碳化硅半導體技術與應用（原書第2版）

定　價：￥168.00

作　者：	[日] 松波弘之，大谷昇，木本恒暢，中村孝等著
出版社：	機械工業(yè)出版社
叢編項：	半導體與集成電路關鍵技術叢書
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787111705161	出版時間：	2022-07-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	396	字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　以日本碳化硅學術界元老京都大學名譽教授松波弘之、關西學院大學知名教授大谷昇、京都大學實力派教授木本恒暢和企業(yè)實力代表羅姆株式會社的中村孝先生為各技術領域的牽頭，集日本半導體全產(chǎn)業(yè)鏈的產(chǎn)學研各界中的骨干代表，在各自的研究領域結(jié)合各自多年的實際經(jīng)驗，撰寫了這本囊括碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的技術焦點，以技術為主導、以應用為目的的實用型專業(yè)指導書。書中從理論面到技術面層次分明、清晰易懂地展開觀點論述，內(nèi)容覆蓋碳化硅材料和器件從制造到應用的全產(chǎn)業(yè)鏈，不僅表述了碳化硅各環(huán)節(jié)的科學原理，還介紹了各種相關的工藝技術。本書對推動我國碳化硅半導體領域的學術研究和產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有積極意義，適合功率半導體器件設計、工藝設備、應用、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃和投資領域人士閱讀，也可作為相關專業(yè)高年級學生的理想選修教材。

作者簡介

　　松波弘之 1962年畢業(yè)于京都大學工學部，1970年獲得工學博士，1976—1977年擔任美國北卡羅萊納州立大學客座副教授，1983年擔任京都大學教授，2003年退休后擔任京都大學名譽教授。專業(yè)：半導體材料工程學。大谷昇 1984年完成東京工業(yè)大學物理學碩士課程，2008年擔任日本關西學院大學教授。專業(yè)：碳化硅半導體材料的晶體生長以及缺陷物理學。木本恒暢 1986年畢業(yè)于京都大學工學部。1988年進入住友電氣工業(yè)公司伊丹研究所工作。2006年至今，擔任京都大學教授。專業(yè)：半導體材料，器件。中村孝 1990年進入羅姆公司，進行大規(guī)模集成電路的工藝開發(fā)。1996年獲得京都大學工學博士學位。2003年至今，從事碳化硅功率器件開發(fā)工作。

