寬禁帶半導(dǎo)體紫外光電探測(cè)器

　　高性能紫外光電探測(cè)器是國(guó)防預(yù)警與跟蹤、環(huán)境監(jiān)控、生命科學(xué)等領(lǐng)域急需的關(guān)鍵部件。由于具有性能優(yōu)勢(shì)，因此寬禁帶半導(dǎo)體已成為制備紫外光電探測(cè)器的優(yōu)選材料，目前主要包括Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體、碳化硅、氧化物半導(dǎo)體和金剛石材料等。本書基于國(guó)內(nèi)外寬禁帶半導(dǎo)體紫外光電探測(cè)材料及器件的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢(shì)，從材料特性、探測(cè)器設(shè)計(jì)、器件工藝和紫外光電響應(yīng)特性等方面詳述了寬禁帶半導(dǎo)體紫外光電探測(cè)器所面臨的關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問題、主要技術(shù)成果、產(chǎn)業(yè)應(yīng)用情況和發(fā)展前景。本書可為從事寬禁帶半導(dǎo)體紫外光電材料和器件研發(fā)、生產(chǎn)的科技工作者、企業(yè)工程技術(shù)人員和研究生提供有價(jià)值的參考，也可供從事該領(lǐng)域科研和高技術(shù)產(chǎn)業(yè)管理的政府官員和企業(yè)人員學(xué)習(xí)參考。

暫缺《寬禁帶半導(dǎo)體紫外光電探測(cè)器》作者簡(jiǎn)介