(jì)算 110
5.4 本章小結(jié) 111
第6章 熔融法晶體生長邊界層模型 112
6.1 熔融法晶體生長邊界層模型創(chuàng)建的依據(jù) 112
6.2 熔融法晶體生長邊界層模型內(nèi)容 113
6.3 熔融法晶體生長邊界層模型的特點(diǎn) 114
第7章 宏觀晶體生長規(guī)律的微觀機(jī)制 115
7.1 位錯的形成和位錯線垂直晶體生長界面的微觀機(jī)制 115
7.1.1 晶格畸變及晶胞應(yīng)力產(chǎn)生的微觀機(jī)制 115
7.1.2 晶體位錯和位錯線形成的微觀機(jī)制 116
7.1.3 螺旋位錯產(chǎn)生的微觀機(jī)制 117
7.1.4 摻雜晶體中的位錯產(chǎn)生的微觀機(jī)制 117
7.1.5 影響位錯形成的其他因素及改善方法 118
7.2 晶體應(yīng)力開裂的微觀機(jī)制 118
7.2.1 晶體開裂宏觀規(guī)律的研究 119
7.2.2 晶體開裂的微觀機(jī)制 120
7.2.3 幾種開裂現(xiàn)象的微觀機(jī)制分析 122
7.3 晶體生長速率和轉(zhuǎn)速等生長參數(shù)對晶體質(zhì)量影響的微觀機(jī)制 126
7.3.1 晶體生長速率對晶體質(zhì)量影響的微觀機(jī)制 126
7.3.2 晶體生長轉(zhuǎn)速對晶體質(zhì)量影響的微觀機(jī)制 127
7.4 分凝效應(yīng)的微觀機(jī)制 129
7.4.1 分凝效應(yīng)的宏觀規(guī)律 130
7.4.2 分凝現(xiàn)象的微觀機(jī)制 130
7.4.3 生長速率和平衡分凝系數(shù)的關(guān)系 131
7.5 組分過冷的微觀機(jī)制 133
7.5.1 組分過冷現(xiàn)象的宏觀論述和分析 133
7.5.2 組分過冷形成的晶體生長邊界層模型機(jī)制 136
7.6 多晶形成的微觀機(jī)制 139
7.7 晶體生長習(xí)性的微觀機(jī)制 140
7.7.1 晶體生長習(xí)性和相關(guān)晶體生長習(xí)性的研究 140
7.7.2 KGW晶體生長基元的演變及生長習(xí)性預(yù)測 142
7.7.3 LBO晶體生長習(xí)性研究 144
7.7.4 CBO晶體生長習(xí)性研究 146
7.7.5α-aB2O4晶體生長習(xí)性研究 146
7.7.6 BaBPO5晶體生長習(xí)性研究 148
7.7.7 Bi4Ge3O12晶體生長習(xí)性研究 149
參考文獻(xiàn) 150
第8章 助溶劑助溶作用微觀機(jī)理初步研究 152
8.1 助溶劑作用的微觀機(jī)制探討 152
8.2 LBO晶體自助溶生長和MoO3助溶生長結(jié)構(gòu)基元的分析 152
8.2.1 LBO晶體兩種助溶生長的高溫溶液的拉曼光譜分析 153
8.2.2 把大基團(tuán)裂解成較小的基團(tuán)是優(yōu)良的助溶劑作用機(jī)制 153
8.2.3 MoO3助溶劑作用機(jī)理 153
8.3 微觀作用機(jī)理推測的一些實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證 156
參考文獻(xiàn) 157
晶體生長邊界層模型應(yīng)用的展望 159
后記 160
彩圖