手印顯現(xiàn)技術(shù)前沿

1 緒論
1．1 手印簡(jiǎn)介
1．1．1 手紋與手印
1．1．2 手印的鑒定
1．1．3 手紋的特征
1．1．4 手印遺留物質(zhì)
1．1．5 手印承痕客體
1．1．6 手印發(fā)展簡(jiǎn)史
1．2 手印顯現(xiàn)技術(shù)
1．2．1 傳統(tǒng)手印顯現(xiàn)技術(shù)
1．2．2 新興手印顯現(xiàn)技術(shù)
1．3 顯現(xiàn)效果評(píng)價(jià)
1．3．1 對(duì)比度
1．3．2 靈敏度
1．3．3 選擇性
1．4 手印無(wú)損顯現(xiàn)
1．4．1 手印特征的無(wú)損顯現(xiàn)
1．4．2 生物物證的無(wú)損檢測(cè)
參考文獻(xiàn)
上篇 手印納米顯現(xiàn)技術(shù)
2 手印納米顯現(xiàn)技術(shù)簡(jiǎn)介
2．1 納米發(fā)光材料
2．1．1 納米科技
2．1．2 納米材料
2．1．3 發(fā)光現(xiàn)象
2．1．4 光致發(fā)光機(jī)理
2．1．5 發(fā)光材料組成
2．1．6 納米發(fā)光材料
2．2 手印納米顯現(xiàn)技術(shù)
2．2．1 手印納米顯現(xiàn)材料的發(fā)展
2．2．2 手印納米顯現(xiàn)方法的發(fā)展
參考文獻(xiàn)
3 基于納米粉末的手印顯現(xiàn)技術(shù)
3．1 量子點(diǎn)粉末顯現(xiàn)法
3．1．1 CdS量子點(diǎn)粉末顯現(xiàn)法
3．1．2 CdTe量子點(diǎn)粉末顯現(xiàn)法
3．1．3 CdSe量子點(diǎn)粉末顯現(xiàn)法
3．1．4 顯現(xiàn)方法小結(jié)
3．2 熒光碳點(diǎn)粉末顯現(xiàn)法
3．2．1 摻雜型熒光碳點(diǎn)粉末顯現(xiàn)法
3．2．2 核殼型熒光碳點(diǎn)粉末顯現(xiàn)法
3．2．3 顯現(xiàn)方法小結(jié)
3．3 稀土下轉(zhuǎn)換發(fā)光納米粉末顯現(xiàn)法
3．3．1 稀土釩酸鹽納米粉末顯現(xiàn)法
3．3．2 稀土磷酸鹽納米粉末顯現(xiàn)法
3．3．3 稀土鋯酸鹽納米粉末顯現(xiàn)法
3．3．4 稀土鋁酸鹽納米粉末顯現(xiàn)法
3．3．5 稀土鈦酸鹽納米粉末顯現(xiàn)法
3．3．6 稀土硅酸鹽納米粉末顯現(xiàn)法
3．3．7 稀土鉬酸鹽納米粉末顯現(xiàn)法
3．3．8 稀土氧化物納米粉末顯現(xiàn)法
3．3．9 稀土氟氧化物納米粉末顯現(xiàn)法
3．3．10 稀土配合物納米粉末顯現(xiàn)法
3．3．11 顯現(xiàn)方法小結(jié)
3．4 稀土上轉(zhuǎn)換發(fā)光納米粉末顯現(xiàn)法
3．4．1 單一型稀土納米粉末顯現(xiàn)法
3．4．2 復(fù)合型稀土納米粉末顯現(xiàn)法
3．4．3 顯現(xiàn)方法小結(jié)
參考文獻(xiàn)
4 基于納米懸浮液的手印顯現(xiàn)技術(shù)
4．1 基于物理作用的納米懸浮液顯現(xiàn)法
4．1．1 量子點(diǎn)懸浮液顯現(xiàn)法
4．1．2 熒光碳點(diǎn)懸浮液顯現(xiàn)法
4．1．3 稀土發(fā)光納米懸浮液顯現(xiàn)法
4．1．4 顯現(xiàn)方法小結(jié)
4．2 基于化學(xué)作用的納米懸浮液顯現(xiàn)法
