碳化硅功率器件：特性、測(cè)試和應(yīng)用技術(shù)

定　價(jià)：￥99.00

作　者：	高遠(yuǎn)，陳橋梁著
出版社：	機(jī)械工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787111681755	出版時(shí)間：	2021-08-01	包裝：	平裝
開(kāi)本：	16開(kāi)	頁(yè)數(shù)：		字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書介紹了碳化硅功率器件的基本原理、特性、測(cè)試方法及應(yīng)用技術(shù)，概括了近年學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的*新研究成果。本書共分為9章：功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)，SiC MOSFET參數(shù)的解讀、測(cè)試及應(yīng)用，雙脈沖測(cè)試技術(shù)，SiC器件與Si器件特性對(duì)比，高di/dt的影響與應(yīng)對(duì)——關(guān)斷電壓過(guò)沖，高dv/dt的影響與應(yīng)對(duì)——crosstalk，高dv/dt的影響與應(yīng)對(duì)——共模電流，共源極電感的影響與應(yīng)對(duì)，以及驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。

作者簡(jiǎn)介

　　現(xiàn)任泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體技術(shù)有限公司應(yīng)用測(cè)試中心主任。主要從事功率半導(dǎo)體器件特性測(cè)試、評(píng)估及其在功率變換器上應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)的研究工作，致力于碳化硅功率器件市場(chǎng)應(yīng)用的推廣，被領(lǐng)先的測(cè)試解決方案提供商泰克科技聘為電源功率器件領(lǐng)域外部專家。2012年和2015年分別于西安交通大學(xué)獲學(xué)士和碩士學(xué)位，發(fā)表學(xué)術(shù)論文5篇，出版專著《碳化硅功率器件：特性、測(cè)試和應(yīng)用技術(shù)》。

