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內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書(shū)共10章，基于公開(kāi)文獻(xiàn)全方位地介紹了低溫等離子體蝕刻技術(shù)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用及潛在發(fā)展方向。以低溫等離子體蝕刻技術(shù)發(fā)展史開(kāi)篇，對(duì)傳統(tǒng)及已報(bào)道的先進(jìn)等離子體蝕刻技術(shù)的基本原理做相應(yīng)介紹，隨后是占據(jù)了本書(shū)近半篇幅的邏輯和存儲(chǔ)器產(chǎn)品中等離子體蝕刻工藝的深度解讀。此外，還詳述了邏輯產(chǎn)品可靠性及良率與蝕刻工藝的內(nèi)在聯(lián)系，聚焦了特殊氣體及特殊材料在等離子體蝕刻方面的潛在應(yīng)用。最后是先進(jìn)過(guò)程控制技術(shù)在等離子體蝕刻應(yīng)用方面的重要性及展望，以及虛擬制造在集成電路發(fā)展中的應(yīng)用。本書(shū)可以作為從事等離子體蝕刻工藝研究和應(yīng)用的研究生和工程技術(shù)人員的參考書(shū)籍。

作者簡(jiǎn)介

　　張海洋，休斯敦大學(xué)化工系博士。現(xiàn)任中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司技術(shù)研發(fā)中心蝕刻部門(mén)主管，教授級(jí)高級(jí)工程師，享受國(guó)務(wù)院政府特殊津貼。專注于先進(jìn)集成電路制造中成套等離子體蝕刻工藝研發(fā)以及國(guó)產(chǎn)蝕刻機(jī)臺(tái)在高端邏輯制程中的驗(yàn)證。入選國(guó)家萬(wàn)人計(jì)劃領(lǐng)軍人才、科技部中青年科技創(chuàng)新領(lǐng)軍人才、上海市先進(jìn)技術(shù)帶頭人計(jì)劃。持有半導(dǎo)體制造領(lǐng)域國(guó)際專利八十余項(xiàng)，指導(dǎo)發(fā)表國(guó)際會(huì)議文章6０篇。

圖書(shū)目錄

第1章低溫等離子體蝕刻技術(shù)發(fā)展史
1.1絢麗多彩的等離子體
1.2低溫等離子體的應(yīng)用領(lǐng)域
1.3低溫等離子體蝕刻技術(shù)混沌之初
1.4低溫等離子體蝕刻技術(shù)世紀(jì)初的三演義
1.5三維邏輯和存儲(chǔ)器時(shí)代低溫等離子體蝕刻技術(shù)的變遷
1.6華人在低溫等離子體蝕刻機(jī)臺(tái)發(fā)展中的貢獻(xiàn)
1.7未來(lái)低溫等離子體蝕刻技術(shù)展望
參考文獻(xiàn)
第2章低溫等離子體蝕刻簡(jiǎn)介
2.1等離子體的基本概念
2.2低溫等離子體蝕刻基本概念
2.3等離子體蝕刻機(jī)臺(tái)簡(jiǎn)介
2.3.1電容耦合等離子體機(jī)臺(tái)
2.3.2電感耦合等離子體機(jī)臺(tái)
2.3.3電子回旋共振等離子體機(jī)臺(tái)
2.3.4遠(yuǎn)距等離子體蝕刻機(jī)臺(tái)
2.3.5等離子體邊緣蝕刻機(jī)臺(tái)
2.4等離子體先進(jìn)蝕刻技術(shù)簡(jiǎn)介
2.4.1等離子體脈沖蝕刻技術(shù)
2.4.2原子層蝕刻技術(shù)
2.4.3中性粒子束蝕刻技術(shù)
2.4.4帶狀束方向性蝕刻技術(shù)
2.4.5氣體團(tuán)簇離子束蝕刻技術(shù)
參考文獻(xiàn)
第3章等離子體蝕刻在邏輯集成電路制造中的應(yīng)用
3.1邏輯集成電路的發(fā)展
3.2淺溝槽隔離蝕刻
3.2.1淺溝槽隔離的背景和概況
3.2.2淺溝槽隔離蝕刻的發(fā)展
3.2.3膜層結(jié)構(gòu)對(duì)淺溝槽隔離蝕刻的影響
3.2.4淺溝槽隔離蝕刻參數(shù)影響
3.2.5淺溝槽隔離蝕刻的重要物理參數(shù)及對(duì)器件性能的影響
3.2.6鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管中鰭(Fin)的自對(duì)準(zhǔn)雙圖形的蝕刻
…… 第4章等離子體蝕刻在存儲(chǔ)器集成電路制造中的應(yīng)用第5章等離子體蝕刻工藝中的經(jīng)典缺陷介紹第6章特殊氣體及低溫工藝在等離子蝕刻中的應(yīng)用第7章等離子蝕刻對(duì)邏輯集成電路良率及可靠性的影響第8章等離子體蝕刻在新材料蝕刻中的展望第9章現(xiàn)金蝕刻過(guò)程控制及其在集成電路制造中的應(yīng)用第10章虛擬制造在集成電路發(fā)展中的應(yīng)用參考文獻(xiàn)