光學光刻和極紫外光刻

定　價：￥195.00

作　者：	[美] 安迪·愛德曼著，高偉民，徐東波，諸波爾譯
出版社：	上?？茖W技術(shù)出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787547857205	出版時間：	2022-10-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	344	字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　《光學光刻和極紫外光刻》是一本Z新的光刻技術(shù)專著，內(nèi)容涉及該領(lǐng)域的各個重要方面。在介紹光刻技術(shù)應(yīng)用上，涵蓋了全面又豐富的內(nèi)容；在論述光刻技術(shù)的物理機制和數(shù)學模型時，采用了完整而不繁瑣的方法，增加了可讀性。本書在系統(tǒng)地闡述了光學光刻技術(shù)的基本內(nèi)容后，還專門開辟章節(jié)，介紹了最先進的極紫外光刻技術(shù)的特點和難點，揭示了極紫外光刻的技術(shù)奧秘。本書具有全面、完整、翔實和新穎的特點，它凝聚了作者三十多年光刻領(lǐng)域科研和教學的精華。

作者簡介

　　安迪·愛德曼（Andreas Erdmann），國際光學工程學會（SPIE）會士，德國弗勞恩霍夫協(xié)會（Fraunhofer）下屬集成系統(tǒng)和元器件技術(shù)研究所（IISB）計算光刻和光學部門的負責人。他還是埃朗根大學（University of Erlangen）的客座教授、國際Fraunhofer光刻仿真研討會的組織者，主持過國際光學工程學會（SPIE）的光學光刻和光學設(shè)計大會。擁有25年以上的光學光刻和極紫外光刻的研究經(jīng)驗，為多個先進光刻仿真軟件的發(fā)展做出了關(guān)鍵貢獻，其中包括光刻仿真軟件Dr.LiTHO的研發(fā)。高偉民，阿斯麥公司（ASML）中國區(qū)技術(shù)總監(jiān)，資深的光刻技術(shù)專家。獲浙江大學光學工程學士學位和比利時魯汶大學物理學碩士、博士學位。曾任職于比利時微電子研發(fā)中心（IMEC）和美國新思科技（Synopsys）。他專注先進光刻技術(shù)研發(fā)20多年，參與了從0.13μm到5nm節(jié)點的多世代先進光刻技術(shù)開發(fā)，擁有16年極紫外光刻技術(shù)研發(fā)的豐富經(jīng)驗。技術(shù)專長涵蓋了廣泛的光刻領(lǐng)域，包括光刻工藝開發(fā)、成像技術(shù)、分辨率增強技術(shù)、計算光刻、先進掩模和設(shè)計工藝協(xié)同優(yōu)化技術(shù)（DTCO）等。徐東波，比利時微電子研發(fā)中心（IMEC）研究員。獲中國科學院大學碩士學位和弗里德里希-亞歷山大-埃朗根-紐倫堡大學博士學位，博士攻讀于德國埃朗根弗勞恩霍夫（Fraunhofer IISB）計算光刻和光學小組。研究方向包括光學光刻和極紫外光刻仿真、光源掩模協(xié)同優(yōu)化（SMO）、光學鄰近效應(yīng)矯正（OPC）建模及圖像處理。諸波爾，阿斯麥公司（ASML）中國區(qū)計算光刻高級工程師、項目主管。獲浙江大學工學學士學位和中國科學院上海光學精密機械研究所博士學位（研究方向：高端光刻機技術(shù)）。擁有0.18μm～7nm全節(jié)點計算光刻研發(fā)經(jīng)驗，掌握光源掩模協(xié)同優(yōu)化（SMO）和光學鄰近效應(yīng)校正（OPC）建模在各制程節(jié)點中的應(yīng)用與優(yōu)化技術(shù)。此外，研究方向還包括EUV計算光刻、設(shè)計工藝協(xié)同優(yōu)化技術(shù)（DTCO）和嚴格電磁場仿真等。

圖書目錄

第1章光刻工藝概述

1.1微型化：　從微電子到納米技術(shù)_1

1.2光刻技術(shù)的發(fā)展史_3

1.3投影光刻機的空間成像_5

1.4光刻膠工藝_10

1.5光刻工藝特性_12

1.6小結(jié)_18

參考文獻_18

第2章投影光刻的成像原理

2.1投影光刻機_20

2.2成像理論_21

2.2.1傅里葉光學描述_21

2.2.2傾斜照明與部分相干成像_26

2.2.3其他成像仿真方法_30

2.3阿貝瑞利準則及其影響_30

2.3.1分辨率極限和焦深_31

2.3.2影響_36

2.4小結(jié)_39

參考文獻_39

第3章光刻膠

3.1光刻膠概述、常規(guī)反應(yīng)原理和現(xiàn)象學描述_42

3.1.1光刻膠的分類_42

3.1.2基于重氮萘醌的光刻膠_45

3.1.3先進的正型化學放大光刻膠_46

3.1.4現(xiàn)象學模型_48

3.2光刻膠工藝步驟和建模方法_50

3.2.1技術(shù)方面_50

3.2.2曝光_51

3.2.3曝光后烘焙_54

3.2.4化學顯影_58

3.3建模方法和緊湊光刻膠模型概述_61

3.4負型與正型光刻膠材料和工藝_65

3.5小結(jié)_68

參考文獻_69

第4章光學分辨率增強技術(shù)

