CMOS模擬與混合信號(hào)集成電路設(shè)計(jì)：創(chuàng)新與實(shí)戰(zhàn)

定　價(jià)：￥119.00

作　者：	[馬] 阿珠納·馬爾祖基（Arjuna Marzuki）著，高志強(qiáng)，李林譯
出版社：	機(jī)械工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787111695943	出版時(shí)間：	2022-01-01	包裝：	平裝
開(kāi)本：	16開(kāi)	頁(yè)數(shù)：	240	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書(shū)旨在為應(yīng)用于片上系統(tǒng)（SOC）或?qū)Ｓ脴?biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品（ASSP）研發(fā)的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）模擬及混合信號(hào)電路設(shè)計(jì)提供完整的應(yīng)用知識(shí)。面向?qū)€性電路、離散概念、微電子器件與超大規(guī)模集成電路（VLSI）系統(tǒng)有一定了解的讀者。本書(shū)的首章介紹了CMOS模擬與混合信號(hào)電路設(shè)計(jì)，對(duì)模擬與混合信號(hào)電路設(shè)計(jì)學(xué)科進(jìn)行概述，并引入了模擬及數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)相關(guān)概念。本章還涉及到對(duì)技術(shù)、電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)與方法論等三維因素的描述和折衷方案的討論。

作者簡(jiǎn)介

　　阿珠納&;馬爾祖基（Arjuna Marzuki），馬來(lái)西+AD24亞理科大學(xué)電子電氣工程學(xué)院副教授和博士生導(dǎo)師，教授模擬集成電路課程，指導(dǎo)博士生在微電子領(lǐng)域開(kāi)展相關(guān)研究，發(fā)表了60多篇論文。曾在Hewlett-Packard、Agilent Technologies和Avago Technologies等公司從事RFIC、光器件、ADC等電路和芯片設(shè)計(jì)工作，具有豐富的IC產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、管理和教學(xué)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。他是馬來(lái)西亞工程師理事會(huì)和英國(guó)工程委員會(huì)的注冊(cè)工程師，還是英國(guó)工程技術(shù)學(xué)會(huì)（IET）會(huì)士。

