半導體器件物理

出版說明
前言
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前言
第1章　半導體特性
  1.1　半導體的晶體結構
    1.1.1　晶體的結構
    1.1.2　晶體的各向異性
  1.2　半導體的電性能
    1.2.1　溫度和半導體
    1.2.2　雜質(zhì)和半導體
    1.2.3　光照和半導體
    1.2.4　其他因素和半導體
  1.3　半導體中的電子狀態(tài)和能帶
    1.3.1　電子的共有化運動
    1.3.2　電子狀態(tài)和能帶
  1.4　半導體中的雜質(zhì)和缺陷
    1.4.1　半導體中的雜質(zhì)和雜質(zhì)能級
    1.4.2　半導體中的缺陷和缺陷能級
  1.5　載流子的運動
    1.5.1　載流子濃度與費米能級位置的關系
    1.5.2　本征半導體的載流子濃度
    1.5.3　雜質(zhì)半導體的載流子濃度
    1.5.4　載流子的漂移運動
    1.5.5　載流子的擴散運動
1.6　非平衡載流子
  1.6.1　非平衡載流子的產(chǎn)生和復合
  1.6.2　非平衡載流子的壽命
  1.6.3　復合理論
1.7　習題
第2章　P-N結
　2.1　P-N　結及其能帶圖
  　2.1.1　P-N　結的形成和雜質(zhì)分布
  　2.1.2　p-N　結的能帶圖
  　2.1.3　P-N　結的載流子分布
　2.2　平衡P-N結
  　2.2.1　空間電荷區(qū)和接觸電勢差
 　 2.2.2　空間電荷區(qū)的電場和電位分布
　……
第3章 晶體管的直流特性
第4章 晶體管的頻率特性與功率特性
第5章 晶體管的開關特性
第6章 雙極型晶體管的設計
第7章 半導體表面特性及mos電容
第8章 mos場效應晶體管的基本特性
第9章 mos功率場效應晶體管
第10章 小尺寸mos器件的特點
附錄
參考文獻