晶體管非線性模型參數(shù)提取技術(shù)

定　價(jià)：￥88.00

作　者：	[德] 馬蒂亞斯·魯?shù)婪颍∕atthias Rudolph）著，王穎，董士偉，董亞洲等譯
出版社：	國(guó)防工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787118120677	出版時(shí)間：	2020-10-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁(yè)數(shù)：	326	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　《晶體管非線性模型參數(shù)提取技術(shù)》旨在對(duì)晶體管模型參數(shù)提取提供全面的概述：一方面，基本前提是參數(shù)提取與建立基于物理模型本身同等重要；另一方面，即使對(duì)不同的技術(shù)，提取方法也往往基于同樣的想法和假設(shè)；因此，《晶體管非線性模型參數(shù)提取技術(shù)》的目的是給出一個(gè)較為寬泛的想法，聚焦于一個(gè)主題和概念，而非限定在某一特定的晶體管類型?！毒w管非線性模型參數(shù)提取技術(shù)》是基于2009年由編輯組織的IEEE微波技術(shù)和理論協(xié)會(huì)國(guó)際微波研討會(huì)上的一個(gè)專題，每一章對(duì)應(yīng)于專題中的一個(gè)報(bào)告。范圍覆蓋了參數(shù)提取中幾乎所有的任務(wù)：從直流到小信號(hào)參數(shù)，如何集成小信號(hào)參數(shù)以獲得如電荷和電流等大信號(hào)參量；如何確定非本征單元的數(shù)值；晶體管封裝建模和自熱；色散效應(yīng)；噪聲；晶體管加工統(tǒng)計(jì)；提取和驗(yàn)證的測(cè)量技術(shù)等。

作者簡(jiǎn)介

暫缺《晶體管非線性模型參數(shù)提取技術(shù)》作者簡(jiǎn)介

圖書目錄

第1章緒論
1．1 模型提取的挑戰(zhàn)
1．1．1 精確性
1．1．2 數(shù)值收斂
1．1．3 建模晶體管的選擇
1．2 模型提取流程
參考文獻(xiàn)
第2章直流與熱模型：Ⅲ-V族FET和HBT
2．1 介紹
2．2 基本的直流特性
2．3 FET直流參數(shù)和建模
2．4 HBT直流參數(shù)和建模
2．5 工藝控制監(jiān)測(cè)
2．6 熱建模概述
2．7 基于物理的HBT熱縮放模型
2．8 基于測(cè)量的FET熱模型
2．9 晶體管可靠性評(píng)估
參考文獻(xiàn)
第3章 Ⅲ-V族HBT和HEMT器件的非本征參數(shù)和寄生元件建模
3．1 引言
3．2 測(cè)試、校準(zhǔn)和去嵌的構(gòu)架
3．3 HBT非本征參數(shù)提取方法
3．3．1 等效電路拓?fù)?br />3．3．2 接觸電阻和疊層電容的物理描述
3．3．3 外部電阻和電感的提取
3．4 HEMT非本征參數(shù)提取方法
3．4．1 冷FET方法
3．4．2 無偏置方法
3．4．3 GaNHEMT的特別之處
3．5 多胞陣列的縮放
參考文獻(xiàn)
第4章小信號(hào)等效電路建模的不確定性
4．1 介紹
4．1．1 建模中的不確定性來源
4．1．2 測(cè)量不確定性
4．2 直接提取方法的不確定性
4．2．1 直接提取的簡(jiǎn)單例子
4．2．2 晶體管測(cè)量結(jié)果
4．3 基于優(yōu)化器的估計(jì)技巧
4．3．1 似然估計(jì)
4．3．2 小信號(hào)晶體管模型參數(shù)的MLE
4．3．3 MLE與直接提取方法的比較
4．3．4 MLE在RF-CMOS去嵌中的應(yīng)用
4．3．5 討論
4．4 等效電路建模中的復(fù)雜性與不確定性
4．4．1 尋找模型拓?fù)?br />4．4．2 說明實(shí)例
4．5 總結(jié)和討論
參考文獻(xiàn)
……
第5章大信號(hào)模型：理論基礎(chǔ)、實(shí)際因素及進(jìn)展
第6章大尺寸裝晶體管
第7章高頻功率晶體管非線性特性和色散效應(yīng)模擬
第8章模型構(gòu)建和驗(yàn)證的優(yōu)化微波測(cè)量
第9章高效電路設(shè)計(jì)的實(shí)用統(tǒng)計(jì)仿真
第10章噪聲建模