InAs/AlSb 異質(zhì)結(jié)型射頻場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)

　　與傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件GaAs和GaN HEMTs相比，InAs/AlSb HEMTs作為典型的銻基化合物半導(dǎo)體（ABCS）器件具備更高的電子遷移率和電子飽和漂移速度，在高速、低功耗、低噪聲等應(yīng)用方面擁有良好的發(fā)展前景。特別在深空探測(cè)方面，InAs/AlSb HEMTs作為深空探測(cè)的低噪聲放大器（LNA）的候選核心器件具有無可比擬的優(yōu)勢(shì)。因此，本文針對(duì)InAs/AlSb HEMTs器件開展了系統(tǒng)研究，在器件特性研究、模型建立、電路設(shè)計(jì)及制備工藝等方面進(jìn)行了較為深入的探討。本書在體系上力求合理完整，可作為高等院校的微電子技術(shù)相關(guān)專業(yè)本科和研究生的科研參考資料，可作為電子制造工程師的參考書和微電子封裝企業(yè)職工教育培訓(xùn)的教材。

　　關(guān)赫，博士，碩士研究生導(dǎo)師。畢業(yè)于西安電子科技大學(xué)，長(zhǎng)期從事微電子集成電路方向研究，主持多項(xiàng)重量及省部級(jí)項(xiàng)目，發(fā)表論文10余篇，申請(qǐng)專利10余項(xiàng)，具有豐富的研發(fā)管理經(jīng)驗(yàn)。