4.1離軸照明_74

4.1.1線空圖形的最佳離軸照明形態(tài)_76

4.1.2接觸孔陣列的離軸照明_78

4.1.3從傳統(tǒng)/參數(shù)化的照明形態(tài)到自由照明形態(tài)_80

4.2光學鄰近效應(yīng)校正_81

4.2.1孤立密集線寬偏差補償_82

4.2.2線端縮短補償_84

4.2.3從基于規(guī)則到基于模型的OPC和反演光刻技術(shù)_85

4.2.4OPC模型和工藝流程_88

4.3相移掩模_89

4.3.1強相移掩模：　交替型相移掩模_90

4.3.2衰減型或弱相移掩模_97

4.4光瞳濾波_100

4.5光源掩模協(xié)同優(yōu)化_102

4.6多重曝光技術(shù)_106

4.7小結(jié)_109

參考文獻_110

第5章材料驅(qū)動的分辨率增強

5.1分辨率極限的回顧_115

5.2非線性雙重曝光_119

5.2.1雙光子吸收材料_119

5.2.2光閾值材料_120

5.2.3可逆對比增強材料_121

5.3雙重和多重成形技術(shù)_124

5.3.1光刻刻蝕光刻刻蝕_124

5.3.2光刻固化光刻刻蝕_125

5.3.3自對準雙重成形_126

5.3.4雙色調(diào)顯影_127

5.3.5雙重和多重成形技術(shù)的選項_128

5.4定向自組裝_129

5.5薄膜成像技術(shù)_133

5.6小結(jié)_135

參考文獻_135

第6章極紫外光刻

6.1EUV光源_141

6.2EUV和多層膜中的光學材料特性_143

6.3EUV掩模_146

6.4EUV曝光設(shè)備和圖像形成_151

6.5EUV光刻膠_156

6.6EUV掩模缺陷_157

6.7EUV光刻的光學分辨率極限_161

6.7.16.xnm波長的超極紫外光刻_162

6.7.2高數(shù)值孔徑EUV光刻_162

6.7.3低k1技術(shù)：　EUV光刻的光學分辨率增強技術(shù)_166

6.8小結(jié)_167

參考文獻_168

第7章投影成像以外的光刻技術(shù)

7.1非投影式光學光刻：　接觸式和接近式光刻_176

7.1.1圖像形成和分辨率限制_176

7.1.2技術(shù)實現(xiàn)_179

7.1.3先進的掩模對準光刻_182

7.2無掩模光刻_186

7.2.1干涉光刻_186

7.2.2激光直寫光刻_189

7.3無衍射限制的光刻_194

7.3.1近場光刻_195

7.3.2利用光學非線性_198

7.4三維光刻_203

7.4.1灰度光刻_203

7.4.2三維干涉光刻_205

7.4.3立體光刻和三維微刻印_206

7.5淺談無光刻印_209

7.6小結(jié)_210

參考文獻_211

第8章光刻投影系統(tǒng)：　高級技術(shù)內(nèi)容

8.1實際投影系統(tǒng)中的波像差_220

8.1.1波像差的澤尼克多項式表示_221

8.1.2波前傾斜_226

8.1.3離焦像差_226

8.1.4像散_228

8.1.5彗差_229

8.1.6球差_231

8.1.7三葉像差_233

8.1.8澤尼克像差小結(jié)_233

8.2雜散光_234

8.2.1恒定雜散光模型_235

8.2.2功率譜密度（PSD）雜散光模型_236

8.3高數(shù)值孔徑投影光刻中的偏振效應(yīng)_239

8.3.1掩模偏振效應(yīng)_240

8.3.2成像過程中的偏振效應(yīng)_241

8.3.3光刻膠和晶圓堆棧界面的偏振效應(yīng)_243

8.3.4投影物鏡中的偏振效應(yīng)和矢量成像模型_246

8.3.5偏振照明_248

8.4投影光刻機中的其他成像效應(yīng)_250

8.5小結(jié)_250

參考文獻_251

第9章光刻中的掩模和晶圓形貌效應(yīng)

9.1嚴格電磁場仿真的方法_256

9.1.1時域有限差分法_257

9.1.2波導法_260

9.2掩模形貌效應(yīng)_262

9.2.1掩模衍射分析_263

9.2.2斜入射效應(yīng)_266

9.2.3掩模引起的成像效應(yīng)_268

9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效應(yīng)及緩解策略_272

9.2.5各種三維掩模模型_277

9.3晶圓形貌效應(yīng)_279

9.3.1底部抗反射涂層的沉積策略_279

9.3.2靠近柵極的光刻膠底部殘余_281

9.3.3雙重成形技術(shù)中的線寬變化_282

9.4小結(jié)_283

參考文獻_283

第10章先進光刻中的隨機效應(yīng)

10.1隨機變量和過程_288

10.2現(xiàn)象_291

10.3建模方法_294

10.4依存性及其影響_297

10.5小結(jié)_299

參考文獻_299

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