晶體生長基礎(chǔ)與技術(shù)

目錄
前言
第1章　晶體生長理論基礎(chǔ)　1
1.1　引言　1
1.2　晶體生長技術(shù)的分類　2
1.2.1　氣相生長法　2
1.2.2　液相生長法　3
1.2.3　固相生長法　4
1.3　晶體生長的熱力學(xué)原理　4
1.3.1　氣-固相轉(zhuǎn)變過程　5
1.3.2　液-固相轉(zhuǎn)變過程　6
1.4　晶體生長理論構(gòu)造模型　7
1.4.1　晶體層生長理論　8
1.4.2　晶體螺旋生長理論　9
1.5　溶液法晶體生長理論基礎(chǔ)　11
1.5.1　溶液法晶體生長的基本原理　11
1.5.2　溶液中晶體生長過程的物理化學(xué)基礎(chǔ)　13
1.6　熔體生長晶體理論基礎(chǔ)　16
1.6.1　熔體生長過程的特點(diǎn)　16
1.6.2　結(jié)晶過程驅(qū)動力　17
1.6.3　熔體生長過程的物理化學(xué)基礎(chǔ)　19
參考文獻(xiàn)　26
第2章　相圖及其在晶體生長中的應(yīng)用　27
2.1　相圖的基本概念　27
2.1.1　幾個基本概念　27
2.1.2　相律　29
2.2　杠桿定律　30
2.3　相圖的分類　32
2.3.1　單組元相圖　32
2.3.2　二元系相圖　33
2.3.3　三元系相圖　44
2.4　相圖的實(shí)驗(yàn)測定與繪制　47
2.4.1　差熱分析基本原理　47
2.4.2　X射線粉末衍射原理　49
2.4.3　相圖的測定和繪制　52
2.5　相圖在晶體生長中的應(yīng)用　54
2.5.1　相圖在鈮酸鋰晶體生長中的應(yīng)用　54
2.5.2　相圖在紫外雙折射高溫相?-BaB2O4晶體生長中的應(yīng)用　56
參考文獻(xiàn)　59
第3章　水溶液晶體生長技術(shù)　61
3.1　溶液和溶解度　61
3.1.1　溶液的概念　61
3.1.2　溶解度和溶解度曲線　61
3.1.3　飽和溫度和溶解度的測定　63
3.2　水溶液法晶體生長的基本原理和方法　67
3.2.1　溶劑蒸發(fā)法　67
3.2.2　溫差法　68
3.2.3　降溫法　69
3.3　影響水溶液晶體生長的主要因素　73
3.3.1　雜質(zhì)的影響　73
3.3.2　pH的影響　73
3.3.3　過飽和度的影響　76
參考文獻(xiàn)　77
第4章　助熔劑法晶體生長技術(shù)　79
4.1　引言　79
4.2　助熔劑法晶體生長技術(shù)的基本原理和生長技術(shù)方法　80
4.2.1　助熔劑法晶體生長技術(shù)的基本原理　80
4.2.2　自發(fā)成核法　80
4.2.3　籽晶法　81
4.3　助熔劑的選擇　86
4.3.1　助熔劑的選擇原則　86
4.3.2　助熔劑和熔液的物理化學(xué)性能　87
4.3.3　助熔劑的類型　93
4.4　混料設(shè)計在助熔劑探索中的應(yīng)用　95
4.4.1　混料設(shè)計概述　95
4.4.2　混料設(shè)計指導(dǎo)復(fù)合助熔劑探索實(shí)驗(yàn)方案　97
4.4.3　混料設(shè)計指導(dǎo)復(fù)合助熔劑探索應(yīng)用實(shí)例　99
4.5　助熔劑法晶體生長技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)　108
4.5.1　助熔劑法晶體生長技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)　108
4.5.2　助熔劑法晶體生長技術(shù)的缺點(diǎn)　108
參考文獻(xiàn)　109
第5章　水熱法晶體生長技術(shù)　113
5.1　水熱法晶體生長技術(shù)的基本原理　113
5.2　水熱結(jié)晶的物理化學(xué)性能　114
5.2.1　高溫高壓下水的物理化學(xué)性能　114
5.2.2　水熱系統(tǒng)中的壓強(qiáng)-體積-溫度特性　117
5.3　水熱法晶體生長裝置　120
5.4　水熱法晶體生長技術(shù)的工藝過程　121
5.5　影響水熱法晶體生長的因素　122
5.5.1　溫度對晶體生長的影響　122
5.5.2　溶液填充度對晶體生長的影響　122
5.5.3　溶液濃度對晶體生長的影響　122
5.5.4　培養(yǎng)料的溶解表面積與籽晶生長表面積之比對晶體生長速率的影響　122
5.5.5　溶液pH對晶體生長的影響　123
5.5.6　對流擋板對晶體生長的影響　123
5.6　水熱法晶體生長技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)　124
