氮化物半導(dǎo)體技術(shù)：功率電子和光電子器件

目錄
序
原書前言
原書致謝
第1章氮化鎵材料的性能及應(yīng)用
11歷史背景
12氮化物的基本性質(zhì)
121微觀結(jié)構(gòu)及相關(guān)問(wèn)題
122光學(xué)性質(zhì)
123電學(xué)性質(zhì)
124AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的二維電子氣（2DEG）
13GaN基材料的應(yīng)用
131光電子器件
132功率電子器件和高頻電子器件
14總結(jié)
致謝
參考文獻(xiàn)
第2章GaN基材料：襯底、金屬有機(jī)物氣相外延和量子阱
21引言
22塊體GaN生長(zhǎng)
221氫化物氣相外延（HVPE）
222鈉助溶劑生長(zhǎng)法
223氨熱生長(zhǎng)
23金屬有機(jī)物氣相外延生長(zhǎng)
231氮化物MOVPE基礎(chǔ)知識(shí)
232異質(zhì)襯底上外延
233通過(guò)ELOG、FACELO等方法減少缺陷
234原位ELOG沉積SiN
235氮化物摻雜
236其他二元和三元氮化物生長(zhǎng)
24InGaN量子阱的生長(zhǎng)及分解
241InGaN量子阱在極化、非極化以及半極化GaN襯底
上的生長(zhǎng)
242銦含量分布波動(dòng)的原因
243InGaN量子阱的均質(zhì)化
244量子阱的分解
25總結(jié)
致謝
參考文獻(xiàn)
第3章毫米波用GaN基HEMT
31引言
32GaN毫米波器件的主要應(yīng)用
321高功率應(yīng)用
322寬帶放大器
3235G
33用于毫米波的GaN材料應(yīng)用設(shè)計(jì)
331與其他射頻器件的材料性能對(duì)比
332射頻器件中的特殊材料
34毫米波GaN器件的設(shè)計(jì)與制造
341各種GaN器件關(guān)鍵工藝步驟
342先進(jìn)的毫米波GaN晶體管
35MMIC功率放大器概述
351基于ⅢN器件的MMIC技術(shù)
352從Ka波段到D波段頻率的MMIC示例
36總結(jié)
參考文獻(xiàn)
第4章常關(guān)型GaN HEMT技術(shù)
41引言
411AlGaN/GaN HEMT閾值電壓
42GaN HEMT“共源共柵”結(jié)構(gòu)
43“真正的”常關(guān)型HEMT技術(shù)
431凹柵HEMT
432氟技術(shù)HEMT
433凹柵混合MIS HEMT
434p型GaN柵HEMT
44其他方法
45總結(jié)
致謝
參考文獻(xiàn)
第5章垂直型GaN功率器件
51引言
52用于功率轉(zhuǎn)換的垂直型GaN器件
53垂直型GaN晶體管
531電流孔徑垂直電子晶體管（CAVET）
532垂直型GaN MOSFET
54GaN高壓二極管
55GaN pn二極管雪崩電致發(fā)光
56GaN的碰撞電離系數(shù)
57總結(jié)
致謝
參考文獻(xiàn)
第6章GaN電子器件可靠性
61引言
611GaN HEMT的可靠性測(cè)試和失效分析
62射頻應(yīng)用中GaN HEMT的可靠性
621AlGaN/GaN HEMT
622InAlN/GaN HEMT
623射頻GaN HEMT中的熱問(wèn)題
63GaN功率開關(guān)器件的可靠性和魯棒性
631摻碳GaN緩沖層中的寄生效應(yīng)
632p型GaN開關(guān)HEMT中的柵極退化
633GaN MIS HEMT中閾值電壓不穩(wěn)定性
64總結(jié)
致謝
參考文獻(xiàn)
第7章發(fā)光二極管
71引言
72最先進(jìn)的GaN發(fā)光二極管
721藍(lán)光二極管
722綠光二極管
73GaN白光LED：制備方法和特性
731單片發(fā)光二極管
732磷光體覆蓋的發(fā)光二極管
74AlGaN深紫外LED
741生長(zhǎng)高質(zhì)量AlN和提高內(nèi)量子效率（IQE）
742基于AlGaN的UVC LED
743提高光提取效率（LEE）
75總結(jié)
致謝
參考文獻(xiàn)
第8章分子束外延生長(zhǎng)激光二極管
81引言
82等離子體輔助分子束外延（PAMBE）ⅢN族材料的生長(zhǎng)
原理
821N通量在高效InGaN量子阱材料中的作用
83寬InGaN量子阱——超越量子約束的斯塔克效應(yīng)
84AmmonoGaN襯底制備的長(zhǎng)壽命激光二極管
85隧道結(jié)激光二極管
851垂直互連的激光二極管堆
852分布式反饋激光二極管
86總結(jié)
致謝
參考文獻(xiàn)
第9章邊緣發(fā)射激光二極管和超輻射發(fā)光二極管
91激光二極管的歷史與發(fā)展
911光電子學(xué)背景
912GaN技術(shù)突破
913氮化物激光二極管的發(fā)展
92分布式反饋激光二極管
93超輻射發(fā)光二極管
931超輻射發(fā)光二極管的發(fā)展歷史
932基本SLD特性
933SLD優(yōu)化面臨的挑戰(zhàn)
94半導(dǎo)體光放大器
95總結(jié)
參考文獻(xiàn)
第10章綠光和藍(lán)光垂直腔面發(fā)射激光器
101引言
1011GaN VCSEL的特性和應(yīng)用
1012GaN VCSEL的簡(jiǎn)史和現(xiàn)狀
1013不同DBR結(jié)構(gòu)GaN VCSEL
102不同器件結(jié)構(gòu)的散熱效率
1021器件熱分布模擬
1022熱阻Rth對(duì)諧振腔長(zhǎng)度的依賴性
103基于InGaN量子點(diǎn)的綠光VCSEL
1031量子點(diǎn)相對(duì)于量子阱的優(yōu)勢(shì)
1032InGaN量子點(diǎn)的生長(zhǎng)及其光學(xué)特性
1033VCSEL的制備過(guò)程
1034綠光量子點(diǎn)VCSEL特性
104基于藍(lán)光InGaN量子阱局域態(tài)和腔增強(qiáng)發(fā)光效應(yīng)的
綠光VCSEL
1041諧振腔效應(yīng)
1042諧振腔增強(qiáng)的綠光VCSEL的特性
105基于量子阱內(nèi)嵌量子點(diǎn)有源區(qū)結(jié)構(gòu)的雙波長(zhǎng)激射
1051量子阱內(nèi)嵌量子點(diǎn)（QDinQW）結(jié)構(gòu)特性
1052VCSEL激射特性
106具有不同橫向光限制的藍(lán)光VCSEL
1061折射率限制結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)
1062LOC結(jié)構(gòu)VCSEL的發(fā)光特性
107總結(jié)
參考文獻(xiàn)
第11章新型電子和光電應(yīng)用的2D材料與氮化物集成
111引言
112用氮化物半導(dǎo)體制造2D材料異質(zhì)結(jié)構(gòu)
1121轉(zhuǎn)移在其他襯底上生長(zhǎng)的2D材料
11222D材料在Ⅲ族氮化物上的直接生長(zhǎng)
1123氮化物半導(dǎo)體薄膜的2D材料生長(zhǎng)
113基于2D材料/GaN異質(zhì)結(jié)的電子器件
113