阻變存儲(chǔ)器中離子擴(kuò)散動(dòng)力學(xué)研究

　　《阻變存儲(chǔ)器中離子擴(kuò)散動(dòng)力學(xué)研究》圍繞阻變存儲(chǔ)器中的氧離子擴(kuò)散動(dòng)力學(xué)展開(kāi)研究，以阻變存儲(chǔ)器常用介質(zhì)層Ta2O5為主要研究對(duì)象，采用密度泛函理論的原理計(jì)算與實(shí)驗(yàn)研制相結(jié)合的方法，研究氧原子擴(kuò)散勢(shì)壘對(duì)氧空位導(dǎo)電通道的調(diào)控機(jī)制，分別用理論計(jì)算和實(shí)驗(yàn)探索Ta2O5中子半徑、離子電負(fù)性、氧空位之間相互作用對(duì)原子擴(kuò)散勢(shì)壘的調(diào)控規(guī)律。基于此規(guī)律，實(shí)驗(yàn)制備相應(yīng)阻變存儲(chǔ)器器件，研究調(diào)控手段影響下的器件操作電壓、阻態(tài)穩(wěn)定性參數(shù)，獲取摻雜離子半徑、離子電負(fù)性、氧空位之間相互作用-擴(kuò)散勢(shì)壘-操作電壓、阻態(tài)穩(wěn)定性之間的關(guān)系，進(jìn)一步得到原子擴(kuò)散勢(shì)壘-導(dǎo)電通道的關(guān)系，明確擴(kuò)散勢(shì)壘對(duì)器件導(dǎo)電通道調(diào)控機(jī)制?！蹲枳兇鎯?chǔ)器中離子擴(kuò)散動(dòng)力學(xué)研究》可供微電子專(zhuān)業(yè)、集成電路專(zhuān)業(yè)本科生、研究生，以及從事半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的人員和大專(zhuān)院校相關(guān)專(zhuān)業(yè)教師參考使用。

暫缺《阻變存儲(chǔ)器中離子擴(kuò)散動(dòng)力學(xué)研究》作者簡(jiǎn)介