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中子單粒子效應(yīng)

中子單粒子效應(yīng)

定 價:¥135.00

作 者: 陳偉 等 著
出版社: 科學(xué)出版社
叢編項: 輻射環(huán)境模擬與效應(yīng)叢書
標(biāo) 簽: 暫缺

ISBN: 9787030710345 出版時間: 2022-06-01 包裝: 精裝
開本: 16開 頁數(shù): 203 字?jǐn)?shù):  

內(nèi)容簡介

  高能宇宙射線與大氣相互作用產(chǎn)生大量次級中子,在半導(dǎo)體器件中引起中子單粒子效應(yīng),可導(dǎo)致電子系統(tǒng)產(chǎn)生軟錯誤或者硬損傷,影響飛機或者臨近空間飛行器飛行的可靠性和安全性。《中子單粒子效應(yīng)》主要介紹大氣中子輻射環(huán)境及建模、中子輻射模擬裝置和中子輻射環(huán)境測量技術(shù)、中子單粒子效應(yīng)機理與數(shù)值模擬方法,以及實驗方法和數(shù)據(jù)處理方法,并給出單能中子源、散裂中子源、核反應(yīng)堆、高山等典型環(huán)境的中子單粒子效應(yīng)實驗結(jié)果。

作者簡介

暫缺《中子單粒子效應(yīng)》作者簡介

圖書目錄

目錄
叢書序
前言
第1章 緒論 1 
1.1 空間輻射環(huán)境 1 
1.2 典型輻射效應(yīng) 5 
1.3 單粒子效應(yīng) 8 
1.4 本書主要內(nèi)容 11
參考文獻 11
第2章 大氣中子輻射環(huán)境 14 
2.1 大氣中子來源簡介 14 
2.2 大氣中子輻射環(huán)境模型 16 
2.2.1 初級宇宙射線模型 17 
2.2.2 地磁截止剛度模型 20 
2.2.3 大氣分層模型 23 
2.2.4 粒子輸運模擬 24 
2.3 大氣中子輻射環(huán)境模擬軟件 27 
2.3.1 軟件簡介 27 
2.3.2 軟件基本功能 29 
2.4 典型大氣中子輻射環(huán)境計算結(jié)果 30 
2.5 小結(jié) 34
參考文獻 34
第3章 中子輻射模擬裝置 36 
3.1 單能中子源 38 
3.1.1 產(chǎn)生單能中子的核反應(yīng) 38 
3.1.2 中子發(fā)生器 39 
3.1.3 靜電加速器 42 
3.1.4 可變能量中子源 46 
3.2 準(zhǔn)單能中子源 46 
3.2.1 7Li(p,n)中子源典型布局及參數(shù) 47 
3.2.2 準(zhǔn)單能中子源舉例 49 
3.2.3 國內(nèi)的準(zhǔn)單能中子源 54 
3.3 白光中子源 55 
3.3.1 白光中子源簡介 55 
3.3.2 中國散裂中子源反角白光中子源 56 
3.3.3 國外三個典型的白光中子源 61 
3.4 反應(yīng)堆中子源 65 
3.4.1 西安脈沖反應(yīng)堆主要特點 65 
3.4.2 西安脈沖反應(yīng)堆中子參數(shù)測試 67 
3.5 小結(jié) 70
參考文獻 70
第4章 中子輻射環(huán)境測量技術(shù) 73 
4.1 中子測量技術(shù)簡介 73 
4.1.1 大氣中子探測技術(shù) 73 
4.1.2 快中子能譜測量 77 
4.2 大氣中子輻射探測器 78 
4.2.1 雙層閃爍探測器 78 
4.2.2 Bonner球探測器 90 
4.2.3 粒子甄別與能譜采集 95 
4.3 標(biāo)定方法 104 
4.3.1 雙層閃爍探測器 105 
4.3.2 Bonner球探測器 109 
4.4 雙層閃爍探測器中子、質(zhì)子能譜解譜方法 111 
4.4.1 探測器能量響應(yīng) 111 
4.4.2 解譜原理 111 
4.4.3 解譜算法 112 
4.4.4 能譜反演 115 
4.5 小結(jié) 117
參考文獻 117
第5章 中子單粒子效應(yīng)機理與數(shù)值模擬 121 
5.1 中子單粒子效應(yīng)物理過程 121 
5.1.1 電荷沉積 121 
5.1.2 電荷收集 122 
5.1.3 電路響應(yīng) 123 
5.2 中子單粒子效應(yīng)粒子輸運模型 124 
5.2.1 器件幾何模型 125 
5.2.2 截面計算模型 126 
5.2.3 物理處理列表 127 
5.3 典型存儲器中子單粒子效應(yīng)模擬 128 
5.3.1 大氣中子單粒子效應(yīng)模擬 128 
5.3.2 裂變中子單粒子效應(yīng)模擬 136 
5.4 小結(jié) 138
參考文獻 138
第6章 中子單粒子效應(yīng)測量及數(shù)據(jù)處理方法 140 
6.1 中子單粒子效應(yīng)測量和判別 140 
6.1.1 中子單粒子效應(yīng)測量 140 
6.1.2 中子單粒子效應(yīng)判別 141 
6.2 MCU提取方法 142 
6.2.1 基于時間或空間的提取方法 142 
6.2.2 基于統(tǒng)計學(xué)的提取方法 144 
6.3 實驗結(jié)果不確定度分析 148 
6.3.1 不確定度的基本概念 148 
6.3.2 實驗不確定度的來源 149 
6.3.3 實驗不確定度的評定 150 
6.4 不同中子源的單粒子效應(yīng)實驗方法 153 
6.4.1 (準(zhǔn))單能中子實驗方法 153 
6.4.2 散裂中子實驗方法 154 
6.4.3 大氣中子實驗方法 155 
6.4.4 器件單粒子效應(yīng)率計算 156 
6.5 單粒子效應(yīng)測量系統(tǒng) 156 
6.5.1 基本要求 156 
6.5.2 典型測量系統(tǒng) 158 
6.6 小結(jié) 162
參考文獻 162
第7章 中子單粒子效應(yīng)實驗 165 
7.1 單能中子單粒子效應(yīng)實驗 165 
7.1.1 SRAM單能中子實驗 166 
7.1.2 數(shù)字信號處理器單能中子實驗 168 
7.2 散裂中子單粒子效應(yīng)實驗 170 
7.2.1 實驗基本情況 171 
7.2.2 影響因素分析 174 
7.2.3 實驗結(jié)果討論 180 
7.2.4 中國散裂中子源與大氣中子的等效性 181 
7.3 反應(yīng)堆中子單粒子效應(yīng)實驗 183 
7.3.1 典型實驗結(jié)果 183 
7.3.2 影響因素分析 186 
7.3.3 反應(yīng)堆實驗結(jié)果討論 187 
7.4 地面和高山大氣中子單粒子效應(yīng)實驗 188 
7.4.1 羊八井高山實驗 188 
7.4.2 歐洲高原實驗 191 
7.5 航空飛行中子單粒子效應(yīng)實驗 192 
7.5.1 Samsung SRAM芯片抗單粒子翻轉(zhuǎn)能力測試 193 
7.5.2 NEC SRAM存儲芯片抗單粒子翻轉(zhuǎn)能力測試 193 
7.5.3 IMS1601 SRAM芯片航空飛行抗單粒子翻轉(zhuǎn)能力測試 194 
7.6 小結(jié) 195
參考文獻 195
附錄 198

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