移動互聯(lián)網(wǎng)芯片技術(shù)體系研究

定　價：￥79.00

作　者：	陳新華著
出版社：	電子工業(yè)出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

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京東 (￥62.30)

ISBN：	9787121388996	出版時間：	2020-12-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	200	字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　近年來，集成電路技術(shù)急速發(fā)展，特別是移動互聯(lián)網(wǎng)芯片技術(shù)，知識迭代不斷加快，新技術(shù)不斷涌現(xiàn)。本書在比較全面、系統(tǒng)地介紹移動互聯(lián)網(wǎng)芯片產(chǎn)業(yè)概況、主要終端芯片、主要技術(shù)體系的基礎(chǔ)上，詳細闡述了MEMS芯片設(shè)計的方法和移動互聯(lián)網(wǎng)芯片先進封裝可靠性檢測研究的相關(guān)內(nèi)容。本書可供廣大移動互聯(lián)網(wǎng)芯片技術(shù)領(lǐng)域的工程師、研發(fā)人員、技術(shù)管理人員和科研人員閱讀參考，也可以作為相關(guān)專業(yè)高年級本科生和研究生的參考書。

作者簡介

　　陳新華，北京建筑大學機電學院教師，北京交通大學機電學院博士，CFMB技術(shù)委員會專家。長期從事載運工具運用工程方向的教學和科學研究，主持了教育部產(chǎn)學合作協(xié)同育人項目、北京市優(yōu)秀人才培養(yǎng)資助青年骨干個人項目、住建部科技計劃項目，并作為骨干成員參與國家973”計劃子課題、國家863”計劃課題和核高基重大專項等課題，發(fā)表在《Materials》《Progress in Natural Science： Materials International》等SCI和EI期刊發(fā)表論文十余篇，申請及授權(quán)發(fā)明專利5項，相關(guān)成果獲得中共北京市教委北京高校青年教師社會調(diào)研優(yōu)秀成果資助項目一等獎、中國科學技術(shù)協(xié)會科普貢獻者”榮譽證書等獎項。

圖書目錄

目錄
第1章緒論\t001
1．1 芯片產(chǎn)業(yè)概況\t001
1．2 影響芯片產(chǎn)業(yè)走向的關(guān)鍵因素\t002
1．2．1 生態(tài)體系構(gòu)建\t003
1．2．2 芯片技術(shù)研發(fā)\t004
1．2．3 工藝制程\t004
1．2．4 用戶與伙伴\t005
1．2．5 政策扶持\t005
1．3 我國移動互聯(lián)網(wǎng)芯片發(fā)展的機遇與挑戰(zhàn)\t005
1．3．1 后來居上的創(chuàng)新機遇\t005
1．3．2 未來升級的挑戰(zhàn)和短板\t007
第2章移動互聯(lián)網(wǎng)主要終端芯片\t011
2．1 基帶處理器\t012
2．1．1 基帶芯片\t012
2．1．2 射頻芯片\t014
2．2 應(yīng)用處理器\t014
2．2．1 CPU\t015
2．2．2 GPU\t015
2．2．3 AI芯片\t016
2．2．4 電源管理芯片\t017
2．3 存儲芯片\t017
2．4 MEMS芯片\t020
第3章移動互聯(lián)網(wǎng)芯片主要技術(shù)體系\t022
3．1 芯片設(shè)計\t022
3．1．1 IP核/Chiplet與SoC設(shè)計\t025
3．1．2 指令集\t027
3．1．3 微架構(gòu)\t032
3．1．4 EDA工具\t037
3．2 芯片制造的制程、設(shè)備與材料\t038
3．2．1 先進制程工藝\t038
3．2．2 設(shè)備和相關(guān)材料\t041
3．3 芯片封裝與測試\t042
3．3．1 SIP技術(shù)\t043
3．3．2 多芯片fcCSP封裝\t046
3．3．3 3D封裝\t047
3．3．4 扇出式封裝\t049
本章參考文獻\t052
第4章 MEMS微波功率傳感器芯片設(shè)計與模擬研究\t054
4．1 微波功率傳感器及其應(yīng)用\t054
4．2 國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀\t055
4．3 微波功率傳感器的設(shè)計\t059
4．3．1 微波功率傳感器的原理與理論\t059
4．3．2 微波功率傳感器的基本單元與性能\t065
4．3．3 微波功率傳感器的結(jié)構(gòu)與材料\t068
4．3．4 微波功率傳感器的制造工藝\t071
4．4 仿真軟件簡介\t075
4．5 微波功率傳感器的仿真\t077
4．6 本章小結(jié)\t085
本章參考文獻\t085
第5章移動互聯(lián)網(wǎng)芯片先進封裝可靠性檢測研究\t087
5．1 發(fā)展現(xiàn)狀\t089
5．1．1 國內(nèi)現(xiàn)狀\t089
5．1．2 國外現(xiàn)狀\t090
5．2 試驗樣本及參照標準介紹\t092
5．2．1 TSV技術(shù)類型\t092
5．2．2 TSV芯片結(jié)構(gòu)\t092
5．2．3 TSV芯片制造工藝\t094
5．3 可靠性試驗概述\t095
5．3．1 可靠性定義\t095
5．3．2 目的\t096
5．3．3 分類\t096
5．4 可靠性試驗標準介紹\t096
5．4．1 JESD22-A113E\t096
5．4．2 JESD22-A104E\t097
5．4．3 JESD22-A118E\t097
5．4．4 JESD22-A102E\t098
5．4．5 IPC/JEDECJ-STD-020．1\t098
5．4．6 GJB 548B―2005\t098
5．4．7 GJB 7400―2011\t099
5．5 可靠性試驗方法\t099
5．5．1 試驗儀器\t099
5．5．2 試驗內(nèi)容及參數(shù)確定\t100
5．6 表征方法\t107
5．6．1 形狀分析激光顯微鏡\t107
5．6．2 X射線（X-Ray）檢測儀分析\t108
5．6．3 超聲波掃描電子顯微鏡（C-SAM）分析\t109
5．6．4 場發(fā)射掃描電子顯微鏡（SEM）分析\t110
5．6．5 X射線能譜儀（EDS）分析\t111
5．6．6 聚焦離子束（FIB）技術(shù)\t112
5．7 試驗數(shù)據(jù)及圖像分析\t112
5．7．1 形狀分析激光顯微鏡分析結(jié)果\t112
5．7．2 初始芯片A、B\t113
5．7．3 PC試驗后芯片C、D\t120
5．7．4 TC試驗后芯片E、F\t129
5．7．5 UHAST試驗后芯片G、H\t138
5．7．6 PCT試驗后芯片I、J\t147
5．8 X-Ray檢測儀分析結(jié)果\t156
5．9 C-SAM分析結(jié)果\t158
5．10 SEM與EDS分析結(jié)果\t159
5．11 本章小結(jié)\t184
本章參考文獻\t186