極紫外光刻

定　價：￥128.00

作　者：	[美]哈利-杰-萊文森（Harry J.Levinson)
出版社：	上海科學技術(shù)出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787547857212	出版時間：	2022-09-01	包裝：	平裝-膠訂
開本：	16開	頁數(shù)：		字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　《極紫外光刻》是一本論述極紫外光刻技術(shù)的最新專著。本書全面而又精煉地介紹了極紫外光刻技術(shù)的各個方面及其發(fā)展歷程，內(nèi)容不僅涵蓋極紫外光源、極紫外光刻曝光系統(tǒng)、極紫外掩模版、極紫外光刻膠、極紫外計算光刻等方面，而且還介紹了極紫外光刻生態(tài)系統(tǒng)的其他方面，如極紫外光刻工藝特點和工藝控制、極紫外光刻量測的特殊要求，以及對技術(shù)發(fā)展路徑有著重要影響的極紫外光刻的成本分析等內(nèi)容。最后本書還討論了滿足未來的芯片工藝節(jié)點要求的極紫外光刻技術(shù)發(fā)展方向。

作者簡介

　　哈利•杰•萊文森（Harry J.Levinson），國際光學工程學會（SPIE）會士，HJL Lithography 的獨立光刻顧問和首席光刻師，專注于光刻領(lǐng)域多年。曾在Sierra Semiconductor和IBM擔任過職位。曾將光刻應用于許多不同的技術(shù)，包括雙極存儲器、64MB和256MB DRAM開發(fā)、專用集成電路芯片制造、磁記錄薄膜磁頭、閃存和先進邏輯芯片等。曾數(shù)年擔任美國光刻技術(shù)工作組主席，參與制定了《國際半導體技術(shù)路線圖》中有關(guān)光刻技術(shù)的章節(jié)。他是硅谷首批SVG-5倍步進式光刻機的用戶之一，也是248nm、193nm和極紫外光刻的早期參與者；撰寫的著作還有：《光刻工藝控制》《光刻原理》，擁有70多項美國專利。高偉民，阿斯麥公司（ASML）中國區(qū)技術(shù)總監(jiān)，資深的光刻技術(shù)專家。獲浙江大學光學工程學士學位和比利時魯汶大學物理學碩士、博士學位，先后就職于比利時微電子研發(fā)中心（IMEC）和美國新思科技（Synopsys）。專注光刻技術(shù)研發(fā)，浸潤先進光刻技術(shù)研發(fā)20年，參與了從0.13μm到5nm節(jié)點的多世代芯片光刻技術(shù)開發(fā)，擁有15年極紫外光刻技術(shù)研發(fā)的豐富經(jīng)驗。還在各種國際期刊和會議上發(fā)表了100多篇論文，擔任多個國際會議組委并多次作邀請演講。

圖書目錄

第1章緒論
1.1 光刻技術(shù)的歷史背景/1
1.2 光刻技術(shù)的組成部分 /3
1.3 材料考量和多層膜反射鏡/4
1.4 一般性問題 /11
習題/12
參考文獻/12
第2章 EUV光源
2.1 激光等離子體光源/15
2.2 放電等離子體光源/28
2.3 自由電子激光器/32
習題/36
參考文獻/36
第3章 EUV光刻曝光系統(tǒng)
3.1 真空中的EUV光刻/40
3.2 照明系統(tǒng) /45
3.3 投影系統(tǒng)/47
3.4 對準系統(tǒng)/52
3.5 工件臺系統(tǒng)/53
3.6 聚焦系統(tǒng) /54
習題/55
參考文獻/56
第4章 EUV掩模
4.1 EUV掩模結(jié)構(gòu)/60
4.2 多層膜和掩模基板缺陷/66
4.3 掩模平整度和粗糙度/71
4.4 EUV掩模制作/74
4.5 EUV掩模保護膜/75
4.6 EUV掩模放置盒/83
4.7 其他EUV掩模吸收層與掩模架構(gòu)/85
習題/88
參考文獻/88
第5章 EUV光刻膠
5.1 EUV化學放大光刻膠的曝光機制/95
5.2 EUV光刻中的隨機效應/98
5.3 化學放大光刻膠的新概念/108
5.4 金屬氧化物EUV光刻膠/110
5.5 斷裂式光刻膠/111
5.6 真空沉積光刻膠/111
5.7 光刻膠襯底材料/113
習題/114
參考文獻/115
第6章 EUV計算光刻
6.1 傳統(tǒng)光學鄰近校正的考量因素/121
6.2 EUV掩模的三維效應/125
6.3 光刻膠的物理機理/133
6.4 EUV光刻的成像優(yōu)化/135
習題/138
參考文獻/139
第7章 EUV光刻工藝控制
7.1 套刻/144
7.2 關(guān)鍵尺寸控制/149
7.3 良率 / 151
習題/155
參考文獻/156
第8章 EUV光刻的量測
8.1 掩?；迦毕輽z測/160
8.2 EUV掩模測評工具/163
8.3 量產(chǎn)掩模驗收工具/165
8.4 材料測試工具/168
習題/169
參考文獻/170
第9章 EUV光刻成本
9.1 晶圓成本 /173
9.2 掩模成本/181
習題/182
參考文獻/182
第10章未來的EUV光刻
10.1 k【能走多低/184
10.2 更高的數(shù)值孔徑/186
10.3 更短的波長/193
10.4 EUV多重成形技術(shù)/194
10.5 EUV光刻的未來/195
習題/195
參考文獻/196
索引