材料科學(xué)基礎(chǔ)（第3版）

1 材料概述
本章提要
1.1 材料類型
1.1.1 金屬材料
1.1.2 無機(jī)非金屬材料
1.1.3 有機(jī)高分子材料(聚合物)
1.1.4 復(fù)合材料
1.2 材料組成、結(jié)構(gòu)、性質(zhì)、工藝及其與環(huán)境的關(guān)系
1.2.1 材料結(jié)構(gòu)層次
1.2.2 工程材料常見性質(zhì)與性能
1.2.3 材料的加工工藝
1.2.4 材料性能的環(huán)境效應(yīng)
1.3 材料的選擇
1.4 材料及其技術(shù)突破
1.4.1 人工合成淀粉
1.4.2 量子計(jì)算新突破
1.4.3 超材料
1.4.4 智能材料
1.4.5 傳統(tǒng)材料研究的技術(shù)突破
1.4.6 半導(dǎo)體等材料及其技術(shù)突破
1.4.7 軍工材料及其技術(shù)突破
1.4.8 航空航天材料及其技術(shù)突破
1.4.9 催化材料研究進(jìn)展
本章小結(jié)
思考題與習(xí)題
2 晶體結(jié)構(gòu)
本章提要
2.1 結(jié)晶學(xué)基礎(chǔ)
2.1.1 空間點(diǎn)陣
2.1.2 結(jié)晶學(xué)指數(shù)
2.1.3 晶向與晶面的關(guān)系、晶帶軸定理
2.2 晶體中質(zhì)點(diǎn)的結(jié)合力與結(jié)合能
2.2.1 晶體中質(zhì)點(diǎn)間的結(jié)合力
2.2.2 晶體的結(jié)合力與結(jié)合能
2.3 晶體中質(zhì)點(diǎn)的堆積
2.3.1 最緊密堆積原理與最緊密堆積方式
2.3.2 內(nèi)在因素對晶體結(jié)構(gòu)的影響——化學(xué)組成與晶體結(jié)構(gòu)的關(guān)系
2.3.3 外在因素對晶體結(jié)構(gòu)的影響——同質(zhì)多晶與類質(zhì)同晶及晶型轉(zhuǎn)變
2.4 單質(zhì)晶體結(jié)構(gòu)
2.4.1 金屬晶體的結(jié)構(gòu)
2.4.2 非金屬元素單質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)
2.5 無機(jī)化合物結(jié)構(gòu)
2.5.1 AX型結(jié)構(gòu)
2.5.2 AX2型結(jié)構(gòu)
2.5.3 A2X3型結(jié)構(gòu)
2.5.4 AX3型和A2X5型結(jié)構(gòu)
2.5.5 ABO3型結(jié)構(gòu)
2.5.6 ABO4型(白鎢礦型)結(jié)構(gòu)及聲光效應(yīng)
2.5.7 AB204型結(jié)構(gòu)
2.5.8 石榴石結(jié)構(gòu)
2.5.9 無機(jī)化合物結(jié)構(gòu)與鮑林規(guī)則
2.6 硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)
2.6.1 硅酸鹽晶體的組成表征、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及分類
2.6.2 島狀結(jié)構(gòu)
2.6.3 組群狀結(jié)構(gòu)
2.6.4 鏈狀結(jié)構(gòu)
2.6.5 層狀結(jié)構(gòu)
2.6.6 架狀結(jié)構(gòu)
2.7 高分子材料結(jié)構(gòu)
2.7.1 高分子的鏈結(jié)構(gòu)
2.7.2 高分子的聚集態(tài)結(jié)構(gòu)
本章小結(jié)
思考題與習(xí)題
3 晶體結(jié)構(gòu)缺陷
本章提要
3.1 晶體結(jié)構(gòu)缺陷的類型
3.1.1 按缺陷的幾何形態(tài)分類
3.1.2 按缺陷產(chǎn)生的原因分類
3.2 點(diǎn)缺陷
3.2.1 點(diǎn)缺陷的符號表征——Kroger—Vink符號
3.2.2 缺陷反應(yīng)表示法
3.2.3 熱缺陷濃度的計(jì)算
3.2.4 熱缺陷在外力作用下的運(yùn)動
3.2.5 熱缺陷與晶體的離子導(dǎo)電性
3.3 線缺陷
3.3.1 晶體的塑性和強(qiáng)度
3.3.2 位錯的類型
3.3.3 位錯的伯格斯矢量及位錯的性質(zhì)
4 非晶態(tài)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)
5 表面結(jié)構(gòu)與性質(zhì)
6 相平衡和相圖
7 基本動力學(xué)過程——擴(kuò)散
8 材料中的相變
9 材料制備中的固態(tài)反應(yīng)
10 燒結(jié)
11 腐蝕與氧化
12 疲勞與斷裂
參考文獻(xiàn)
附錄1 《材料科學(xué)基礎(chǔ)》重要名詞術(shù)語
附錄2 元素的離子半徑表