陶瓷材料微觀組織形成理論

目錄
序
前言
第1部分 陶瓷燒結(jié)理論
第1章 固相燒結(jié) 3
1.1 概述 3
1.2 燒結(jié)熱力學(xué) 3
1.3 燒結(jié)模型 5
1.3.1 燒結(jié)初期 6
1.3.2 燒結(jié)中期 8
1.3.3 燒結(jié)后期 10
1.3.4 其他燒結(jié)模型 11
1.4 致密化動力學(xué)及晶粒長大 17
1.4.1 致密化動力學(xué) 17
1.4.2 晶粒長大 22
第2章 液相燒結(jié) 32
2.1 液相燒結(jié)技術(shù)的發(fā)展 32
2.1.1 液相燒結(jié)技術(shù)分類 32
2.1.2 液相燒結(jié)的優(yōu)點(diǎn)與不足 33
2.2 液相燒結(jié)致密化過程 34
2.2.1 顆粒重排階段 34
2.2.2 溶解-再沉淀階段 35
2.2.3 固態(tài)燒結(jié)階段 35
2.3 液相燒結(jié)發(fā)生條件及影響因素 36
2.3.1 驅(qū)動力-毛細(xì)管力 36
2.3.2 晶界液相 37
2.3.3 液相燒結(jié)條件 38
2.3.4 液相燒結(jié)致密化的影響因素 45
2.4 液相燒結(jié)機(jī)理 49
2.4.1 顆粒重排 50
2.4.2 溶解-再沉淀 54
2.4.3 固態(tài)燒結(jié) 65
第3章 特種燒結(jié) 67
3.1 特種燒結(jié)技術(shù)的發(fā)展 67
3.1.1 特種燒結(jié)技術(shù)分類 67
3.1.2 致密化途徑及其機(jī)理 68
3.2 電場輔助燒結(jié) 69
3.2.1 電場活化燒結(jié) 70
3.2.2 閃燒 72
3.3 磁場輔助燒結(jié) 76
3.3.1 旋轉(zhuǎn)擴(kuò)散模型 76
3.3.2 旋轉(zhuǎn)擴(kuò)散模型的優(yōu)化 79
3.3.3 強(qiáng)磁場誘導(dǎo)技術(shù) 82
3.4 放電等離子體燒結(jié) 82
3.4.1 放電等離子燒結(jié)優(yōu)點(diǎn) 82
3.4.2 放電等離子燒結(jié)等效電路 83
3.4.3 放電等離子燒結(jié)機(jī)理 84
3.4.4 放電等離子燒結(jié)的發(fā)展與應(yīng)用 88
3.5 微波燒結(jié) 89
3.5.1 微波燒結(jié)機(jī)理 89
3.5.2 微波燒結(jié)工業(yè)應(yīng)用 92　
第2部分 共晶陶瓷凝固組織形成理論
第4章 共晶陶瓷微觀組織特征 95
4.1 固-液界面微觀結(jié)構(gòu)基礎(chǔ) 96
4.1.1 粗糙界面與光滑界面 96
4.1.2 界面結(jié)構(gòu)類型本質(zhì)與判據(jù) 97
4.1.3 界面結(jié)構(gòu)的影響因素 98
4.1.4 晶體生長方式 100
4.2 共晶組織的分類及特點(diǎn) 102
4.2.1 規(guī)則共晶 102
4.2.2 非規(guī)則共晶 106
4.3 共晶共生區(qū)—共晶耦合生長 111
4.3.1 對稱型共晶共生區(qū) 112
4.3.2 非對稱型共晶共生區(qū) 114
第5章 共晶凝固行為及生長模型 116
5.1 共晶凝固行為 116
5.1.1 層片狀共晶組織形核過程 116
5.1.2 層片狀共晶組織擴(kuò)散耦合生長 117
5.1.3 層片狀共晶組織生長界面過冷度 122
5.1.4 共晶片層間距的*小過冷度準(zhǔn)則 125
5.2 共晶生長模型 129
5.2.1 J-H模型 129
5.2.2 TMK模型 133
5.2.3 KT模型 146
5.2.4 LZ模型 156
第6章 液固界面穩(wěn)定性及枝晶生長 163
6.1 定向凝固共晶生長 163
6.1.1 共晶陶瓷制備技術(shù) 163
6.1.2 定向凝固共晶原理 171
6.2 液固界面穩(wěn)定性理論 171
6.2.1 成分過冷理論 171
6.2.2 界面穩(wěn)定性動力學(xué)理論 179
6.2.3 過冷熔體中平界面絕對穩(wěn)定性理論 180
6.2.4 非平衡凝固界面穩(wěn)定性理論 181
6.3 過冷熔體中枝晶生長 181
6.3.1 枝晶生長穩(wěn)態(tài)理論 181
6.3.2 枝晶生長理論模型 183　
參考文獻(xiàn) 188
附錄 主要符號及其含義 200