美國制造業(yè)產(chǎn)業(yè)政策透視：以半導體產(chǎn)業(yè)為例

目 錄
第一篇 政策歷程篇
第一章 20世紀40—80年代美國的半導體政策 2
一、20世紀40—60年代，美國晶體管和硅基芯片成功研發(fā)并
應(yīng)用 2
(一)晶體管研發(fā)成功 2
(二)硅基芯片成功產(chǎn)業(yè)化 4
二、20世紀70年代，美國芯片民用市場繁榮發(fā)展 5
三、20世紀80年代，美國面臨日本的競爭并積極應(yīng)對 7
(一)日本對美國形成巨大的競爭壓力 8
(二)美國積極培育日本的競爭對手 11
(三)建立半導體制造技術(shù)研究聯(lián)合體以提高制造技術(shù) 13
第二章 20世紀90年代至今的半導體政策 19
一、20世紀90年代至2008年，重視研發(fā)并開始反思制造業(yè)
外包 19
(一)制造業(yè)加速外包 19
(二)制造業(yè)對產(chǎn)業(yè)生態(tài)的重要性開始受到重視 22
(三)支持競爭前學術(shù)研究 23
二、2009—2016年，強調(diào)“再工業(yè)化”和先進技術(shù)研發(fā) 25
(一)提出“再工業(yè)化”的目標并發(fā)布制造業(yè)戰(zhàn)略 25
(二)支持半導體先進技術(shù)研發(fā)網(wǎng)絡(luò) 26
三、2017年以來，又強調(diào)維護半導體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)先優(yōu)勢 27
(一)2017—2020年，美國認為中國半導體業(yè)構(gòu)成威脅并初步提出應(yīng)對
建議 28
(二)2020年以來，美國制定芯片相關(guān)法案全面發(fā)展半導體業(yè) 33
第二篇 政策布局篇
第三章 對半導體制造業(yè)前所未有的重視 40
一、對制造業(yè)進行戰(zhàn)略投資的必要性：歷史經(jīng)驗 40
二、芯片制造成功的目標 43
三、申請芯片生產(chǎn)補貼的相關(guān)規(guī)定 45
(一)申請流程 47
(二)優(yōu)先考慮的因素 48
(三)納稅人保護 49
(四)國家安全護欄 50
四、補助政策成效明顯 52
(一)全球知名半導體廠商紛紛公布了在美國的擴產(chǎn)計劃 52
(二)多國(地區(qū))紛紛跟進美國政策 53
第四章 為半導體制造提供良好的政策環(huán)境 56
一、給予制造項目25%的稅收優(yōu)惠 56
二、快速審批晶圓廠基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)許可 58
三、強化半導體制造人才的培養(yǎng) 62
(一)培養(yǎng)半導體制造人才的三個優(yōu)先事項 63
(二)制訂半導體勞動力發(fā)展計劃 65
(三)制訂建筑勞動力計劃 66
(四)其他要求 67
第五章 新設(shè)半導體研發(fā)項目 69
一、設(shè)立美國國家半導體技術(shù)中心 71
(一)美國總統(tǒng)科技顧問委員會的建議 71
(二)美國商務(wù)部的建設(shè)愿景 73
二、設(shè)立美國半導體制造研究所 82
三、制訂計量計劃 85
四、制訂先進封裝計劃 87
五、相關(guān)機構(gòu)和計劃均需承擔培養(yǎng)半導體人才的職責 89
第六章 創(chuàng)新前沿技術(shù)和先進工藝研究方式 92
一、推動整體化、全棧式創(chuàng)新 93
二、確立“登月計劃”推動跨越式創(chuàng)新 96
(一)半導體“登月計劃”的設(shè)計原則和政策工具 97
(二)生物芯片：“登月計劃”的一個案例 99
三、發(fā)展“小芯片”技術(shù)降低開發(fā)難度 100
第七章 建立區(qū)域創(chuàng)新中心 102
