摻雜GaN納米線制備技術(shù)

1 緒論
1.1 納米材料概述
1.2 GaN材料概述
1.2.1 物理性質(zhì)
1.2.2 化學(xué)性質(zhì)
1.2.3 電學(xué)性質(zhì)
1.2.4 光學(xué)特性
1.3 GaN納米線的合成方法
1.3.1 分子束外延法
1.3.2 金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法
1.3.3 氫化物輸運(yùn)氣相外延生長法
1.3.4 模板限制生長法
1.3.5 激光燒蝕法
1.3.6 氧化物輔助生長法
1.3.7 化學(xué)氣相沉積法
1.3.8 溶膠-凝膠法
1.4 納米線的生長機(jī)制
1.4.1 氣-液-固機(jī)制
1.4.2 氣-固機(jī)制
1.4.3 GaN納米線表征與性能測試方法
1.5 場發(fā)射理論
1.5.1 經(jīng)典F-N理論
1.5.2 半導(dǎo)體場致電子發(fā)射
1.5.3 相關(guān)概念
參考文獻(xiàn)
2 P摻雜GaN納米線的制備及性能
2.1 實(shí)驗(yàn)原料
2.2 襯底的處理
2.3 實(shí)驗(yàn)步驟及形貌分析
2.3.1 基本實(shí)驗(yàn)步驟
2.3.2 不同氨化溫度對P摻雜GaN納米線形貌的影響
2.3.3 不同氨化時間對P摻雜GaN納米線形貌的影響
2.3.4 不同氨氣流量對P摻雜GaN納米線形貌的影響
2.3.5 不同濃度P摻雜對GaN納米線形貌的影響
2.4 P摻雜GaN納米線的物相分析
2.4.1 純凈GaN納米線的物相分析
2.4.2 摻雜源比例為1：30的P摻雜GaN納米線的物相分析
2.4.3 摻雜質(zhì)量比為1：20的P摻雜GaN納米線的物相分析
2.4.4 摻雜質(zhì)量比為1：10的P摻雜GaN納米線的物相分析
2.5 P摻雜GaN納米線的性能
2.6 P摻雜GaN納米的生長機(jī)制分析
參考文獻(xiàn)
3 Te摻雜GaN納米線的制備及性能
3.1 實(shí)驗(yàn)方法及設(shè)備
3.2 實(shí)驗(yàn)過程
3.3 樣品的表征與分析
3.3.1 樣品的表征方法
3.3.2 GazOg和Te質(zhì)量比對納米線的影響
3.3.3 反應(yīng)溫度對納米線的影響
3.3.4 Te摻雜GaN納米線的Raman分析