圖書(shū)目錄

譯者序
前言
致謝
作者簡(jiǎn)介
第1章 CMOS模擬與混合信號(hào)電路設(shè)計(jì)概述
11 引言
12 字符、符號(hào)和術(shù)語(yǔ)
13 工藝、電路拓?fù)浜头椒ㄕ?br />14 模擬與混合信號(hào)集成設(shè)計(jì)概念
15 小結(jié)
第2章器件概述
21 引言
22 PN結(jié)
221 費(fèi)米能級(jí)
222 耗盡層電容
223 存儲(chǔ)電容
23 光電器件
24 場(chǎng)效應(yīng)管
241 長(zhǎng)溝道逼近
242 MOSFET按比例縮小
243 弱反型
244 短溝道效應(yīng)
245 MOSFET電容
246 MOSFET特征頻率
247 噪聲
25 工藝擬合比
26 MOSFET參數(shù)練習(xí)
27 SPICE示例
28 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第3章放大器
31 引言
32 輸入電壓范圍
321 原理
322 示例
33 CMOS運(yùn)算放大器的信號(hào)通路
331 整體信號(hào)路徑
332 負(fù)載
333 共源共柵電流源
334 示例
34 CMOS放大器參數(shù)
341 輸入失調(diào)
342 共模電壓輸入范圍
343 電流損耗
344 共模抑制比
345 電源抑制比
346 擺率和建立時(shí)間
347 直流增益、fc和fT
348 噪聲
349 失真
35 共模反饋
36 放大器的補(bǔ)償結(jié)構(gòu)
361 環(huán)路響應(yīng)
362 脈沖響應(yīng)
37 寬帶放大器技術(shù)
371 源和負(fù)載
372 級(jí)聯(lián)和反饋
38 放大器中的噪聲
381 電路中的噪聲
382 單級(jí)放大器中的噪聲
383 差分對(duì)的噪聲
384 帶電阻反饋的放大器的噪聲
385 噪聲帶寬
39 電流密度設(shè)計(jì)方法
310 版圖示例
311 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第4章低功耗放大器
41 引言
42 低壓CMOS放大器
421 襯底控制
422 電路技術(shù)
43 亞閾值效應(yīng)
44 電流復(fù)用CMOS放大器
45 其他技術(shù)
46 SPICE示例
47 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第5章穩(wěn)壓源、電壓基準(zhǔn)和電壓偏置
51 引言
52 電流源
53 自偏置
54 CTAT和PTAT
55 帶隙基準(zhǔn)電壓源
56 沒(méi)有二極管的基準(zhǔn)電壓
57 共源共柵電流源
58 穩(wěn)壓電源
59 設(shè)計(jì)示例
510 SPICE示例
511 版圖示例
512 小結(jié)
練習(xí)
參考文獻(xiàn)
第6章高級(jí)模擬電路概論
61 引言
62 MOSFET用作開(kāi)關(guān)
63 基本開(kāi)關(guān)電容
64 有源積分器
641 對(duì)寄生電容不敏感的同相開(kāi)關(guān)電容
642 無(wú)延遲反向積分器
643 對(duì)寄生電容不敏感的延遲反向開(kāi)關(guān)電容
644 離散時(shí)間的開(kāi)關(guān)電容
645 帶延遲的同相有源積分器
65 采樣保持放大器
66 可編程增益放大器
661 時(shí)序
662 共模反饋
67 斬波放大器
68 動(dòng)態(tài)元件匹配技術(shù)
69 無(wú)電阻電流基準(zhǔn)
610 開(kāi)關(guān)模式轉(zhuǎn)換器
611 SPICE示例
612 版圖說(shuō)明
613 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第7章數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器
71 引言
72 數(shù)模轉(zhuǎn)換器
721 電阻串拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
722 電流舵結(jié)構(gòu)
723 混合結(jié)構(gòu)
724 DAC微調(diào)或校準(zhǔn)
725 毛刺
73 模數(shù)轉(zhuǎn)換器
731 斜坡型模數(shù)轉(zhuǎn)換器
732 逐次逼近寄存器模數(shù)轉(zhuǎn)換器
733 閃爍型模數(shù)轉(zhuǎn)換器
734 流水線型模數(shù)轉(zhuǎn)換器
735 過(guò)采樣型模數(shù)轉(zhuǎn)換器
74 SPICE示例
741 DAC示例
742 ADC示例
75 版圖示例
76 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第8章 CMOS顏色和圖像傳感器電路設(shè)計(jì)
81 引言
82 技術(shù)和方法論
821 CMOS圖像傳感器技術(shù)和工藝綜述
822 背面照度
823 光電器件
824 設(shè)計(jì)方法論
83 CMOS顏色傳感器
831 跨阻放大器拓?fù)?br />832 電流頻率拓?fù)?br />833 電流積分拓?fù)?br />84 CMOS圖像傳感器
841 CMOS圖像傳感器結(jié)構(gòu)
842 模擬像素傳感器
843 數(shù)字像素傳感器
844 低功耗和低噪聲技術(shù)
85 SPICE示例
86 版圖示例
87 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第9章外圍電路
91 引言
92 振蕩器
921 環(huán)形振蕩器
922 RC振蕩器
923 斜坡振蕩器
93 非交疊時(shí)鐘發(fā)生器
94 接口電路
941 基本接口電路
942 I2C總線
95 輸入/輸出壓焊點(diǎn)
96 施密特觸發(fā)電路
97 電壓水平調(diào)節(jié)器
98 上電復(fù)位
99 靜電防護(hù)電路
910 SPICE示例
911 版圖示例
912 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第10章版圖和封裝
101 引言
102 工藝
1021 天線規(guī)則
1022 電遷移和金屬密度
1023 剪切應(yīng)力
103 平面布局
104 ESD和I/O壓焊版圖
1041 低寄生電容壓焊點(diǎn)
1042 密封環(huán)
105 模擬電路版圖技術(shù)
1051 匹配
1052 保護(hù)環(huán)
1053 屏蔽
1054 電壓降
1055 金屬注入
1056 襯底觸塞......