發(fā)明專利實(shí)審答復(fù)案例精選

定　價(jià)：￥46.00

作　者：	李文紅，吳敏著
出版社：	知識(shí)產(chǎn)權(quán)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787513081214	出版時(shí)間：	2022-07-01	包裝：	平裝
開(kāi)本：	32開(kāi)	頁(yè)數(shù)：	236	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書(shū)從“實(shí)戰(zhàn)”出發(fā)，將邏輯推導(dǎo)、法律依據(jù)等作為發(fā)明專利實(shí)審答復(fù)中的核心要素，借助不同案例，對(duì)發(fā)明專利實(shí)質(zhì)審查過(guò)程中遇到的不同問(wèn)題，從新穎性、創(chuàng)造性及其他問(wèn)題三個(gè)方面結(jié)合具體專利法規(guī)進(jìn)行分析，并對(duì)如何修改及意見(jiàn)答復(fù)提出合適的處理方式。

作者簡(jiǎn)介

　　李文紅， 2000年開(kāi)始從事知識(shí)產(chǎn)權(quán)工作。作為北京市集佳律師事務(wù)所的高級(jí)合伙人，參與創(chuàng)辦上海分所。為多家業(yè)內(nèi)領(lǐng)先企業(yè)處理專利國(guó)內(nèi)外申請(qǐng)、專利侵權(quán)訴訟、專利復(fù)審無(wú)效等事務(wù)，為多家行業(yè)協(xié)會(huì)、企業(yè)、政府部門(mén)等出具知識(shí)產(chǎn)權(quán)咨詢報(bào)告。參與國(guó)家社會(huì)科學(xué)基金項(xiàng)目和國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目多項(xiàng)，負(fù)責(zé)九三學(xué)社上海市委重點(diǎn)課題多項(xiàng)。合著有《3D打印產(chǎn)業(yè)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)問(wèn)題研究》，作為主要主編或者主譯已合作出版編著和譯著五部，發(fā)表多篇專業(yè)文章。擔(dān)任上海市法學(xué)會(huì)知識(shí)產(chǎn)權(quán)法研究會(huì)理事，上海市知識(shí)產(chǎn)權(quán)民事糾紛專業(yè)調(diào)解委員會(huì)調(diào)解員，同濟(jì)大學(xué)中歐創(chuàng)新政策與法律研究中心兼職研究員，上海大學(xué)法學(xué)院知識(shí)產(chǎn)權(quán)應(yīng)用研究中心特邀研究員，華東政法大學(xué)、上海交通大學(xué)凱原法學(xué)院法律碩士兼職導(dǎo)師，華東師范大學(xué)上海國(guó)際首席技術(shù)官學(xué)院產(chǎn)業(yè)導(dǎo)師。吳敏， 2006年加入集佳，開(kāi)始從事知識(shí)產(chǎn)權(quán)工作，在半導(dǎo)體、光電及機(jī)械領(lǐng)域的專利代理事務(wù)方面積累豐富經(jīng)驗(yàn)。從業(yè)期間處理過(guò)專利申請(qǐng)、專利復(fù)審無(wú)效、專利檢索分析等事務(wù)；為多家企業(yè)提供知識(shí)產(chǎn)權(quán)咨詢服務(wù)，幫助客戶進(jìn)行技術(shù)挖掘、專利布局等，協(xié)助客戶了解行業(yè)*新技術(shù)動(dòng)態(tài)及發(fā)展趨勢(shì)以制定專利戰(zhàn)略；曾應(yīng)邀為企業(yè)及高校提供專利方面的培訓(xùn)，并在《知識(shí)產(chǎn)權(quán)戰(zhàn)略與實(shí)務(wù)》發(fā)表文章《從復(fù)審案例談專利創(chuàng)造性評(píng)價(jià)中的事實(shí)認(rèn)定》，在公司期刊發(fā)表文章《結(jié)合案例談公知常識(shí)相關(guān)審查意見(jiàn)的答復(fù)》。現(xiàn)擔(dān)任上海大學(xué)法學(xué)院知識(shí)產(chǎn)權(quán)應(yīng)用研究中心特邀研究員，上海應(yīng)用技術(shù)大學(xué)中歐知識(shí)產(chǎn)權(quán)學(xué)院兼職教授。

圖書(shū)目錄

目錄
第一章
涉及新穎性問(wèn)題的答復(fù)案例
第一節(jié) 新穎性的判斷
案例1互連結(jié)構(gòu)及其制造方法
第二節(jié) 關(guān)于新穎性評(píng)價(jià)中抵觸申請(qǐng)的問(wèn)題
案例2 LDMOS晶體管的形成方法及LDMOS晶體管
第三節(jié) 新穎性評(píng)價(jià)中區(qū)別技術(shù)特征的認(rèn)定
案例3封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法
第二章涉及創(chuàng)造性問(wèn)題的答復(fù)案例
第一節(jié) 公知常識(shí)或慣用技術(shù)手段
案例4摻氟的氧化硅薄膜的形成方法
案例5互連結(jié)構(gòu)的形成方法
案例6半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法
案例7晶體管的形成方法
第二節(jié) 技術(shù)方案的理解
案例8半導(dǎo)體器件及其形成方法
案例9半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法
案例10驅(qū)動(dòng)電路的數(shù)據(jù)維持方法和裝置
案例11 MOCVD設(shè)備的噴淋頭及其制作方法
案例12半導(dǎo)體互連結(jié)構(gòu)及形成方法
案例13半導(dǎo)體器件的制造方法
第三節(jié) 區(qū)別技術(shù)特征或技術(shù)特征的認(rèn)定
案例14自對(duì)準(zhǔn)多重圖形的形成方法
案例15壓力傳感器及其形成方法
案例16半導(dǎo)體器件
案例17半導(dǎo)體器件及其形成方法
案例18半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法
案例19金屬互連層的制造方法
案例20多指條形GGNMOS
案例21銅互連線的形成方法和介質(zhì)層的處理方法
案例22光學(xué)指紋傳感器和電子產(chǎn)品
案例23非接觸通信裝置
案例24重復(fù)利用半導(dǎo)體芯片的方法
案例25芯片及其制造方法、晶圓結(jié)構(gòu)
第四節(jié) 是否存在技術(shù)啟示
案例26制作淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的方法
案例27互連結(jié)構(gòu)及其形成方法
案例28互連結(jié)構(gòu)的形成方法
案例29半導(dǎo)體器件的形成方法
案例30封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法
案例31導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的形成方法
案例32介質(zhì)層的形成方法
案例33清洗焊盤(pán)的方法
案例34鰭式場(chǎng)效應(yīng)管的形成方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
案例35P型MOS晶體管及其形成方法
案例36等效信道矩陣計(jì)算方法及裝置
案例37知識(shí)檢索方法及裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)、服務(wù)器
第五節(jié) 方法限定結(jié)構(gòu)及功能性限定
案例38鰭式場(chǎng)效應(yīng)管及其形成方法
案例39指紋成像模組和電子設(shè)備
案例40射頻發(fā)射電路、發(fā)射機(jī)及用戶終端
第三章涉及其他問(wèn)題的答復(fù)案例
第一節(jié) 有關(guān)《專利法》第26條第4款
案例41半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法
案例42電子設(shè)備
案例43半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法
案例44半導(dǎo)體器件的形成方法
第二節(jié) 缺少解決技術(shù)問(wèn)題的必要技術(shù)特征
案例45液晶顯示裝置的顯示方法
參與編撰人員簡(jiǎn)介