石墨烯納米電子學：從材料到電路

定　價：￥156.00

作　者：	[美] 拉古·穆拉利（Raghu Murali）著
出版社：	國防工業(yè)出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787118126778	出版時間：	2023-01-01	包裝：	平裝-膠訂
開本：	16開	頁數(shù)：		字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　《石墨烯納米電子學：從材料到電路》全書共9章，在概括了CMOS器件發(fā)展歷史和發(fā)展趨勢后，首先用4章分別論述了石墨烯納米晶體管的器件物理性質(zhì)；然后再用4章論述了制作石墨烯納米器件的材料和工藝方法。《石墨烯納米電子學：從材料到電路》包含了石墨烯在納米電子器件領(lǐng)域中的新研究成果，為相關(guān)科研人員在該領(lǐng)域的應用創(chuàng)新奠定了堅實基礎?！妒┘{米電子學：從材料到電路》所涵蓋的內(nèi)容較為廣泛，對于從事石墨烯器件以及材料研究的科研人員和工程技術(shù)人員都具有很好的參考價值。各章之間相互連貫又相對獨立，讀者也可以根據(jù)自己的興趣和需要選擇閱讀相應的章節(jié)?！妒┘{米電子學：從材料到電路》根據(jù)原著直接翻譯而成，為方便讀者閱讀，有些地方根據(jù)中文閱讀習慣做了少量調(diào)整。《石墨烯納米電子學：從材料到電路》由蘇州大學王雪峰教授翻譯，由吳雪梅教授進行審校，部分研究生參與了《石墨烯納米電子學：從材料到電路》的翻譯、整理工作。

作者簡介

暫缺《石墨烯納米電子學：從材料到電路》作者簡介

圖書目錄

第1章 CMOS器件性能進展
1．1 引言
1．2 MOSFET操作的基本原理
1．3 10nm尺寸MOSFET器件物理
1．4 簡單的MOSFET模型
1．5 MOSFET性能指標
1．6 MOSFET性能的歷史發(fā)展趨勢
1．7 Si基MOSFET的速度演化
1．8 應變Si器件中的載流子速度增長極限
1．9 對Ge和Ⅲ-V族半導體中的速度增長的展望
1．10 小結(jié)
參考文獻
延伸閱讀
第2章石墨烯中的電子輸運
2．1 石墨烯的電子能帶結(jié)構(gòu)
2．1．1 緊束縛計算
2．1．2 石墨烯納米帶
2．2 電子輸運
2．2．1 電聲子散射
2．2．2 無序散射
2．2．3 石墨烯納米帶中的輸運
2．2．4 SiC生長和CVD生長石墨烯中的輸運
2．3 石墨烯場效應晶體管中的高場輸運
2．4 小結(jié)
致謝
參考文獻
延伸閱讀
第3章石墨烯晶體管
3．1 引言
3．2 數(shù)字場效應晶體管
3．3 能帶帶隙
3．4 射頻場效應晶體管（RFFET）
3．5 寬度縮放
3．6 邊緣散射的弱化
3．7 長度縮放
3．8 層數(shù)對FET性能的影響
3．9 摻雜
3．10 數(shù)字FET的性能藍圖
3．11 接觸電阻
3．12 從晶體管到電路
3．13 非經(jīng)典的電荷晶體管
3．14 小結(jié)
參考文獻
第4章非電態(tài)參量石墨烯晶體管
4．1 引言
4．2 石墨烯中的電子電荷
4．3 石墨烯原子開關(guān)
4．4 石墨烯中的自旋
4．5 石墨烯中的贗自旋
4．6 石墨烯中的聲子
4．7 展望
致謝
參考文獻
……
第5章新型態(tài)參量的輸運
第6章石墨烯的外延生長
第7章利用化學氣相沉積法生長石墨烯
第8章制備石墨烯氧化物及相關(guān)材料的化學方法
第9章石墨烯上的電介質(zhì)原子層沉積
縮略語