高k柵介質材料與器件集成

第1章 緒論
1.1 引言
1.2 集成電路發(fā)展及趨勢
1.2.1 集成電路的介紹
1.2.2 集成電路的現狀
1.2.3 集成電路的發(fā)展趨勢
1.2.4 我國集成電路產業(yè)前景展望
1.3 后摩爾時代新材料、新技術及新挑戰(zhàn)
1.3.1 工藝新材料
1.3.2 新器件結構
1.3.3 工藝新技術
1.3.4 后摩爾時代集成電路展望與挑戰(zhàn)
課后習題
參考文獻
第2章 高κ柵介質的物理基礎
2.1 高κ柵介質的基本概念及優(yōu)勢
2.1.1 高κ柵介質的引入
2.1.2 高κ柵介質的優(yōu)勢
2.2 高κ柵介質的結構調控及理論機制
2.2.1 高κ柵介質的MOS電容結構
2.2.2 高κ柵介質的理論機制
2.3 高κ柵介質的選擇要求
2.4 高κ柵介質的分類及特點
2.4.1 硅的氮（氧）化物及其特點
2.4.2 ⅢA族金屬氧化物
2.4.3 ⅣB族和ⅤB族過渡金屬氧化物
2.4.4 ⅢB族稀土金屬氧化物
2.5 高κ柵介質面臨的問題和挑戰(zhàn)
課后習題
參考文獻
第3章 高κ柵介質的制備及表征
3.1 高κ柵介質材料的制備
3.1.1 真空蒸鍍法
3.1.2 磁控濺射法
3.1.3 原子層沉積法
3.1.4 分子束外延法
3.1.5 脈沖激光沉積法
3.1.6 溶液基制備方法
3.2 高κ柵介質性能的表征
3.2.1 光學性能的表征
3.2.2 熱重性能的表征
3.2.3 結晶性能的表征
3.2.4 化學局域態(tài)的表征
3.2.5 表面形貌的表征
3.2.6 界面微結構的表征
3.2.7 潤濕性能的表征
課后習題
參考文獻
第4章 稀土基高κ柵介質及MOS器件集成
4.1 稀土簡介