雷達(dá)與通信系統(tǒng)收發(fā)組件技術(shù)

第1章 相控陣
1.1 雷達(dá)與通信系統(tǒng)中的相控陣
1.2 天線
1.3 天線方向圖和線陣
1.4 電掃天線
1.5 雷達(dá)探測(cè)方程
1.6 氣象雷達(dá)方程
1.7 通信系統(tǒng)中的相控陣
1.8 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第2章 T／R組件
2.1 T／R組件概述
2.2 T／R組件早期開(kāi)發(fā)工作
2.3 基于MMIC的T／R組件
2.4 T／R組件的性能要求
2.5 T／R組件元器件
2.5.1 T／R開(kāi)關(guān)
2.5.2 移相器
2.5.3 衰減器
2.5.4 多功能芯片
2.5.5 驅(qū)動(dòng)放大器
2.5.6 功率放大器
2.5.7 環(huán)行器／雙工器
2.5.8 限幅器或接收保護(hù)電路
2.5.9 低噪聲放大器
2.6 組件控制和電源
2.7 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第3章 T／R組件中的半導(dǎo)體
3.1 引言
3.2 半導(dǎo)體材料
3.2.1 砷化鎵
3.2.2 異質(zhì)材料
3.2.3 碳化硅
3.2.4 氮化鎵
3.2.5 磷化銦
3.2.6 鍺硅
3.3 射頻半導(dǎo)體晶圓制造流程
3.3.1 隔離
3.3.2 歐姆接觸
3.3.3 柵制作
3.3.4 介質(zhì)沉積
3.3.5 電鍍
3.3.6 空氣橋
3.4 有源器件
3.4.1 GaAs MESFlET
3.4.2 GaAs PHEMT
3.4.3 GaN HEMT
3.5 MMIC
3.6 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第4章 T／R組件的信號(hào)完整性問(wèn)題
4.1 引言
4.2 芯片級(jí)互連
4.2.1 引線鍵合方法
4.2.2 引線鍵合模型
4.2.3 倒裝芯片方法
4.3 封裝／模塊級(jí)互連
4.3.1 模塊級(jí)互連
4.3.2 SMT封裝互連
4.4 傳輸線互連
4.5 互連間的耦合
4.6 垂直過(guò)渡互連
4.7 組件級(jí)諧振
4.8 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第5章 T／R組件的材料
5.1 引言
5.2 電氣參數(shù)和測(cè)試
5.2.1 介電常數(shù)
5.2.2 損耗角正切值
5.2.3 介電常數(shù)和損耗角正切值的測(cè)量
5.2.4 金屬電導(dǎo)率
5.3 機(jī)械參數(shù)
5.3.1 熱導(dǎo)率
5.4 陶瓷材料
5.4.1 薄膜陶瓷
5.4.2 厚膜陶瓷
5.4.3 熱增強(qiáng)厚膜工藝
5.4.4 高溫共燒陶瓷
5.4.5 低溫共燒陶瓷
5.5 層壓封裝
5.5.1 層壓板制造
5.5.2 高性能層壓材料
5.5.3 液晶聚合物
5.5.4 MCM-L層壓板多芯片組件
5.6 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第6章 T／R組件的散熱問(wèn)題及其解決方案
6.1 引言
6.2 高功率放大器芯片的熱流密度
6.3 放大器效率和熱損耗
6.4 熱阻和器件結(jié)溫
6.5 T／R組件中器件散熱示例
6.6 可靠性計(jì)算
6.7 應(yīng)用于T／R組件的金剛石基GaN高功率放大器
6.8 sPIcE熱仿真
6.9 熱測(cè)量
6.9.1 電測(cè)法
6.9.2 光學(xué)測(cè)量法
6.9.3 采用液晶熱像儀進(jìn)行溫度測(cè)量
6.9.4 使用替代驗(yàn)證芯片進(jìn)行熱設(shè)計(jì)
6.10 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第7章 MMIC制造和T／R組件制造
7.1 引言
7.2 MMIC制造
7.2.1 MMIC廠房
7.2.2 MMIC制造工藝
7.2.3 MMIc晶圓代工程序
7.3 T／R組件制造
7.3.1 T／R組件制造廠房
7.3.2 T／R組件制造工藝
7.4 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第8章 MMIC和T／R組件測(cè)試
8.1 引言
8.2 MMIC測(cè)試
8.2.1 來(lái)料檢測(cè)
8.2.2 過(guò)程中檢測(cè)
8.2.3 片上射頻性能測(cè)試
8.2.4 MMIC篩選測(cè)試
8.2.5 MMIC可靠性測(cè)試
8.3 T／R組件技術(shù)參數(shù)
8.4 T／R組件測(cè)試
8.4.1 關(guān)鍵電性能參數(shù)
8.4.2 x波段T／R組件關(guān)鍵參數(shù)要求示例
8.4.3 自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)
8.5 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第9章 MMIC和T／R組件成本
9.1 引言
9.2 MMIC成本
9.2.1 MMIC晶圓制造成本
9.2.2 晶圓制造工藝成品率
9.2.3 晶圓直徑對(duì)MMIC成本的影響
9.2.4 MMIc制造設(shè)施負(fù)荷對(duì)成本的影響
9.2.5 基于面積或輸出功率的MMIC成本
9.3 T／R組件成本
9.4 降低成本
9.4.1 降低MMIC成本
9.4.2 減少T／R組件成本
9.5 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第10章 下一代T／R組件
10.1 引言
10.2 單芯片T／R組件
10.3 晶圓級(jí)相控陣
10.4 si—CMOS：成本最低的單芯片T
10.5 數(shù)字波束形成
10.6 混合數(shù)字／模擬波束形成
10.7 波束切換和巴特勒矩陣相控陣
10.8 T／R組件的高度集成度封裝
10.9 低成本系統(tǒng)的途徑：開(kāi)放式架構(gòu)
10.10 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)