絕緣層表面能對有機(jī)晶體管遷移率的調(diào)控分析及應(yīng)用

1 緒論
1.1 場效應(yīng)晶體管簡介
1.1.1 場效應(yīng)晶體管的基本原理
1.1.2 場效應(yīng)晶體管的基本參數(shù)
1.1.3 場效應(yīng)晶體管的基本構(gòu)型
1.1.4 有機(jī)場效應(yīng)晶體管的優(yōu)勢
1.1.5 有機(jī)場效應(yīng)晶體管的發(fā)展現(xiàn)狀
1.2 有機(jī)薄膜場效應(yīng)晶體管
1.2.1 有機(jī)薄膜場效應(yīng)晶體管的優(yōu)勢
1.2.2 有機(jī)薄膜的制備方法
1.2.3 有機(jī)薄膜場效應(yīng)晶體管的制備方法和發(fā)展現(xiàn)狀
1.3 有機(jī)單晶場效應(yīng)晶體管
1.3.1 有機(jī)單晶場效應(yīng)晶體管的優(yōu)勢
1.3.2 有機(jī)單晶的生長方法
1.3.3 有機(jī)單晶場效應(yīng)晶體管的制備方法和發(fā)展現(xiàn)狀
1.4 半導(dǎo)體/ 緣層的界面性質(zhì)對有機(jī)場效應(yīng)晶體管性能的影響
1.4.1 有機(jī)場效應(yīng)晶體管中的界面工程
1.4.2 緣層的性質(zhì)對有機(jī)場效應(yīng)晶體管性能的影響
1.4.3 緣層的表面能對有機(jī)場效應(yīng)晶體管性能的影響
參考文獻(xiàn)
2 Ph5T2單晶場效應(yīng)晶體管的制備及其性能分析
2.1 Ph5T2單晶的生長及表征
2.1.1 Ph5T2單晶的生長
2.1.2 Ph5T2單晶的表征
2.2 緣層的制備及表征
2.2.1 緣層的選擇及制備
2.2.2 緣層的表征
2.3 緣層性質(zhì)對Ph5T2單晶場效應(yīng)晶體管性能的影響
2.3.1 Ph5T2單晶場效應(yīng)晶體管的制備及表征
2.3.2 Ph5T2材料表面能的計算及選取
2.3.3 緣層性質(zhì)對Ph5T2單晶場效應(yīng)晶體管性能的影響
2.3.4 半導(dǎo)體和 緣層表面能及其分量匹配提高遷移率的機(jī)理分析
2.4 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
3 表面能匹配對于不同單晶材料普適性的討論
3.1 并五苯單晶場效應(yīng)晶體管
3.1.1 并五苯單晶的生長及表征
3.1.2 并五苯單晶場效應(yīng)晶體管的制備及表征
3.1.3 并五苯表面能的計算及選取
3.1.4 緣層表面能對并五苯單晶場效應(yīng)晶體管器件性能的影響
3.2 酞菁鋅單晶場效應(yīng)晶體管
3.2.1 酞菁鋅單晶的生長及表征
3.2.2 酞菁鋅單晶場效應(yīng)晶體管的制備及表征
3.2.3 酞菁鋅表面能的計算及選取
3.2.4 緣層表面能對酞菁鋅單晶場效應(yīng)晶體管器件性能的影響
3.3 表面能及其分量匹配與其他實驗結(jié)論的兼容
3.4 不同半導(dǎo)體和 緣層表面能的匯總
3.5 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
4 高遷移率DNTT單晶場效應(yīng)晶體管的制備