宇航MOSFET器件單粒子輻射加固技術(shù)與實(shí)踐

第1章 空間輻射環(huán)境與基本輻射效應(yīng)
1.1 空間輻射環(huán)境
1.1.1 太陽(yáng)宇宙射線(xiàn)
1.1.2 銀河宇宙射線(xiàn)
1.1.3 地球俘獲帶
1.2 基本輻射效應(yīng)
1.2.1 位移損傷效應(yīng)
1.2.2 總劑量效應(yīng)
1.2.3 單粒子效應(yīng)
1.3 單粒子輻射加固功率MOSFET器件面臨的挑戰(zhàn)
1.3.1 航天應(yīng)用對(duì)功率MOSFET器件的可靠性要求
1.3.2 航天應(yīng)用對(duì)功率MOSFET器件的抗輻射要求
本章參考文獻(xiàn)
第2章 宇航MOSFET器件的空間輻射效應(yīng)及損傷模型
2.1 重離子與材料的相互作用
2.1.1 重離子在材料中的能量損失
2.1.2 重離子在材料中的射程
2.2 宇航MOSFET器件物理
2.2.1 宇航VDMOS器件的基本器件結(jié)構(gòu)
2.2.2 宇航VDMOS器件靜態(tài)參數(shù)
2.2.3 宇航VDMOS器件動(dòng)態(tài)參數(shù)
2.2.4 宇航VDMOS器件極限參數(shù)
2.3 宇航MOSFET器件的單粒子輻射效應(yīng)
2.3.1 功率MOSFET的SEB效應(yīng)
2.3.2 功率MOSFET的SEGR效應(yīng)
2.3.3 功率MOSFET的SEB致SEGR效應(yīng)
2.4 宇航MOSFET器件的單粒子輻射損傷模型
2.4.1 描述單粒子效應(yīng)的幾個(gè)重要概念
2.4.2 功率MOSFET器件單粒子輻射效應(yīng)的影響因素
2.4.3 功率MOSFET的SEB損傷模型
2.4.4 功率MOSFET的SEGR損傷模型
本章參考文獻(xiàn)
第3章 宇航 MOSFET器件抗單粒子輻射加固技術(shù)
3.1 抗單粒子輻射加固整體思路
3.2 屏蔽技術(shù)
3.3 復(fù)合技術(shù)
3.3.1 局部高摻雜技術(shù)
3.3.2 異質(zhì)材料界面技術(shù)
3.3.3 重金屬?gòu)?fù)合中心技術(shù)
3.4 增強(qiáng)技術(shù)
3.4.1 柵介質(zhì)增強(qiáng)技術(shù)
3.4.2 寄生三極管觸發(fā)閾值提升技術(shù)
3.4.3 兩種功率MOSFET器件新結(jié)構(gòu)對(duì)比分析
本章參考文獻(xiàn)
第4章 宇航MOSFET器件測(cè)試技術(shù)與輻照試驗(yàn)
4.1 宇航MOSFET器件的應(yīng)用說(shuō)明
4.2 MOSFET器件測(cè)試技術(shù)
4.2.1 電參數(shù)測(cè)試
4.2.2 安全工作區(qū)
4.2.3 宇航 MOSFET的破壞機(jī)理和對(duì)策