5.6.1　水熱法晶體生長技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)　124
5.6.2　水熱法晶體生長技術(shù)的缺點(diǎn)　124
參考文獻(xiàn)　124
第6章　焰熔法晶體生長技術(shù)　126
6.1　焰熔法晶體生長的基本原理　126
6.2　焰熔法晶體生長裝置　126
6.2.1　原料供應(yīng)系統(tǒng)　127
6.2.2　燃燒系統(tǒng)　127
6.2.3　晶體生長系統(tǒng)　127
6.3　焰熔法晶體生長技術(shù)的工藝過程　128
6.4　焰熔法晶體生長技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)與晶體缺陷　128
6.5　焰熔法晶體生長技術(shù)的主要應(yīng)用領(lǐng)域　129
6.5.1　焰熔法在合成星光剛玉寶石方面的應(yīng)用　130
6.5.2　合成寶石鑒別　132
參考文獻(xiàn)　133
第7章　提拉法晶體生長技術(shù)　134
7.1　提拉法晶體生長技術(shù)的熱力學(xué)基礎(chǔ)　134
7.1.1　提拉法晶體生長技術(shù)基本原理　134
7.1.2　結(jié)晶過程的驅(qū)動力　134
7.1.3　提拉法晶體生長技術(shù)的熱傳遞方式　135
7.1.4　界面熱流連續(xù)方程　136
7.1.5　晶體中的溫度分布　138
7.2　提拉法晶體生長技術(shù)的基本裝置和工藝　141
7.2.1　提拉法晶體生長技術(shù)的基本裝置　141
7.2.2　提拉法晶體生長的一般工藝過程　143
7.3　提拉法晶體生長中缺陷形成和控制　145
7.3.1　晶體中常見的幾種缺陷　145
7.3.2　物質(zhì)條件對晶體質(zhì)量的影響和控制　146
7.3.3　熱力學(xué)因素對晶體質(zhì)量的影響和控制　153
7.3.4　分凝和組分過冷　154
7.3.5　溫度分布、溫度波動與晶體生長條紋　154
7.4　提拉法晶體生長技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)　156
參考文獻(xiàn)　157
第8章　坩堝下降法晶體生長技術(shù)　161
8.1　坩堝下降法晶體生長技術(shù)的基本原理　161
8.2　坩堝下降法晶體生長裝置　161
8.3　坩堝下降法晶體生長技術(shù)的基本工藝與要求　163
8.3.1　坩堝　163
8.3.2　基本生長工藝流程　165
8.3.3　晶體生長的傳熱過程和溫場設(shè)計　165
8.3.4　生長速率和固-液界面移動的控制　166
8.3.5　Bridgman法晶體生長過程的結(jié)晶界面的控制及其控制原理　167
8.3.6　籽晶定向生長　169
8.4　坩堝下降法晶體生長技術(shù)的特點(diǎn)　169
參考文獻(xiàn)　171
第9章　幾種重要光電子晶體材料的生長　175
9.1　非線性光學(xué)晶體低溫相偏硼酸鋇β-BBO的頂部籽晶助熔劑法生長　175
9.1.1　低溫相偏硼酸鋇β-BBO的結(jié)構(gòu)和基本非線性光學(xué)性能　175
9.1.2　β-BBO晶體生長　176
9.2　紫外雙折射晶體高溫相偏硼酸鋇β-BBO的提拉法生長　178
9.2.1　高溫相偏硼酸鋇β-BBO的結(jié)構(gòu)和基本雙折射性能　178
9.2.2　β-BBO晶體生長　179
9.3　雙折射晶體YVO4和激光晶體Nd3+：YVO4提拉法生長　181
9.3.1　YVO4和Nd3+：YVO4晶體結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能　182
9.3.2　YVO4和Nd3+：YVO4晶體生長　183
9.4　非線性光學(xué)晶體磷酸氧鈦鉀的水熱法生長　185
9.4.1　磷酸氧鈦鉀晶體結(jié)構(gòu)和非線性光學(xué)性能　185
9.4.2　磷酸氧鈦鉀水熱法晶體生長　186
9.5　大尺寸非線性光學(xué)晶體磷酸二氫鉀水溶液生長　189
9.5.1　磷酸二氫鉀晶體結(jié)構(gòu)和基本光學(xué)性能　189
9.5.2　大尺寸磷酸二氫鉀晶體生長　190
9.6　紫外非線性光學(xué)晶體大尺寸三硼酸鋰的頂部籽晶助熔劑法生長　193
9.6.1　三硼酸鋰晶體結(jié)構(gòu)和基本光學(xué)性能　193
9.6.2　三硼酸鋰晶體生長　195
參考文獻(xiàn)　197