太陽(yáng)電池光電器件研究：氧化鋅同質(zhì)p-n結(jié)制備與表征

定　價(jià)：￥68.00

作　者：	楊景景著
出版社：	化學(xué)工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787122392282	出版時(shí)間：	2021-10-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁(yè)數(shù)：	84	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書介紹了通過(guò)調(diào)控氧化鋅的導(dǎo)電特性，可控地制備出電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電的n型和p型半導(dǎo)體薄膜材料，并系統(tǒng)展示了硅基襯底上氧化鋅同質(zhì)p-n結(jié)的結(jié)構(gòu)、光學(xué)和電學(xué)特性。研究表明，采用在氧化鋅器件結(jié)構(gòu)中插入ZnMgO（簡(jiǎn)稱ZMO）多量子勢(shì)壘層這一技術(shù)會(huì)明顯地提高穿過(guò)結(jié)界面的載流子濃度和電子傳輸速率，初步解決了氧化鋅基發(fā)光器件的高增益問(wèn)題，為氧化鋅p-n結(jié)器件的應(yīng)用提供了一個(gè)可行的技術(shù)方案。本書可供新能源、新材料、半導(dǎo)體領(lǐng)域研究開發(fā)人員參考。

作者簡(jiǎn)介

　　楊景景，常州工學(xué)院，副教授，主要從事氧化物光電材料的制備及p-n結(jié)、薄膜晶體管和硅基表面氧化物生長(zhǎng)的研究，發(fā)表國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)論文十余篇，申請(qǐng)發(fā)明專利10項(xiàng)，主持國(guó)家自然科學(xué)基金委項(xiàng)目和常州市科技計(jì)劃項(xiàng)目。

圖書目錄

第1章緒論
1.1 ZnO的基本性質(zhì)
1.2 p型ZnO薄膜的制備與相關(guān)理論
1.2.1 ZnO的本征缺陷
1.2.2 ZnO的p型摻雜
1.3 ZnO的量子阱與超晶格結(jié)構(gòu)
1.3.1 量子阱與超晶格的基本概念
1.3.2 量子阱與超晶格的能帶模型
1.3.3 量子阱的激子與超晶格內(nèi)部的電子運(yùn)動(dòng)
1.3.4 ZnO基量子阱與超晶格
1.4 ZnO的結(jié)器件研究進(jìn)展
1.4.1 發(fā)光二極管（LED）
1.4.2 激光二極管（LD）
1.4.3 光敏探測(cè)器
1.5 本書的研究?jī)?nèi)容及意義
第2章 ZnOp-n結(jié)器件的PLD制備方法及相關(guān)測(cè)試技術(shù)
2.1 脈沖激光沉積概述
2.2 脈沖激光沉積原理
2.3 脈沖激光沉積系統(tǒng)
2.4 相關(guān)表征技術(shù)
2.4.1 X射線衍射（XRD）
2.4.2 電學(xué)性能測(cè)試
2.4.3 掃描電鏡（SEM）
2.4.4 光致發(fā)光譜（PL）
2.4.5 紫外可見分光光度計(jì)（UV-Vis Spectroscopy）
2.5 主要工藝過(guò)程
2.5.1 靶材制備過(guò)程
2.5.2 襯底的選擇和清洗
2.5.3 薄膜的制備
第3章 ZnO/ZMO薄膜的研究
3.1 制備與表征
3.1.1 ZnO/ZMO薄膜樣品靶材的制備
3.1.2 ZnO/ZMO薄膜的制備與表征
3.2 ZnO/ZMO組分與微結(jié)構(gòu)
3.2.1 ZnO/ZMO樣品組分確定
3.2.2 ZnO/ZMO樣品微結(jié)構(gòu)分析
3.3 ZnO/ZMO薄膜的光學(xué)性能
3.3.1 ZnO/ZMO薄膜吸收譜分析
3.3.2 ZnO/ZMO薄膜光致發(fā)光譜分析
3.4 ZnO/ZMO薄膜的電學(xué)性能
3.5 本章總結(jié)
第4章 ZnMgO多量子勢(shì)壘
4.1 ZnMgO多量子勢(shì)壘薄膜的制備與表征
4.1.1 ZnMgO多量子勢(shì)壘薄膜靶材的制備
4.1.2 ZnMgO多量子勢(shì)壘薄膜的制備
4.2 ZnMgO多量子勢(shì)壘樣品的微結(jié)構(gòu)分析
4.2.1 ZnMgO多量子勢(shì)壘薄膜的微結(jié)構(gòu)分析
4.2.2 ZnMgO多量子勢(shì)壘薄膜的電鏡分析
4.3 ZnMgO多量子勢(shì)壘薄膜的光學(xué)性能
4.3.1 ZnMgO多量子勢(shì)壘薄膜的吸收譜分析
4.3.2 ZnMgO多量子勢(shì)壘薄膜的光致發(fā)光譜分析
4.4 ZnMgO多量子勢(shì)壘薄膜的電學(xué)性能
4.5 本章總結(jié)
第5章 ZnMgO多量子勢(shì)壘對(duì)ZnO p-n結(jié)器件性能的提升
5.1 兩種ZnO p-n結(jié)器件的制備
5.1.1 靶材的制備
5.1.2 ZnO p-n結(jié)器件H與內(nèi)嵌ZnMgO量子勢(shì)壘ZnO p-n結(jié)Q器件的制備
5.2 H與Q系列微結(jié)構(gòu)的比較分析
5.2.1 H與Q系列XRD圖譜比較
5.2.2 Q系列XRD圖譜比較
5.3 ZnMgO多量子勢(shì)壘對(duì)ZnO p-n結(jié)的光增益
5.3.1 H與Q系列吸收譜的測(cè)試分析
5.3.2 H與Q系列光致發(fā)光譜測(cè)試的測(cè)試分析
5.4 ZnMgO多量子勢(shì)壘對(duì)ZnO p-n結(jié)的電學(xué)特性提升
5.4.1 電極制備的具體說(shuō)明
5.4.2 I-V曲線測(cè)試
5.4.3 Q系列反向擊穿電壓的分析
5.5 霍爾效應(yīng)測(cè)試
5.6 Q系列樣品的能帶結(jié)構(gòu)分析
5.7 關(guān)于Q1的霍爾效應(yīng)測(cè)試的討論
5.8 本章總結(jié)
第6章總結(jié)及展望
6.1 總結(jié)
6.2 展望
參考文獻(xiàn)