一、聯(lián)邦政府具有推動產(chǎn)業(yè)集聚發(fā)展的傳統(tǒng) 102
(一)聯(lián)邦政府有意推動產(chǎn)業(yè)集聚發(fā)展的歷史經(jīng)驗 103
(二)產(chǎn)業(yè)集聚對于區(qū)域創(chuàng)新的作用 105
二、近幾年美國政府尤其重視推動區(qū)域創(chuàng)新發(fā)展 106
(一)重建更美好的地區(qū)挑戰(zhàn)賽 107
(二)區(qū)域創(chuàng)新引擎計劃 108
(三)美國商務(wù)部區(qū)域技術(shù)與創(chuàng)新中心 110
三、半導體區(qū)域集聚典型：紐約奧爾巴尼 112
四、芯片補助優(yōu)先給予參與區(qū)域創(chuàng)新集群建設(shè)的企業(yè) 115
第八章 與盟友加強技術(shù)和供應(yīng)鏈合作 117
一、重視與盟友之間的技術(shù)合作 117
二、與盟友加強半導體技術(shù)出口限制和投資合作 121
三、與盟友加強供應(yīng)鏈合作 123
(一)美國積極吸納盟友產(chǎn)品進入美國供應(yīng)鏈 124
(二)聯(lián)合盟友共建多元化供應(yīng)鏈 125
(三)美國聯(lián)合盟友將中國排除在其供應(yīng)鏈之外 126
第三篇 政策分析篇
第九章 美國產(chǎn)業(yè)政策的基本框架 130
一、產(chǎn)業(yè)政策再次受到重視 130
二、產(chǎn)業(yè)政策的內(nèi)涵 133
三、產(chǎn)業(yè)政策的目標、類型 135
四、產(chǎn)業(yè)政策工具 138
五、產(chǎn)業(yè)政策的基本原則 142
第十章 美國產(chǎn)業(yè)政策的特點 146
一、產(chǎn)業(yè)政策的實施方式：全政府、舉國式 146
(一)全政府、舉國參與的內(nèi)涵 146
(二)建立統(tǒng)籌協(xié)調(diào)的組織機構(gòu) 148
(三)建立聯(lián)邦政府主導的全面的協(xié)調(diào)機制 151
(四)加強項目、計劃之間的協(xié)同 154
(五)各方全面參與、有效監(jiān)督 156
二、產(chǎn)業(yè)政策與創(chuàng)新政策、經(jīng)濟政策 157
(一)產(chǎn)業(yè)政策與創(chuàng)新政策 158
(二)產(chǎn)業(yè)政策與競爭力提升 163
(三)產(chǎn)業(yè)競爭力與經(jīng)濟政策 167
三、不同于蘇聯(lián)集中式的舉國體制 168
(一)科研體制過于集中 169
(二)科研與生產(chǎn)脫節(jié) 170
第十一章 以創(chuàng)新型小企業(yè)為重點的產(chǎn)業(yè)政策 173
一、提供資金支持 174
(一)提供研發(fā)資金 174
(二)提供其他融資支持 177
二、建立技術(shù)和咨詢服務(wù)機構(gòu) 178
三、加強政府采購 179
四、促進研究成果產(chǎn)業(yè)化轉(zhuǎn)化 180
(一)一般性規(guī)定 180
(二)適用于半導體等特殊行業(yè)的規(guī)定 182
五、強化網(wǎng)絡(luò)安全、供應(yīng)鏈安全和知識產(chǎn)權(quán)保護 183
六、國防部高級研究計劃局(DARPA)等機構(gòu)對創(chuàng)新提供較為全面的
支持 186
(一)DARPA及其對創(chuàng)新的支持 187
(二)能源高級研究計劃局(ARPA-E) 189
七、取得巨大創(chuàng)新紅利 190
結(jié)語 193
附錄A 美國網(wǎng)絡(luò)與信息技術(shù)研發(fā)計劃及其舉國體制 197
附錄B 美國戰(zhàn)略計算計劃及其舉國體制 206
附錄C 美國高性能計算計劃的演進邏輯、管理機制與實施特點 216