硅通孔三維封裝技術(shù)

第1章 三維封裝發(fā)展概述\t
1．1 封裝技術(shù)發(fā)展\t
1．2 拓展摩爾定律――3D封裝\t
1．2．1 3D封裝驅(qū)動力\t
1．2．2 3D TSV封裝優(yōu)勢\t
1．3 3D封裝技術(shù)發(fā)展趨勢\t
1．4 本書章節(jié)概覽\t
第2章 TSV結(jié)構(gòu)、性能與集成流程\t
2．1 TSV定義和基本結(jié)構(gòu)\t
2．2 TSV工藝流程概述\t
2．3 Via-middle技術(shù)\t
2．4 Via-last技術(shù)\t
2．5 其他TSV技術(shù)路線\t
2．6 本章小結(jié)\t
第3章 TSV單元工藝\t
3．1 TSV刻蝕技術(shù)\t
3．2 TSV側(cè)壁絕緣技術(shù)\t
3．3 TSV黏附層、擴(kuò)散阻擋層及種子層沉積技術(shù)\t
3．4 TSV電鍍填充技術(shù)\t
3．5 TSV平坦化技術(shù)\t
3．6 TSV背面露銅技術(shù)\t
3．7 本章小結(jié)\t
第4章 圓片級鍵合技術(shù)與應(yīng)用\t
4．1 圓片級鍵合與3D封裝概述\t
4．1．1 圓片-圓片鍵合與芯片-圓片鍵合\t
4．1．2 直接鍵合與間接鍵合\t
4．1．3 正面-正面鍵合與正面-背面鍵合\t
4．1．4 圓片級鍵合與多片/單片3D集成\t
4．2 介質(zhì)鍵合技術(shù)\t
4．2．1 介質(zhì)鍵合技術(shù)簡介\t
4．2．2 氧化硅親水性鍵合\t
4．2．3 聚合物膠熱壓鍵合\t
4．3 金屬圓片鍵合技術(shù)\t
4．3．1 金屬直接鍵合技術(shù)簡介\t
4．3．2 銅-銅熱壓鍵合\t
4．3．3 表面活化鍵合\t
4．4 金屬/介質(zhì)混合鍵合技術(shù)\t
4．4．1 混合鍵合技術(shù)簡介\t
4．4．2 銅/氧化硅混合鍵合\t
4．4．3 銅/聚合物膠混合鍵合\t
4．4．4 微凸點(diǎn)/聚合物膠混合鍵合\t
4．5 本章小結(jié)\t
第5章 圓片減薄與拿持技術(shù)\t
5．1 圓片減薄技術(shù)\t
5．1．1 圓片減薄工藝\t
5．1．2 圓片切邊工藝\t
5．1．3 中心區(qū)域減薄無載體薄圓片拿持技術(shù)\t
5．2 圓片臨時(shí)鍵合技術(shù)\t
5．2．1 臨時(shí)鍵合膠的選擇\t
5．2．2 載片的選擇\t
5．2．3 臨時(shí)鍵合質(zhì)量的評價(jià)標(biāo)準(zhǔn)\t
5．3 圓片拆鍵合技術(shù)\t
5．3．1 熱滑移方法\t
5．3．2 紫外光剝離方法\t
5．3．3 濕法溶解方法\t
5．3．4 疊層膠體縱向分離方法\t
5．3．5 區(qū)域鍵合方法\t
5．3．6 激光拆鍵合方法\t
5．4 臨時(shí)鍵合材料\t
5．4．1 熱滑移拆鍵合材料\t
5．4．2 機(jī)械拆臨時(shí)鍵合材料\t
5．4．3 紫外激光拆鍵合材料\t
5．4．4 紅外激光拆鍵合材料\t
5．5 本章小結(jié)\t
第6章 再布線與微凸點(diǎn)技術(shù)\t
6．1 再布線技術(shù)\t
6．1．1 圓片級扇入型封裝再布線技術(shù)\t
6．1．2 圓片級扇出型封裝再布線技術(shù)\t
6．2 釬料凸點(diǎn)技術(shù)\t
6．2．1 釬料凸點(diǎn)制備\t
6．2．2 基于釬料凸點(diǎn)的2．5D/3D封裝\t
6．3 銅柱凸點(diǎn)技術(shù)\t
6．3．1 銅柱凸點(diǎn)簡介\t
6．3．2 銅柱凸點(diǎn)互連機(jī)制及應(yīng)用\t
6．4 銅凸點(diǎn)技術(shù)\t
6．4．1 銅凸點(diǎn)簡介\t
6．4．2 銅凸點(diǎn)互連機(jī)制及應(yīng)用\t
