表面原位交聯(lián)聚合與應(yīng)用

目錄
第1章 緒論 1
1.1 引言 1
1.2 聚合技術(shù) 1
1.3 離子束轟擊對(duì)聚合物薄膜表面的影響 6
1.4 超高熱氫束流轟擊 16
1.5 本書(shū)的基本思想和章節(jié)介紹 16
參考文獻(xiàn) 18
第2章 超高熱氫束流碰撞解離C—H鍵 28
2.1 引言 28
2.2 超高熱氫碰撞解離C—H鍵設(shè)計(jì)原理及計(jì)算方法 31
2.3 計(jì)算結(jié)果與討論 33
2.4 結(jié)論 45
參考文獻(xiàn) 46
第3章 實(shí)驗(yàn)方法與儀器設(shè)備 48
3.1 引言 48
3.2 樣品制備 48
3.3 低能量離子束轟擊系統(tǒng) 50
3.4 X射線光電子能譜原位表面分析 57
3.5 其他儀器設(shè)備 64
3.6 結(jié)論 66
參考文獻(xiàn) 66
第4章 簡(jiǎn)單烷烴分子的交聯(lián)聚合 70
4.1 引言 70
4.2 新型表面交聯(lián)方法的基本思想 70
4.3 實(shí)驗(yàn)部分 71
4.4 表面交聯(lián)聚合反應(yīng)結(jié)果與討論 72
4.5 基于從頭計(jì)算法對(duì)解離能影響的理解 81
4.6 結(jié)論 82
參考文獻(xiàn) 82
第5章 具有羧酸官能團(tuán)超薄交聯(lián)聚合物薄膜的可控制備 84
5.1 引言 84
5.2 實(shí)驗(yàn)部分 87
5.3 簡(jiǎn)單二十二烷酸分子薄膜表面交聯(lián)聚合的實(shí)現(xiàn) 87
5.4 羧酸官能團(tuán)的保護(hù) 91
5.5 表面羧酸官能性的調(diào)控 92
5.6 表面反應(yīng) 95
5.7 結(jié)論及前景預(yù)期 101
參考文獻(xiàn) 102
第6章 含C==C不飽和鍵分子薄膜的交聯(lián)聚合 104
6.1 引言 104
6.2 實(shí)驗(yàn)部分 105
6.3 交聯(lián)聚合的發(fā)生 106
6.4 轟擊離子束劑量的影響 110
6.5 表面交聯(lián)聚合反應(yīng)的擴(kuò)展 111
6.6 反應(yīng)機(jī)理 113
6.7 結(jié)論 115
參考文獻(xiàn) 115
第7章 在其他無(wú)機(jī)基底上形成交聯(lián)聚合物薄膜 118
7.1 無(wú)機(jī)基底 118
7.2 銅基底上交聯(lián)聚合物薄膜的形成 119
7.3 硅基底上自組裝單層的交聯(lián)聚合物薄膜 124
7.4 Au(111)上交聯(lián)聚合物薄膜的制備 130
7.5 結(jié)論 138
參考文獻(xiàn) 139
第8章 其他材料的表面交聯(lián)聚合 142
8.1 多層碳納米管涂層的交聯(lián) 142
8.2 選擇性斷裂C—H鍵交聯(lián)聚合有機(jī)半導(dǎo)體分子 147
8.3 結(jié)論 152
參考文獻(xiàn) 153
第9章 交聯(lián)聚合的改進(jìn)——電子回旋共振系統(tǒng) 156
9.1 超高熱H2分子轟擊斷裂C—H鍵：用簡(jiǎn)單化學(xué)實(shí)現(xiàn)交聯(lián)聚合 157
9.2 超高熱H2分子轟擊過(guò)程研究 166
9.3 結(jié)論 171
參考文獻(xiàn) 172
第10章 超高熱H2分子束轟擊誘導(dǎo)交聯(lián)聚合物薄膜的制備與抗蛋白質(zhì)吸附應(yīng)用 175
10.1 引言 175
10.2 PEO表面修飾和分析技術(shù) 177
10.3 硅基底上PEO涂層及功能薄膜的交聯(lián) 177
10.4 丁基橡膠基底上PEO的涂覆和交聯(lián) 180
10.5 PEO功能化表面對(duì)蛋白質(zhì)的抗吸附特性 182
10.6 細(xì)胞抗黏附和生長(zhǎng)行為研究 185
10.7 結(jié)論 186
參考文獻(xiàn) 187
第11章 超高熱H2分子束轟擊誘導(dǎo)交聯(lián)聚合物薄膜及其在抗菌中的應(yīng)用 191
11.1 引言 191
11.2 超高熱H2分子束交聯(lián)制備聚合物表面 192
11.3 交聯(lián)聚合功能化表面的抗菌性能 196
11.4 其他聚合物表面應(yīng)用 199
11.5 結(jié)論 201
參考文獻(xiàn) 201
致謝 206
術(shù)語(yǔ)匯編及釋義 207
索引 209