二維III-VI族化合物的自旋相關特性

定　價：￥49.00

作　者：	琚偉偉著
出版社：	化學工業(yè)出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787122413857	出版時間：	2022-06-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	160	字數(shù)：

內容簡介

　　本書是作者近年來在對低維納米材料的電子結構、磁特性以及自旋軌道耦合效應的研究基礎上撰寫而成的，系統(tǒng)地介紹了二維ⅢⅥ族化合物的自旋相關特性。全書共分七章，前兩章介紹了相關材料的研究背景及理論方法，第3章介紹了二維NⅢXⅥ（N＝Ga，In；X＝S，Se，Te）單層Rashba自旋劈裂的電場調控，第4章介紹了極性XABY（A，B＝Ga，In；X≠Y＝S，Se，Te）中顯著的Rashba自旋劈裂，第5章介紹了Ⅱ型Sb/InSe范德華異質結中Rashba自旋劈裂的偶極子控制，第6章介紹了InSe/MTe2（M＝Pd，Pt）范德華異質結的可調諧電子、光學和自旋電子特性，第7章介紹了InTe/PtSe2異質結中Rashba自旋劈裂效應。本書可供低維材料相關領域以及從事自旋電子學研究的科技工作者參考，也可作為高等院校相關專業(yè)的本科生和研究生的參考書。

作者簡介

暫缺《二維III-VI族化合物的自旋相關特性》作者簡介

圖書目錄

第1章緒論
1．1自旋電子學的發(fā)展2
1．2自旋軌道耦合作用5
1．3二維材料8
1．3．1石墨烯的基本特性8
1．3．2過渡金屬硫屬化合物的基本特性9
1．3．3Ⅲ-Ⅵ族硫屬化合物的基本特性11
參考文獻15
第2章理論方法
2．1能帶理論的三大近似21
2．1．1絕熱近似21
2．1．2單電子近似與密度泛函理論23
2．1．3布洛赫定理28
2．2勢與波函數(shù)的處理31
2．2．1平面波方法32
2．2．2原子軌道線性組合法34
2．2．3贗勢方法35
2．2．4投影綴加波法37
2．3Kohn-Sham方程的自洽求解40
參考文獻41
第3章二維NⅢXⅥ （N=Ga，In；X=S，Se，Te）單層Rashba自旋劈裂的電場調控
3．1概述47
3．2計算方法和模型50
3．3結果和討論52
參考文獻61
第4章極性XABY（A，B=Ga，In；X≠Y=S，Se，Te）中顯著的Rashba自旋劈裂
4．1概述69
4．2計算方法與模型72
4．3結果與討論75
參考文獻87
第5章Ⅱ型Sb/InSe范德華異質結中Rashba自旋劈裂的偶極子控制
5．1概述95
5．2計算方法98
5．3結果和討論99
5．3．1幾何結構99
5．3．2電子特性101
5．3．3自旋電子特性106
參考文獻113
第6章InSe/MTe2 (M=Pd，Pt)范德華異質結的可調諧電子、光學和自旋電子特性
6．1概述123
6．2計算方法125
6．3結果和討論126
6．3．1幾何結構和電子特性126
6．3．2光學特性135
6．3．3自旋電子特性135
參考文獻139
第7章InTe/PtSe2異質結中Rashba自旋劈裂效應
7．1概述147
7．2計算方法149
7．3結果和討論150
7．3．1異質結的構建150
7．3．2外界調控對異質結Rashba自旋劈裂的影響150
參考文獻156