圖書目錄

電力電子新技術(shù)系列圖書序言
序
前言
第1章功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)1
1.1Si功率器件1
1.1.1Si功率二極管1
1.1.2Si功率MOSFET5
1.1.3Si IGBT9
1.2SiC功率器件12
1.2.1SiC半導(dǎo)體材料特性12
1.2.2SiC功率器件發(fā)展現(xiàn)狀15
參考文獻(xiàn)25
延伸閱讀26
第2章SiC MOSFET參數(shù)的解讀、測(cè)試及應(yīng)用29
2.1最大值29
2.1.1擊穿電壓29
2.1.2熱阻抗31
2.1.3最大耗散功率和最大漏極電流32
2.1.4安全工作域33
2.2靜態(tài)特性35
2.2.1傳遞特性和閾值電壓35
2.2.2輸出特性和導(dǎo)通電阻35
2.2.3體二極管和第三象限導(dǎo)通特性38
2.3動(dòng)態(tài)特性39
2.3.1結(jié)電容39
2.3.2開(kāi)關(guān)特性40
2.3.3柵電荷47
2.4參數(shù)測(cè)試48
2.4.1I-V特性測(cè)試48
2.4.2結(jié)電容測(cè)試50
2.4.3柵電荷測(cè)試53
2.4.4測(cè)試設(shè)備53
2.5FOM值55
2.6器件建模與仿真58
2.7器件損耗計(jì)算63
2.7.1損耗計(jì)算方法63
2.7.2仿真軟件66
參考文獻(xiàn)68
延伸閱讀70
第3章雙脈沖測(cè)試技術(shù)75
3.1功率變換器換流模式75
3.2雙脈沖測(cè)試基礎(chǔ)79
3.2.1雙脈沖測(cè)試原理79
3.2.2雙脈沖測(cè)試參數(shù)設(shè)定82
3.2.3雙脈沖測(cè)試平臺(tái)85
3.3測(cè)量挑戰(zhàn)90
3.3.1示波器90
3.3.2電壓探頭104
3.3.3電流傳感器115
3.3.4時(shí)間偏移118
3.3.5寄生參數(shù)121
3.4雙脈沖測(cè)試設(shè)備126
參考文獻(xiàn)130
延伸閱讀132
第4章SiC器件與Si器件特性對(duì)比135
4.1SiC MOSFET和Si SJ-MOSFET135
4.1.1靜態(tài)特性135
4.1.2動(dòng)態(tài)特性137
4.2SiC MOSFET和Si IGBT145
4.2.1傳遞特性145
4.2.2輸出特性145
4.2.3動(dòng)態(tài)特性146
4.2.4短路特性152
4.3SiC二極管和Si二極管154
4.3.1導(dǎo)通特性154
4.3.2反向恢復(fù)特性155
延伸閱讀162
第5章高di/dt的影響與應(yīng)對(duì)——關(guān)斷電壓過(guò)沖163
5.1關(guān)斷電壓過(guò)沖的影響因素163
5.2應(yīng)對(duì)措施1——回路電感控制165
5.2.1回路電感與局部電感165
5.2.2PCB線路電感167
5.2.3器件封裝電感168
5.3應(yīng)對(duì)措施2——去耦電容170
5.3.1電容器基本原理170
5.3.2去耦電容基礎(chǔ)172
5.3.3小信號(hào)模型分析176
5.4應(yīng)對(duì)措施3——降低關(guān)斷速度184
參考文獻(xiàn)186
延伸閱讀187
第6章高dv/dt的影響與應(yīng)對(duì)——crosstalk188
6.1crosstalk基本原理188
6.1.1開(kāi)通crosstalk189
6.1.2關(guān)斷crosstalk191
6.2關(guān)鍵影響因素194
6.2.1等效電路分析194
6.2.2實(shí)驗(yàn)測(cè)試方案與結(jié)果195
6.3應(yīng)對(duì)措施1——米勒鉗位200
6.3.1晶體管型米勒鉗位200
6.3.2IC集成有源米勒鉗位202
6.4應(yīng)對(duì)措施2——驅(qū)動(dòng)回路電感控制206
6.4.1驅(qū)動(dòng)回路電感對(duì)米勒鉗位的影響206
6.4.2封裝集成206
參考文獻(xiàn)212
延伸閱讀213
第7章高dv/dt的影響與應(yīng)對(duì)——共模電流214
7.1信號(hào)通路共模電流214
7.1.1功率變換器中的共模電流214
7.1.2信號(hào)通路共模電流特性217
7.2應(yīng)對(duì)措施1——高CMTI驅(qū)動(dòng)芯片219
7.3應(yīng)對(duì)措施2——高共模阻抗223
7.3.1減小隔離電容223
7.3.2共模電感224
7.4應(yīng)對(duì)措施3——共模電流疏導(dǎo)225
7.4.1Y電容225
7.4.2并行供電226
7.4.3串聯(lián)式驅(qū)動(dòng)電路227
7.5差模干擾測(cè)量227
7.5.1常規(guī)電壓探頭227
7.5.2電源軌探頭229
參考文獻(xiàn)235
延伸閱讀236
第8章共源極電感的影響與應(yīng)對(duì)238
8.1共源極電感238
8.1.1共源極電感及其影響238
8.1.2開(kāi)爾文源極封裝241
8.2對(duì)比測(cè)試方案242
8.2.1傳統(tǒng)對(duì)比測(cè)試方案242
8.2.24-in-4和4-in-3對(duì)比測(cè)試方案244
8.3對(duì)開(kāi)關(guān)過(guò)程的影響245
8.3.1開(kāi)通過(guò)程245
8.3.2關(guān)斷過(guò)程249
8.3.3開(kāi)關(guān)能量與dVDS/dt253
8.4對(duì)crosstalk的影響257
8.4.1開(kāi)通crosstalk257
8.4.2關(guān)斷crosstalk261
參考文獻(xiàn)265
延伸閱讀266
第9章驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)267
9.1驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)267
9.1.1驅(qū)動(dòng)電路架構(gòu)與發(fā)展267
9.1.2驅(qū)動(dòng)電路各功能模塊269
9.2驅(qū)動(dòng)電阻取值275
9.3驅(qū)動(dòng)電壓280
9.3.1SiC MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓的要求280
9.3.2關(guān)斷負(fù)電壓的提供281
9.4驅(qū)動(dòng)級(jí)特性的影響283
9.4.1 輸出峰值電流283
9.4.2BJT和MOSFET電流Boost284
9.4.3米勒斜坡下的驅(qū)動(dòng)能力287
9.5信號(hào)隔離傳輸292
9.5.1隔離方式292
9.5.2安規(guī)與絕緣295
9.6短路保護(hù)300
9.6.1短路保護(hù)的檢測(cè)方式301
9.6.2DESAT短路保護(hù)303
參考文獻(xiàn)306
延伸閱讀309