圖書目錄

目錄
推薦序一
推薦序二
譯者序
原書前言
原書編委會成員
原書作者名單
第1章碳化硅（SiC）技術的進展
1.1發(fā)展的歷史背景
1.2臺階控制外延生長模式的發(fā)明（SiC技術的大突破）
1.3SiC襯底結(jié)晶的研發(fā)進展
1.4運用于功率半導體的前景
1.5肖特基二極管的產(chǎn)業(yè)化
1.6晶體管的產(chǎn)業(yè)化
1.7功率器件模塊
第2章SiC的特征
第3章SiC單晶的晶體生長技術
3.1SiC晶體生長的基礎
3.2升華法
3.2.1使用升華法生長大尺寸SiC晶體
3.2.2RAF生長法
3.3液相法
3.3.1通過添加金屬溶媒的SiC單晶液相生長
3.3.2在六方晶襯底上進行3C-SiC液相生長
3.3.3MSE法
3.4氣相法
3.4.1氣體生長法
3.4.2Si襯底上生長3C-SiC厚膜
3.5SiC晶體生長工藝的仿真模擬技術
3.5.1升華法生長單晶的仿真模擬
3.5.2橫向熱壁CVD生長模擬
第4章SiC單晶襯底加工技術
4.1SiC單晶多線切割
4.1.1加工設備以及工具
4.1.2各種加工方式的優(yōu)缺點
4.2SiC單晶襯底的研磨技術
4.2.1粗加工
4.2.2精加工
4.2.3雙面CMP
4.3SiC單晶的新加工法
4.3.1CARE法
4.3.2放電加工法
第5章SiC外延生長技術
5.1SiC外延生長的基礎
5.2SiC外延生長技術的進展
5.2.1SiC外延層的高品質(zhì)化
5.2.2SiC外延層的高速生長
5.3有關SiC外延生長中晶體缺陷的研究
5.3.1擴展缺陷
5.3.2點缺陷
專欄：石墨烯
第6章SiC的表征技術
6.1SiC的物理性質(zhì)評價
6.1.1光致發(fā)光
6.1.2拉曼散射評估
6.1.3霍爾效應
6.1.4載流子壽命測量
6.2SiC的缺陷評估
6.2.1采用化學刻蝕評估位錯
6.2.2X射線形貌法下的位錯、堆垛層錯缺陷等的評估
6.2.3深能級評估
6.2.4電子自旋共振（ESR）下的點缺陷評估
專欄：晶圓成像評估
ⅩⅤⅠⅠⅩⅤⅠⅠⅠ第7章SiC的工藝技術
7.1離子注入
7.1.1維持SiC表面平坦化
7.1.2低電阻n型區(qū)的形成
7.1.3低電阻p型區(qū)的形成
7.1.4離子注入的Al與B的分布控制
7.2刻蝕
7.2.1反應等離子體刻蝕
7.2.2高溫刻蝕
7.2.3濕法刻蝕
7.2.4刻蝕形狀的控制
7.3柵極絕緣層
7.3.1MOS界面基礎與界面物理性質(zhì)評估法
7.3.2熱氧化膜
7.3.3沉積氧化膜
7.3.4高相對介電常數(shù)絕緣膜
7.4電極
7.4.1歐姆電極
7.4.2肖特基電極
專欄：MEMS
第8章器件
8.1器件設計
8.1.1漂移層的設計與導通電阻
8.1.2器件的功率損耗
8.2模擬實驗
8.2.1功率器件的等比例縮小和巴利加優(yōu)值
8.2.2SiC功率器件模擬的收斂問題
8.2.3SiC的碰撞電離系數(shù)的各向異性
8.2.4SiC器件的終端結(jié)構
8.3二極管
8.3.1pn結(jié)二極管
8.3.2肖特基勢壘二極管
8.4單極型晶體管
8.4.1DMOSFET
8.4.2溝槽MOSFET
8.4.3DACFET
8.4.4IEMOSFET
8.4.5JFET
8.4.6嵌入溝槽型SiC JFET
8.4.7SIT
8.5雙極型晶體管
8.5.1BJT
8.5.2晶閘管，GCT
8.6高輸出功率、高頻率器件
8.6.1晶體管
8.6.2二極管
專欄：絕緣柵雙極型晶體管
第9章SiC應用系統(tǒng)
9.1SiC器件在電路工藝上的應用
9.1.1SiC功率器件的應用領域以及電路設計
9.1.2電路小型化的SiC功率器件應用
9.1.3SiC功率器件在電路上的應用實例
9.2在逆變電路上的應用（1）：通用逆變器
9.2.1通用逆變器主要結(jié)構
9.2.2逆變器單元設計、試制示例
9.3在逆變電路上的應用（2）：車載逆變器
9.3.1車載逆變器的構成
9.3.2車載逆變器對功率半導體性能的要求以及
對SiC的期待
9.3.3SiC逆變器的車載實例
9.3.4車載SiC逆變器今后的研究課題
9.4在逆變電路上的應用（3）：鐵路用逆變器
9.4.1鐵路用逆變器與功率器件
9.4.2鐵路用逆變器的電路結(jié)構
9.4.3鐵路用逆變器上的SiC器件應用
9.5在逆變電路上的應用（4）：電力用逆變器
9.5.1使用SiC二極管的混合結(jié)構逆變器與電力穩(wěn)定裝置
9.5.2SiC MOSFET構成的太陽能電池并網(wǎng)用三相逆變器
9.5.3帶有應對瞬時電壓下降功能的負荷平衡裝置用
高過載三相全SiC逆變器
專欄：高耐熱模塊
ⅩⅠⅩⅩⅩ第10章各領域SiC應用前景
10.1新能源汽車
10.1.1汽車行業(yè)的外部環(huán)境
10.1.2豐田HV的過去、現(xiàn)在和將來
10.1.3最新HV
10.1.4對SiC產(chǎn)業(yè)今后的期待
10.2太陽能發(fā)電
10.2.1光伏逆變器
10.2.2對下一代功率半導體的期待
10.3電源，UPS
10.3.1直流電源
10.3.2UPS
10.4鐵路
10.4.1鐵路列車半導體電力變換裝置概要
10.4.2鐵路電氣化方式
10.4.3主電路用逆變器
10.4.4交流電氣化區(qū)域的主電路
10.4.5SIV
10.4.6變電站
10.4.7市場規(guī)模
10.4.8SiC化的動向
10.5家電
10.5.1家電領域的電力使用
10.5.2電力電子家電的變遷及SiC的萌芽
10.5.3家電的逆變器與功率半導體
10.5.4SiC器件的前景
10.6電力
10.6.1功率半導體器件的電力系統(tǒng)適用實例及SiC適用效果
10.6.2智能電網(wǎng)