晶體管非線性模型參數(shù)提取技術(shù)

第1章 緒論
1．1 模型提取的挑戰(zhàn)
1．1．1 精確性
1．1．2 數(shù)值收斂
1．1．3 建模晶體管的選擇
1．2 模型提取流程
參考文獻(xiàn)
第2章 直流與熱模型：Ⅲ-V族FET和HBT
2．1 介紹
2．2 基本的直流特性
2．3 FET直流參數(shù)和建模
2．4 HBT直流參數(shù)和建模
2．5 工藝控制監(jiān)測(cè)
2．6 熱建模概述
2．7 基于物理的HBT熱縮放模型
2．8 基于測(cè)量的FET熱模型
2．9 晶體管可靠性評(píng)估
參考文獻(xiàn)
第3章 Ⅲ-V族HBT和HEMT器件的非本征參數(shù)和寄生元件建模
3．1 引言
3．2 測(cè)試、校準(zhǔn)和去嵌的構(gòu)架
3．3 HBT非本征參數(shù)提取方法
3．3．1 等效電路拓?fù)?br />3．3．2 接觸電阻和疊層電容的物理描述
3．3．3 外部電阻和電感的提取
3．4 HEMT非本征參數(shù)提取方法
3．4．1 冷FET方法
3．4．2 無(wú)偏置方法
3．4．3 GaNHEMT的特別之處
3．5 多胞陣列的縮放
參考文獻(xiàn)
第4章 小信號(hào)等效電路建模的不確定性
4．1 介紹
4．1．1 建模中的不確定性來(lái)源
4．1．2 測(cè)量不確定性
4．2 直接提取方法的不確定性
4．2．1 直接提取的簡(jiǎn)單例子
4．2．2 晶體管測(cè)量結(jié)果
4．3 基于優(yōu)化器的估計(jì)技巧
4．3．1 似然估計(jì)
4．3．2 小信號(hào)晶體管模型參數(shù)的MLE
4．3．3 MLE與直接提取方法的比較
4．3．4 MLE在RF-CMOS去嵌中的應(yīng)用
4．3．5 討論
4．4 等效電路建模中的復(fù)雜性與不確定性
4．4．1 尋找模型拓?fù)?br />4．4．2 說(shuō)明實(shí)例
4．5 總結(jié)和討論
參考文獻(xiàn)
……
第5章 大信號(hào)模型：理論基礎(chǔ)、實(shí)際因素及進(jìn)展
第6章 大尺寸裝晶體管
第7章 高頻功率晶體管非線性特性和色散效應(yīng)模擬
第8章 模型構(gòu)建和驗(yàn)證的優(yōu)化微波測(cè)量
第9章 高效電路設(shè)計(jì)的實(shí)用統(tǒng)計(jì)仿真
第10章 噪聲建模