4．2．1 基于化學(xué)反應(yīng)的納米懸浮液顯現(xiàn)法
4．2．2 基于免疫結(jié)合的納米懸浮液顯現(xiàn)法
4．2．3 基于適配體識(shí)別的納米懸浮液顯現(xiàn)法
4．2．4 顯現(xiàn)方法小結(jié)
參考文獻(xiàn)
下篇 手印電化學(xué)顯現(xiàn)技術(shù)
5 電化學(xué)原理與測(cè)量基礎(chǔ)
5．1 電化學(xué)發(fā)展歷史與研究?jī)?nèi)容
5．1．1 電化學(xué)發(fā)展歷史
5．1．2 電化學(xué)研究對(duì)象
5．2 電化學(xué)測(cè)量基礎(chǔ)
5．2．1 電極反應(yīng)與電極過(guò)程
5．2．2 電化學(xué)測(cè)量的三電極體系
5．2．3 電化學(xué)測(cè)量?jī)x器
5．3 電化學(xué)測(cè)量方法介紹
5．3．1 電流與電極電位的測(cè)量
5．3．2 恒電流法與恒電位法
5．3．3 線性電位掃描法
5．4 手印電化學(xué)顯現(xiàn)技術(shù)
參考文獻(xiàn)
6 基于電化學(xué)沉積的手印顯現(xiàn)技術(shù)
6．1 基于電化學(xué)沉積金屬薄膜的手印顯現(xiàn)技術(shù)
6．1．1 金屬的電化學(xué)沉積概述
6．1．2 金屬的電化學(xué)沉積在手印顯現(xiàn)中的應(yīng)用
6．2 基于電化學(xué)沉積電致變色薄膜材料的手印顯現(xiàn)技術(shù)
6．2．1 電致變色材料概述
6．2．2 電致變色材料的電化學(xué)沉積在手印顯現(xiàn)中的應(yīng)用
6．3 基于電化學(xué)沉積其他材料的手印顯現(xiàn)技術(shù)
6．4 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
7 基于電致化學(xué)發(fā)光的手印成像技術(shù)
7．1 電致化學(xué)發(fā)光概述
7．1．1 電致化學(xué)發(fā)光的研究歷程
7．1．2 電致化學(xué)發(fā)光的常見(jiàn)體系及反應(yīng)機(jī)理
7．2 基于電致化學(xué)發(fā)光的手印成像法
7．2．1 基于空間選擇性可控反應(yīng)的電致化學(xué)發(fā)光手印成像
7．2．2 基于酶聯(lián)免疫分析的手印成分識(shí)別及電致化學(xué)發(fā)光成像
7．2．3 基于多孔硅電致化學(xué)發(fā)光的手印成像
7．3 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
8 基于掃描電化學(xué)探針的手印成像技術(shù)
8．1 基于掃描電化學(xué)顯微鏡的手印成像技術(shù)
8．1．1 掃描電化學(xué)顯微鏡發(fā)展簡(jiǎn)史
8．1．2 掃描電化學(xué)顯微鏡儀器裝置與工作原理
8．1．3 掃描電化學(xué)顯微鏡在手印成像中的應(yīng)用
8．2 基于掃描開(kāi)爾文探針顯微鏡的手印成像技術(shù)
8．2．1 開(kāi)爾文探針技術(shù)發(fā)展簡(jiǎn)史
8．2．2 掃描開(kāi)爾文探針顯微鏡儀器裝置與工作原理
8．2．3 掃描開(kāi)爾文探針顯微鏡在手印成像中的應(yīng)用
8．3 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
附錄 研究小組近期代表科研成果簡(jiǎn)介