石墨烯基礎(chǔ)及氫氣刻蝕

1 緒論
參考文獻(xiàn)
2 石墨烯的晶體結(jié)構(gòu)和電子結(jié)構(gòu)
2．1 石墨烯的晶體結(jié)構(gòu)
2．2 石墨烯的電子結(jié)構(gòu)
2．2．1 單層石墨烯的電子結(jié)構(gòu)
2．2．2 石墨烯中無質(zhì)量的狄拉克費(fèi)米子
2．2．3 雙層石墨烯的電子結(jié)構(gòu)
2．2．4 多層石墨烯的電子結(jié)構(gòu)
參考文獻(xiàn)
3 石墨烯的性質(zhì)及應(yīng)用
3．1 石墨烯能帶隙的打開
3．2 石墨烯基微電子器件和納米電子器件
3．2．1 石墨烯電路中的晶體管數(shù)量
3．2．2 數(shù)字邏輯門
3．2．3 數(shù)字非易失性存儲(chǔ)器
3．3 高頻電子器件
3．3．1 模擬電壓放大器
3．3．2 石墨烯環(huán)振蕩器
3．4 基于分層材料的器件
3．5 新型的垂直型／平面型晶體管和器件
3．5．1 垂直隧道晶體管和垂直熱電子晶體管
3．5．2 2d異質(zhì)結(jié)構(gòu)的面內(nèi)傳輸
3．6 電子發(fā)射
3．7 石墨烯飽和吸收劑和相關(guān)設(shè)備
3．8 石墨烯相關(guān)應(yīng)用舉例
3．8．1 透明電極
3．8．2 納米電子器件
3．8．3 儲(chǔ)能應(yīng)用
3．8．4 傳感器方面的應(yīng)用
3．8．5 復(fù)合材料方面的應(yīng)用
參考文獻(xiàn)
4 石墨烯的制備、表征及轉(zhuǎn)移
4．1 干法剝離
4．1．1 用于研究目的的機(jī)械剝離
4．1．2 陽(yáng)極鍵合
4．1．3 激光燒蝕和光剝離
4．2 液相剝離
4．2．1 石墨的液相剝離
4．2．2 氧化石墨的液相剝離
4．2．3 插層石墨的液相剝離
4．3 SiC熱蒸發(fā)法
4．4 化學(xué)氣相沉積（CVD）
4．4．1 金屬襯底上熱CVD法制備石墨烯
4．4．2 絕緣襯底上熱CVD法制備石墨烯
4．4．3 CVD法制備大尺寸石墨烯晶疇
4．5 其他制備方法
4．5．1 過渡金屬表面析出法
4．5．2 碳納米管解理法
4．6 石墨烯的表征技術(shù)
4．6．1 光學(xué)顯微鏡
4．6．2 原子力顯微鏡
4．6．3 掃描電子顯微鏡
4．6．4 透射電子顯微鏡
4．6．5 拉曼光譜
4．7 石墨烯的轉(zhuǎn)移技術(shù)
參考文獻(xiàn)
……
5 CVD法在單晶Mo膜襯底上制備高質(zhì)量石墨烯薄膜
6 CVD法在拋光Cu襯底上制備高質(zhì)量石墨烯薄膜
7 CVD法制備的石墨烯晶疇的H2刻蝕現(xiàn)象研究
8 CVD石墨烯晶疇的邊緣刻蝕現(xiàn)象研究