定 價:¥69.00
作 者: | (美)克里斯托弗·賽因特,(美)朱迪·賽因特 |
出版社: | 清華大學(xué)出版社 |
叢編項: | 電子信息前沿技術(shù)叢書 |
標(biāo) 簽: | 暫缺 |
ISBN: | 9787302547198 | 出版時間: | 2020-05-01 | 包裝: | 平裝 |
開本: | 16開 | 頁數(shù): | 253 | 字?jǐn)?shù): |
第1章 電路基礎(chǔ)理論
1.1 內(nèi)容提要
1.2 引言
1.3 基本電路回顧
1.3.1 同性相斥,異性相吸
1.3.2 基本單位
1.3.3 串聯(lián)公式
1.3.4 并聯(lián)公式
1.3.5 歐姆定律
1.3.6 基爾霍夫定律
1.3.7 電路單元符號
1.4 導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體
1.5 半導(dǎo)體材料
1.5.1 N型材料
1.5.2 P型材料
1.6 PN結(jié)
1.6.1 勢壘
1.6.2 通過勢壘的電流
1.6.3 二極管
1.6.4 二極管應(yīng)用
1.7 半導(dǎo)體開關(guān)
1.7.1 一個燈開關(guān)的例子*
1.8 場效應(yīng)
1.8.1 場效應(yīng)晶體管*
1.9 開關(guān)隔離
1.10 增強型器件和耗盡型器件
1.11 互補型開關(guān)
1.12 N阱和襯底接觸
1.13 邏輯電路
1.13.1 用電壓表示邏輯狀態(tài)
1.13.2 CMOS邏輯電路
1.13.3 與非門
1.13.4 或非門
結(jié)束語
本章學(xué)過的內(nèi)容
應(yīng)用練習(xí)
第2章硅加工工藝
2.1 內(nèi)容提要
2.2 引言
2.3 集成電路版圖
2.3.1 基本矩形
2.4 硅晶圓制造
2.5 摻雜
2.5.1 離子注入
2.5.2 擴散
2.6 生長材料層
2.6.1 外延
2.6.2 化學(xué)氣相沉積
2.6.3 氧化層生長
2.6.4 濺射
2.6.5 蒸發(fā)
2.7 去除材料層
2.8 光刻
2.9 芯片制造
2.9.1 下凹圖形的加工
2.9.2 凸起圖形的加工
2.9.3 平坦化
2.9.4 作為掩模的二氧化硅
2.10 自對準(zhǔn)硅柵
……
第3章 CMOS版圖
第4章 電阻
第5章 電容
第6章 雙極型晶體管
第7章 二極管
第8章 電感
術(shù)語