6．5 本章小結(jié)\t
第7章 2．5D TSV中介層封裝技術(shù)\t
7．1 TSV中介層的結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)\t
7．2 TSV中介層技術(shù)發(fā)展與應(yīng)用\t
7．3 TSV中介層電性能分析\t
7．3．1 TSV的傳輸特性研究\t
7．3．2 中介層互連線傳輸特性分析\t
7．3．3 TSV中介層信號完整性仿真分析\t
7．3．4 TSV中介層電源完整性仿真分析\t
7．3．5 TSV中介層版圖設(shè)計(jì)\t
7．4 2．5 D TSV中介層封裝熱設(shè)計(jì)與仿真\t
7．4．1 Z方向等效導(dǎo)熱系數(shù)\t
7．4．2 X-Y方向等效導(dǎo)熱系數(shù)\t
7．4．3 中介層對封裝熱阻的影響\t
7．5 2．5D TSV中介層封裝研究實(shí)例\t
7．5．1 TSV中介層電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)\t
7．5．2 TSV中介層工藝流程\t
7．5．3 有機(jī)基板設(shè)計(jì)與仿真\t
7．5．4 中介層工藝研究\t
7．6 本章小結(jié)\t
第8章 3D WLCSP技術(shù)與應(yīng)用\t
8．1 基于TSV和圓片鍵合的3D WLCSP技術(shù)\t
8．1．1 圖像傳感器圓片級封裝技術(shù)\t
8．1．2 車載圖像傳感器產(chǎn)品圓片級封裝技術(shù)\t
8．1．3 垂直TSV技術(shù)圖像傳感器圓片級封裝工藝\t
8．2 基于Via-last型TSV的埋入硅基3D扇出型封裝技術(shù)
8．2．1 封裝工藝流程\t
8．2．2 封裝工藝研究\t
8．2．3 背面制造工藝流程\t
8．3 3D圓片級扇出型封裝技術(shù)\t
8．4 本章小結(jié)\t
第9章 3D集成電路集成工藝與應(yīng)用\t
9．1 3D集成電路集成方法\t
9．1．1 C2C堆疊\t
9．1．2 C2W堆疊\t
9．1．3 W2W堆疊\t
9．2 存儲器3D集成\t
9．2．1 三星動態(tài)隨機(jī)存取存儲器\t
9．2．2 美光混合立方存儲器\t
9．2．3 海力士高帶寬內(nèi)存\t
9．3 異質(zhì)芯片3D集成\t
9．3．1 異質(zhì)集成射頻器件\t
9．3．2 集成光電子器件\t
9．4 無凸點(diǎn)3D集成電路集成\t
9．5 3D集成模塊化整合\t
9．6 本章小結(jié)\t
第10章 3D集成電路的散熱與可靠性\t
10．1 3D集成電路中的熱管理\t
10．1．1 熱阻分析法\t
10．1．2 有限元分析法\t
10．2 3D集成電路散熱影響因素與改進(jìn)\t
10．3 TSV電學(xué)可靠性\t
10．4 TSV噪聲耦合\t
10．5 TSV的熱機(jī)械可靠性\t
10．5．1 TSV中的熱機(jī)械失效\t
10．5．2 TSV熱機(jī)械可靠性影響因素\t
10．6 3D集成電路中的電遷移\t
10．6．1 電遷移現(xiàn)象\t
10．6．2 電遷移的基本理論\t
10．6．3 溫度和應(yīng)力對電遷移的影響\t
10．6．4 電遷移失效模型\t
10．6．5 影響電遷移的因素和降低電遷移的措施\t
10．7 3D集成電路中的熱力學(xué)可靠性\t
10．7．1 封裝結(jié)構(gòu)對可靠性的影響\t
10．7．2 3D集成電路中的失效問題\t
10．7．3 3D集成電路熱力學(xué)分析與測試\t
10．8 3D封裝中芯片封裝交互作用\t
10．8．1 封裝形式對芯片失效的影響\t
10．8．2 芯片和封裝交互影響問題\t
10．8．3 交互影響分析和設(shè)計(jì)\t
10．9 本章小結(jié)\t
參考文獻(xiàn)